半導體器件物理中Na值為多少

1. 怎樣學好半導體器件物理

正半導體元器件是用半導體材料製成的電子元器件,隨著電子技術是飛速發展,各種新回型半導體元器件層答出不窮。半導體元器件是組成各種電子電路的核心元件,學習電子技術(特別是電子電器專業的)必須首先了解半導體元器件的基本結構和工作原理,掌握它們的特性、參數和用途。而這對初學者來說是非常困難的,因為這對他們來說是一個新知識,以前從沒接觸過。我個人認為學習半導體元器件是一個循序漸進的過程,不能過於急迫，要上課認真聽，不懂就問。「把面子放下來，把成績收回來。」

2. 半導體器件物理

1 源漏來電荷的共享
2 漏致勢壘降低效自應也就是DIBL。用來說明V（DS）增加引起的VT下降的現象
當漏結加較大電壓時，漏結電場向源區擴展，使源PN結的勢壘降低，從源注入溝道的電子增加，導致漏電流增加，該過程稱為DIBL效應。
3還有一個是次表面穿通 這個老師沒講 呵呵

3. 誰有蔣玉龍老師的半導體物理和半導體器件物理的PPT啊，能不能發我一下啊

http://wenku..com/view/72718435eefdc8d376ee3250.html

就找到這個了 在下的財富值不夠，所以不能為回你下載答

4. 半導體器件物理的目錄

第1章 半導體特性
1．1 半導體的晶體結構
1．2 半導體中的電子狀態
1．3 雜質和缺陷
1．4 熱平衡載流子
1．5 非平衡載流子
1．6 載流子的運動
實驗一 晶體缺陷的觀測
實驗二 少數載流子壽命的測量
思考題與習題
第2章 PN結
2．1 平衡PN結
2．2 PN結的直流特性
2．3 PN結電容
2．4 PN結的擊穿特性
2．5二極體的開關作用和反向恢復時間
實驗三 PN結伏安特性與溫度效應
實驗四 PN結勢壘電容的測量
思考題與習題
第3章 半導體的表面特性
3.1半導體表面與Si-SiO2系統
3.2 表面空間電荷區與表面勢
3.3 MOS結構的閾值電壓
3.4 MOS結構的C-V特性
3.5 金屬與半導體接觸
實驗五 MOS電容的測量
實驗六 SBD（肖特基）二極體伏安特性的測量
思考題與習題
第4章 雙極型晶體管及其特性
4．1晶體管結構與工作原理
4．2晶體管的直流特性
4．3晶體管的頻率特性
4．4晶體管的功率特性
4．5晶體管的開關特性
4．6晶體管的版圖和工藝流程
實驗七 圖示儀測試晶體管的特性曲線
實驗八 晶體管直流參數的測量
思考題與習題
第5章 MOS場效應晶體管
5.1 MOS晶體管的結構與分類
5.2 MOS晶體管的閾值電壓
5.3 MOS晶體管輸出伏安特性與直流參數
5.4 MOS晶體管頻率特性與交流小信號參數
5.5 MOS晶體管版圖及其結構特徵
5.6小尺寸集成MOS晶體管的幾個效應
實驗九 MOS晶體管閾值電壓VT的測量
實驗十 MOS晶體管輸出伏安特性曲線的測量
思考題與習題
第6章 其他常用半導體器件簡介
6.1 達林頓晶體管
6.2 功率MOS晶體管
6.3 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
6.4發光二極體（LED）
6.5太陽能電池
思考題與習題
附錄 XJ4810型半導體管特性圖示儀面板功能
參考文獻