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大功率半導體元器件有哪些

發布時間: 2021-03-08 14:30:28

Ⅰ 什麼是功率器件它有那些特性能給個具體點的嗎

什麼是功率器件?它有那些特性?在電了線路中作為功率方大的部件,電內流(或電壓)是原容先的β倍的大信號,承擔大電流大電壓的放大作用的元件或組件。經過不斷的電流及電壓放大,就完成了功率放大。
功率器件,列如輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬於功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是.功率器件有:如大功率晶體管,晶閘管,雙向晶閘。
功率放大器通常由3部分組成:前置放大器、驅動放大器、末級功率放大器。末級功率放大器起功率放大的關鍵作用。它將驅動放大器送來的電流信號形成大功率信號,帶動揚聲器發聲,它的技術指標決定了整個功率放大器的技術指標。

Ⅱ 電路板上常見的電子元器件有哪些

電阻,電容,二級管,穩壓管,三極體等等。

(1)電阻是一個物理量,在回物理學中表示導體對電答流阻礙作用的大小。導體的電阻越大,表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體,電阻一般不同,電阻是導體本身的一種特性。

(2)電容是由兩塊金屬電極之間夾一層絕緣電介質構成。當在兩金屬電極間加上電壓時,電極上就會存儲電荷,所以電容器是儲能元件。任何兩個彼此絕緣又相距很近的導體,組成一個電容器。平行板電容器由電容器的極板和電介質組成 。

(3)二極體,(英語:Diode),電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體(Varicap Diode)則用來當作電子式的可調電容器。

(4)穩壓二極體(又叫齊納二極體)是一種硅材料製成的面接觸型晶體二極體,簡稱穩壓管。此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。

(5)三極體是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。

Ⅲ 什麼是半導體功率器件

功率半導體器件,嘿嘿,本人的本行。功率半導體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導體器件。給個數量吧,電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流能力最高可達幾千A。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
早期的功率半導體器件:大功率二極體、晶閘管等等,主要用於工業和電力系統(正因如此,早期才被稱為電力電子器件)
後來,隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發展,現在功率半導體器件已經非常廣泛啦, 在計算機、通行、消費電子、汽車電子 為代表的4C行業(computer、communication、consumer electronics、cartronics),功率半導體器件可以說是越來越火,現在不是要節能環保嗎,低碳生活,那就需要對能量的處理進行合理的管理,power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV 嗎,所以就需要對電壓電流的運用進行有效的控制,這就與功率器件密不可分! 功率管理集成電路(Power Management IC,也被稱為電源管理IC)已經成為功率半導體器件的熱點,發展非常迅速噢!

功率半導體器件,在大多數情況下,是被作為開關使用(switch),開關,簡單的說,就是用來控制電流的 通過 和 截斷。 那麼,一個理想的開關,應該具有兩個基本的特性:
1,電流通過的時候,這個理想開關兩端的電壓降是零
2,電流截斷的時候,這個理想開關兩端可以承受的電壓可以是任意大小,也就是0~無窮大
因此,功率半導體器件的研究和發展,就是圍繞著這個目標不斷前進的。現在的功率半導體器件,已經具有很好的性能了,在要求的電壓電流處理范圍內,可以接近一個比較理想的開關。

好了,扯了這么多,舉幾個功率半導體器件的例子吧,剛才已經說了,功率二極體,晶閘管,還有功率BJT(就是功率雙極型晶體管)這些都是第一代產品了,比較老的了,第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導體器件,如VDMOS、LDMOS,以及IGBT。
VDMOS 即(vertical double-diffusion MOSFET)是縱向器件,多用於分立器件;LDMOS 即(Lateral double-diffusion MOSFET),是橫向器件,其三個電極均在矽片表面,易於集成,多用於功率集成電路領域。 IGBT 即 (Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管),可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊,國內才剛剛起步,大量需要IGBT的高技術人才,這個有錢途的。
扯了好多啊,先就這么多吧,要細說的話,可以說一天。希望我的回答對你有幫助,一字一句都是原創,望採納

