純凈半導體導電的有哪些

㈠ 半導體導電的基本特性是什麼

答:純凈的半導體材料在絕對零度(一273℃)時，其內部沒有載流子可供導電，此時的半版導體與絕緣體非常權相似。但是，隨著外加條件的改變(如環境溫度、光照增強、摻雜等)，半導體中就會出現載流子，從而具有一定的導電能力。其導電特性如下:

(1)熱敏特性:隨著環境溫度的升高，半導體的電阻率下降，導電能力增強.

(2)光敏特性:有些半導體材料(硫化銅)受到光照時，電阻率明顯下降，導電能力變得很強;無光照時，又變得像絕緣體一樣不導電，利用這一特性可製成各種光敏器件.

(3)摻雜特性:在純凈的半導體中摻入某種合適的微量雜質元素，就能增加半導體中載流子的濃度，從而可以增強半導體的導電能力。
(4)其他敏感特性:有些半導體材料具有壓敏、磁敏、濕敏、嗅敏、氣敏等特性，還有些半導體材料，它們的上述某些特性還能逆轉。

㈡ 半導體導電嗎

一般情況是：在常溫下純凈的半導體是不導電的,但是通過加熱或者摻雜能夠使價帶電子躍遷到導帶上,從而可以移動,發生導電的現象.希望能給你提供借鑒~

㈢ 半導體導電嗎

一般情況是：在常溫下純凈的半導體是不導電的，但是通過加熱或者摻雜能夠使價帶電子躍遷到導帶上，從而可以移動，發生導電的現象。希望能給你提供借鑒~

㈣ 半導體中的導電物質一般叫什麼這些導電物質有哪幾種

物質按照導電能力的大小可以分為導體、半導體和絕緣體。導體是指電阻回率很小且易於答傳導電流的物質。導體中存在大量可自由移動的帶電粒子稱為載流子。在外電場作用下，載流子作定向運動，形成明顯的電流。不善於傳導電流的物質稱為絕緣體，絕緣體又稱為電介質。它們的電阻率極高。半導體是指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。

半導體材料的種類很多，按其化學成分可以分為元素半導體和化合物半導體；按其是否含有雜質，可以分為本徵半導體和雜質半導體；按其導電類型，可以分為N型半導體和P型半導體。此外，還有磁性半導體、壓電半導體、鐵電半導體、有機半導體、玻璃半導體、氣敏半導體等。
目前廣泛應用的半導體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產技術較成熟，用的也較多。

㈤ 半導體導電特性主要有哪些

半導體主要有三個特性，即光敏特性.熱敏特性和摻雜特性。所謂光敏特性是指某專些半導體受到強烈光屬芒照射時，其導電性能大大增強；光芒移開後，其導電性能大大減弱。所謂熱敏特性是指外界環境溫度升高時，半導體的導電性能也隨著溫度的升高而增強。所謂摻雜特性是指在純凈的半導體中，如果摻入極微量的雜質可使其導電性能劇增。

㈥ 半導體有哪些

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

(6)純凈半導體導電的有哪些擴展閱讀：

發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

㈦ 半導體的導電特性有哪些，並簡要解釋

半導體的導電特性
自然界的各種物質就其導電性能來說，可以分為導體、絕緣體和半導體三大類。
半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺等，它們的電阻率通常在之間。半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質（如磷）後，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在於半導體原子結構的特殊性。
1.1.1本徵半導體

(a)鍺Ge (b)硅Si
圖1.1.1 鍺和硅原子結構
常用的半導體材料是單晶硅（Si）和單晶鍺（Ge）。所謂單晶，是指整塊晶體中的原子按一定規則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導體稱為本徵半導體。
1.本徵半導體的原子結構
半導體鍺和硅都是四價元素，其原子結構示意圖如圖1.1.1所示。它們的最外層都有4個電子，帶4個單位負電荷。通常把原子核和內層電子看作一個整體，稱為慣性核。慣性核帶有4個單位正電荷，最外層有4個價電子帶有4個單位負電荷，因此，整個原子為電中性。
2.本徵激發
在本徵半導體的晶體結構中，每一個原子與相鄰的四個原子結合。每一個原子的價電子與另一個原子的一個價電子組成一個電子對。這對價電子是每兩個相鄰原子共有的，它們把相鄰原子結合在一起，構成所謂共價鍵的結構，如圖1.1.2所示。

