半導體與金屬比較有什麼特點

A. 半導體有什麼特性

半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。
半導體材料版除了用於製造大規權模集成電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。
半導體是指導電性能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電性能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。
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半導體的四種分類方法
1、按化學成分：分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
2、按製造技術：分為集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。
3、按應用領域、設計方法分類：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。
4、按所處理的信號：可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
參考資料來源：網路—半導體

B. 半導體器件中 金屬半導體結構和金屬絕緣體半導體各自的特點和用途

固體能夠來導電是固體中的電子在外場自作用下做定向運動的結果.從能帶理論看,是電子從一個能級躍遷到另一個能級上去. 對於滿帶,其中能級已被電子占滿,在外電場的作用下滿帶中的電子並不形成電流,對導電沒有貢獻.對於被電子部分佔滿的能帶,在外電場的作用下,電子可以從外電場中吸收能量躍遷到未被電子占據的能級去,形成了電流,起導電作用. 金屬中,由於組成金屬的原子中的價電子占據的能級是部分佔滿的,所以金屬是良好的導體. 絕緣體和半導體類似,下面都是已被電子占滿的滿帶,中間是禁帶,上面是空帶.所以在熱力學零度時,在外電場的作用下並不導電.當外界條件變化時,就有少量電子被激發到空帶上去,在外場作用下就會參與導電.而絕緣體只是禁帶寬度太大,激發電子需要很大的能量,在通常溫度下,激發上去的電子很小,導電性差.

C. 金屬和半導體接觸有哪些好處

在一定范圍內，半導體的電阻隨溫度的升高而降低，金屬導體的電阻隨溫度的升高而升高
由於電流通過後要產熱，兩個按一定比例串聯接入電路後，剛好互補，從而使電阻不隨溫度的變化而變化

D. 半導體熱敏電阻與金屬熱電阻比較具有什麼特點

半導體熱敏電阻與金屬熱電阻相比：

前者的感溫材料是半導體，後者感溫材料是金回屬，常用鉑絲答，熱敏電阻的靈敏度較高，它的電阻溫度系數比金屬大10到100倍以上，能檢測到10攝氏度到6攝氏度的溫度變化。

金屬熱電阻的電阻值和溫度一般可以用以下的近似關系式表示，即Rt=Rt0[1+α（t-t0）]式中,Rt為溫度t時的阻值；Rt0為溫度t0（通常t0=0℃）時對應電阻值；α為溫度系數。

半導體熱敏電阻的阻值和溫度關系為Rt=AeB/t式中Rt為溫度為t時的阻值；A、B取決於半導體材料的結構的常數。相比較而言，熱敏電阻的溫度系數更大，常溫下的電阻值更高（通常在數千歐以上熱電阻溫度測量原理）。

但互換性較差，非線性嚴重，測溫范圍只有-50~300℃左右，大量用於家電和汽車用溫度檢測和控制。金屬熱電阻一般適用於200~500℃范圍內的溫度測量，其特點是測量准確、穩定性好、性能可靠，在程式控制制中的應用極其廣泛。

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導體熱敏電阻感測器特點：

①靈敏度高，A系數是金屬的10～100倍。

②響應速度快。

③非線性大。

④互換性、穩定性差。

分類：負溫度系數；正溫度系數。

E. 什麼才算是半導體和一般金屬有啥區別

半導體不是 金屬

從物理上定義 就是 禁帶 遠小於 絕緣體的 材料
或者可以理解為 很容易 讓不導電的材料 變成導電的材料
常用的是硅半導體
當然還有金屬氧化物 等很多

F. 半導體與金屬相比較有什麼特點要有寫到有什麼區別

金屬，溫度越低，導電性越好；
半導體，溫度越高，導電性越好。

G. 金屬導體與半導體有什麼樣的區別

金屬導體與半導體的顯著差別在於金屬的電阻率隨著溫度的升高而升高，而半導體的電阻率隨著溫度的升高而降低。

H. 金屬和半導體具有不同的電阻-溫度特性，它們的主要特徵是什麼

首先咱們抄得弄清楚有電阻襲的原因，一個原因是晶格振動(晶體總有溫度)這樣晶格偏離規則的排列(BRAVIAS點陣排列),造成電子的BLOCH波有散射,形成電阻;另一個原因是金屬晶體不純凈,有雜質,這樣也參與破壞了這個BRAVIAS點陣排列,對BLOCH波有散射. 溫度越高,晶格振動越激烈,對點陣的偏離越大,這樣對BLOCH波的散射越厲害.這樣,電阻率就增大了,隨著溫度的升高.
1、金屬沒有禁帶，未成對電子全部是自由電子，即載流子濃度是恆定的，當溫度升高時，自由電子熱運動速度變大，其被晶格散射概率變大，故電阻變大；
2、半導體可分為本徵半導體和雜質半導體討論，對於本徵半導體，隨著溫度的升高，電子濃度和空穴濃度增加幅度大於晶格散射減小幅度，所以電阻減小；而雜質半導體隨著溫度的升高，剛開始以雜質電離為主，電阻減小；然後等雜質全部電離完，以晶格散射佔主要因素（載流子濃度基本不增加），電阻增加；最後以本徵半導體載流子增加為主，電阻減小（同本徵半導體一樣）。
詳細的原因，你參考劉恩科的《半導體物理學》吧！

I. 半導體有什麼特性

半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。

半導版體材料除了用於製造大規模權集成電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。

半導體是指導電性能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電性能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。

(9)半導體與金屬比較有什麼特點擴展閱讀

半導體的四種分類方法

1、按化學成分：分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

2、按製造技術：分為集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

3、按應用領域、設計方法分類：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。

4、按所處理的信號：可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

J. 金屬和半導體具有不同的電阻-溫度特性,它們的主要特徵是什麼

首先咱們得弄清楚有電阻的原因,一個原因是晶格振動(晶體總有溫度)這樣晶格偏離規則的排內列容(BRAVIAS點陣排列),造成電子的BLOCH波有散射,形成電阻;另一個原因是金屬晶體不純凈,有雜質,這樣也參與破壞了這個BRAVIAS點陣排列,對BLOCH波有散射.溫度越高,晶格振動越激烈,對點陣的偏離越大,這樣對BLOCH波的散射越厲害.這樣,電阻率就增大了,隨著溫度的升高.
1、金屬沒有禁帶,未成對電子全部是自由電子,即載流子濃度是恆定的,當溫度升高時,自由電子熱運動速度變大,其被晶格散射概率變大,故電阻變大；
2、半導體可分為本徵半導體和雜質半導體討論,對於本徵半導體,隨著溫度的升高,電子濃度和空穴濃度增加幅度大於晶格散射減小幅度,所以電阻減小；而雜質半導體隨著溫度的升高,剛開始以雜質電離為主,電阻減小；然後等雜質全部電離完,以晶格散射佔主要因素（載流子濃度基本不增加）,電阻增加；最後以本徵半導體載流子增加為主,電阻減小（同本徵半導體一樣）.
詳細的原因,你參考劉恩科的《半導體物理學》吧!