Ⅳ 碳化硅大功率器件是什麼東西呢

碳化硅的用途十分廣泛,工業、軍事、高科技方面用得很多,但你說到大功率器件,我估計就是硅碳棒,用於高溫爐大功率通電加熱,使用溫度達1450度。

Ⅳ 大功率電力電子裝置常用的功率半導體開關器件有哪些

大功率電力電子裝置常用的功率半導體開關有以下器件:
1、晶閘管(可控硅),專它又有屬普通晶閘管、雙向晶閘管屬於半控型(控制導通、自然關斷)電力電子器件,門極可關斷晶閘管(GTO)屬全控型電力電子器件。
2、電力晶體管(GTR),屬於電流控制電流全控型電力電子器件。
3、絕緣柵場效應管(PMOS),屬於電壓控制電流全控型電力電子器件。
4、絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬於電壓控制電流全控型電力電子器件。
認證被拒絕,我也想看看有更好的答案,以彌補交了十多年電力電子課程的遺憾!

Ⅵ 大功率半導體器件封裝廠,有哪些做得比較好

這個要看看你想找怎樣的,現在半導體器件封裝技術發展得比較完善,相關的半導體行業封裝廠家也比較多,建議你去一個平台找找看,我推薦大比特電子產品庫給你。

Ⅶ 請說出10個以上的電子元器件名稱

二極體(晶體管)
三極體
穩壓二極體
可控硅(晶閘管)
發光二極體(LCD)
場效應管
集成電路(運放、功放、...)
電容
可變電容
電解電容
微調電容
電阻
保險電阻
壓敏電阻
熱敏電阻
電位器
電子管
電感器
變壓器

Ⅷ 功率半導體是指什麼

「power semiconctor device」和「power integrated circuit(簡寫為power IC或PIC)」直譯就是功率半導體器件和功率集成電路。

在國際上與該技術領域對應的最權威的學術會議就叫做International Symposium on Power Semiconctor Devices and ICs,即功率半導體器件和功率集成電路國際會議。

「power」這個詞可譯為動力、能源、功率等,而在中文裡這些詞的含義不是完全相同的。由於行業的動態發展,「power」的翻譯發生了變化。

從上世紀六七十年代至八十年代初,功率半導體器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶體管(GTR)和其後的柵關斷晶閘管(GTO)等。它們的主要用途是用於高壓輸電,以及製造將電網的380V或220V交流電變為各種各樣直流電的中大型電源和控制電動機運行的電機調速裝置等,這些設備幾乎都是與電網相關的強電裝置。因此,當時我國把這些器件的總稱———power semiconctor devices沒有直譯為功率半導體器件,而是譯為電力電子器件,並將應用這些器件的電路技術power electronics沒有譯為功率電子學,而是譯為電力電子技術。與此同時,與這些器件相應的技術學會為中國電工技術學會所屬的電力電子分會,而中國電子學會並沒有與之相應的分學會;其製造和應用的行業歸口也劃歸到原第一機械工業部和其後的機械部,這些都是順理成章的。實際上從直譯看,國外並無與電力電子相對應的專業名詞,即使日本的「電力」與中文的「電力」也是字型相同而含義有別。此外,當時用普通晶體管集成的小型電源電路———功率集成電路,並不歸屬於電力電子行業,而是和其他集成電路一起歸口到原第四機械工業部和後來的電子工業部。

20世紀80年代以後,功率半導體行業發生了翻天覆地的變化。功率半導體器件變為以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。

這一轉變的主要原因是,這些器件或集成電路能在比以前高10倍以上的頻率下工作,而電路在高頻工作時能更節能、節材,能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(power system on a chip,簡寫PSOC),它能把感測器件與電路、信號處理電路、介面電路、功率器件和電路等集成在一個硅晶元上,使其具有按照負載要求精密調節輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能,其優越性不言而喻。國際專家把它的發展喻為第二次電子學革命。

Ⅸ 什麼是半導體功率器件

電力電子器件又稱為功率半導體器件,主要用於電力設備的電能變換和控制電路方面大功率版的電權子器件。

功率半導體器件通常指電流為數十至數千安,電壓為數百伏以上。

功率器件幾乎用於所有的電子製造業,包括計算機領域的筆記本、PC、伺服器、顯示器以及各種外設;網路通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備。

(9)大功率半導體元器件有哪些擴展閱讀

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。

80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。

80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點,在性能上又有新的發展。

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