圖1.1.2 本徵硅共價鍵結構
一般來說，共價鍵中的價電子不完全象絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量（如光照、升溫、電磁場激發等），一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子，將這種物理現象稱作為本徵激發。
理論和實驗表明：在常溫（T＝300K）下，硅共價鍵中的價電子只要獲得大於電離能EG（＝1.1eV）的能量便可激發成為自由電子。本徵鍺的電離能更小，只有0.72eV。
當共價鍵中的一個價電子受激發掙脫原子核的束縛成為自由電子的同時，在共價鍵中便留下了一個空位子，稱「空穴」。當空穴出現時，相鄰原子的價電子比較容易離開它所在的共價鍵而填補到這個空穴中來使該價電子原來所在共價鍵中出現一個新的空穴，這個空穴又可能被相鄰原子的價電子填補，再出現新的空穴。價電子填補空穴的這種運動無論在形式上還是效果上都相當於帶正電荷的空穴在運動，且運動方向與價電子運動方向相反。為了區別於自由電子的運動，把這種運動稱為空穴運動，並把空穴看成是一種帶正電荷的載流子。
在本徵半導體內部自由電子與空穴總是成對出現的，因此將它們稱作為電子-空穴對。當自由電子在運動過程中遇到空穴時可能會填充進去從而恢復一個共價鍵，與此同時消失一個「電子-空穴」對，這一相反過程稱為復合。
在一定溫度條件下，產生的「電子—空穴對」和復合的「電子—空穴對」數量相等時，形成相對平衡，這種相對平衡屬於動態平衡，達到動態平衡時，「電子-空穴對」維持一定的數目。
可見，在半導體中存在著自由電子和空穴兩種載流子，而金屬導體中只有自由電子一種載流子，這也是半導體與導體導電方式的不同之處。http://ic.big-bit.com/

㈧ 半導體有哪些導電的離子

半導體，指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。
半導體中的載流子（導電粒子）有兩種：
電子和空穴.
電子帶負電,空穴帶正電

㈨ 是不是在純凈的半導體中加入任何雜質，它的導電能力都可以增加

一、半導體基本概念
1、半導體及其導電性能
根據物體的導電能力的不同，電工材料可分為三類：導體、半導體和絕緣體。
半導體可以定義為導電性能介於導體和絕緣體之間的電工材料，半導體的電阻率為10-3～10-9 ??cm。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。
半導體的導電能力在不同的條件下有很大的差別：當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化；往純凈的半導體中摻入某些特定的雜質元素時，會使它的導電能力具有可控性，這些特殊的性質決定了半導體可以製成各種器件。 2、本徵半導體的結構及其導電性能
本徵半導體是純凈的、沒有結構缺陷的半導體單晶。製造半導體器件的半導體材料的純度要達到99.9999999%，常稱為「九個9」，它在物理結構上為共價鍵、呈單晶體形態。在熱力學溫度零度和沒有外界激發時，本徵半導體不導電。 3、半導體的本徵激發與復合現象
當導體處於熱力學溫度0 K時，導體中沒有自由電子。當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛而參與導電，成為自由電子。這一現象稱為本徵激發（也稱熱激發）。因熱激發而出現的自由電子和空穴是同時成對出現的，稱為電子空穴對。
游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為復合。 在一定溫度下本徵激發和復合會達到動態平衡，此時，載流子濃度一定，且自由電子數和空穴數相等。 4、半導體的導電機理
自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動也可形成空穴電流，因此，在半導體中有自由電子和空穴兩種承載電流的粒子（即載流子），這是半導體的特殊性質。空穴導電的實質是:相鄰原子中的價電子（共價鍵中的束縛電子）依次填補空穴而形成電流。由於電子帶負電，而電子的運動與空穴的運動方向相反，因此認為空穴帶正電。

5、雜質半導體
摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。雜質半導體是半導體器件的基本材料。在本徵半導體中摻入五價元素（如磷），就形成N型（電子型）半導體；摻入三價元素（如硼、鎵、銦等）就形成P型（空穴型）半導體。雜質半導體的導電性能與其摻雜濃度和溫度有關，摻雜濃度越大、溫度越高，其導電能力越強。
在N型半導體中，電子是多數載流子，空穴是少數載流子。
多子（自由電子）的數量＝正離子數＋少子（空穴）的

數量
在P型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。
多子（空穴）的數量＝負離子數＋少子（自由電子）的
數量