半導體中gate是什麼意思

1. 半導體是什麼意思

半導體

semiconctor

電導率(conctivity)介於金屬和絕緣體(insulator)之間的固體材料。半導體於室溫時電導率約在10ˉ10～10000/Ω·cm之間，純凈的半導體溫度升高時電導率按指數上升。半導體材料有很多種，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的有機物半導體等。

本徵半導體(intrinsic semiconctor) 沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。在絕對零度溫度下，半導體的價帶(valence band)是滿帶(見能帶理論)，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶(forbidden band/band gap)進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶(conction band)，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴(hole)，導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子 - 空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子(free carrier)，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，使電子-空穴對消失，稱為復合(recombination)。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子 - 空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。

雜質半導體(extrinsic semiconctor) 半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為n型半導體和p型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價鍵，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多，很易激發到導帶成為電子載流子，因此對於摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為n型半導體。由於半導體中總是存在本徵激發的電子空穴對，所以在n型半導體中電子是多數載流子，空穴是少數載流子。相應地，能提供空穴載流子的雜質稱為受主(acceptor)雜質，相應能級稱為受主能級，位於禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是受主能級。由於受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發到受主能級上填補這個空位，使受主雜質原子成為負電中心。同時價帶中由於電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本徵半導體情形下產生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在p型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。

2. IC標稱GATE是什麼意思

門的意思，比如我們在晶元後端設計過程中在晶圓的MOS管柵極用的是Ploy，但是電阻我專一般也是給Ploy，柵屬極上的Ploy就屬於GATE，但是其他的Ploy用來連線或做電阻就不屬於GATE，GATE說的是MOS管上的控制用的門，你翻開你的技術文檔就有了，在不了解就去問問你身邊的工程師，這是個很基本的概念

3. 請問一元器件中Source、Drain、Gate英文什麼意思，是什麼元器件 它的電路圖符號如下

場效應管的三極: 源級S 漏級D 柵級G

4. 什麼是半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

(4)半導體中gate是什麼意思擴展閱讀：

發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

5. 請問半導體技術中gate poly 譯成什麼多謝

polysilicon gate多晶硅柵極簡稱poly gate，就是MOS管用多晶硅做柵極，用氧化硅做絕緣層，gate poly應該是指做柵極的多晶硅材料

6. 半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別是什麼

一、半導體中名詞「」「chip」「die」中文名字和用途

①wafer——晶圓

wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基於這個wafer上生產出來的。晶圓是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。

②chip——晶元

一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash晶元（chip）。晶元一般主要含義是作為一種載體使用，並且集成電路經過很多道復雜的設計工序之後所產生的一種結果。

③die——晶粒

Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學名die，封裝後就成為一個顆粒。晶粒是組成多晶體的外形不規則的小晶體，而每個晶粒有時又有若干個位向稍有差異的亞晶粒所組成。晶粒的平均直徑通常在0.015~0.25mm范圍內，而亞晶粒的平均直徑通常為0.001mm數量級。

二、半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別

①材料來源方面的區別

以硅工藝為例，一般把整片的矽片叫做wafer，通過工藝流程後每一個單元會被劃片，封裝。在封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。

②品質方面的區別

品質合格的die切割下去後，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。這些殘余的die，其實是品質不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝製作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。

③大小方面的區別

封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。cell也是單元，但是比die更加小 cell <die< chip。

(6)半導體中gate是什麼意思擴展閱讀

一、半導體基本介紹

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療儀器等領域有廣泛應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

半導體晶元的製造過程可以分為沙子原料（石英）、硅錠、晶圓、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細致的過程。

7. 項目中gate是什麼意思

gate
[英][geɪt][美][ɡet]
n.
門; 閘門; 登機門; 入場費;
vt.
給…裝大門; [電子學] 電波傳送;
第三人稱單數：gates
復數：gates
現在進行時：gating
過去式：gated
過去分詞：gated

雙語例句：
Can you see gate number seven?
你看到七號大門嗎？

8. 什麼是半導體中的新技術：high-k metal-gate (HKMG)

在65nm時代，漏電一直是降低處理器良品率、阻礙性能提升和減少功耗的重要因素。而隨著處理器採用了45nm工藝，相應的核心面積會減少，導致單位面積的能量密度大幅增高，漏電問題將更加凸顯，如果不很好解決，功耗反而會隨之增大。而傳統的二氧化硅柵極介電質的工藝已遇到瓶頸，無法滿足45nm處理器的要求，因此為了能夠很好的解決漏電問題，Intel採用了鉿基High-K(高K)柵電介質+Metal Gate(金屬柵)電極疊層技術。
相比傳統工藝，High-K金屬柵極工藝可使漏電減少10倍之多，使功耗也能得到很好的控制。而且，如果在相同功耗下，理論上性能可提升20％左右。正是得益於這種新技術，Intel的45nm工藝在令晶體管密度提升近2倍，增加處理器的晶體管總數或縮小處理器體積的同時，還能提供更高的性能和更低的功耗，令產品更具競爭力。
此外，我們要知道High-K柵電介質技術，相比以往的氮氧化合物/多晶硅柵堆疊技術成本會有所增加，而Intel為了保持工藝技術上的領先，不惜高成本採用了High-K柵電介質技術，我們也可以看出Intel對45nm處理器能否取得成功相當重視。而由於High-k閘極電介質和現有硅閘極並不兼容，Intel全新45nm晶體管設計也必須開發新金屬閘極材料，目前新金屬的細節仍屬商業機密，Intel現階段尚未說明其金屬材料的組合。

9. 半導體中insite是什麼意思

電子技術的發展增強來了發動機與自車輛的聯系，幫助使用者方便、高效、出色地完成工作。滿足要求日益嚴格的排放法規不是康明斯電控發動機所致力的唯一目標，服務用戶才是我們的主旨。基於Windows操作系統的發動機監控、診斷軟體－INSITE，為用戶提供了友好的界面和極大的自由度。其強大的功能是您有力的支持，使您盡可展開想像的翅膀，隨心所欲實現自己的夢想。

10. 半導體工藝過程專業術語（中英文簡稱及全稱）及定義

CP: chip probe, 晶圓晶元測試

FT: final test, 成品測試

and so on ...