半導體pn型怎麼判斷

① 半導體pn型的測定有幾種方法

通常是用霍爾效應來測量。霍爾效應是指在磁場中，通電導體會回出現橫向電壓的現象，詳答細可以到網路去查。
多子為電子的n型和多子為空穴的p型半導體，由於載流子的正負屬性不同，會使橫向電壓方向不同，從而可以測出類型。

② 怎樣判斷半導體是N型還是P型具體闡述。謝謝～

用霍爾效應：兩端通電，在內部會形成穩定電流，但在半導體的上下表面是沒有電位差的；然後在半導體的兩個對面的側，加一個面磁場，這個時候在半導體另兩個側面上會形成電勢差（因為內部的載流子在磁場作用下發生了偏轉）。

因為N型半導體載流子是電子，故根據電流的方向和兩個側面的電位高低就可以進行判斷。

如果條件允許，找一個摻雜已知的半導體，然後把他們粘到一起，組成個整體結，分別測兩端電流導通情況，如果出現不能導通情況，則說明未知的和已知的相反，如果都導通，則相同。

當電流垂直於外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應使用左手定則判斷。

(2)半導體pn型怎麼判斷擴展閱讀：

在半導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得半導體中的電子與空穴受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場。

電場力與洛倫茲力產生平衡之後，不再聚集，此時電場將會使後來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力，使得後來的電子和空穴能順利通過不會偏移。

固體材料中的載流子在外加磁場中運動時，因為受到洛侖茲力的作用而使軌跡發生偏移，並在材料兩側產生電荷積累，形成垂直於電流方向的電場，最終使載流子受到的洛侖茲力與電場斥力相平衡，從而在兩側建立起一個穩定的電勢差即霍爾電壓。

正交電場和電流強度與磁場強度的乘積之比就是霍爾系數。平行電場和電流強度之比就是電阻率。大量的研究揭示：參加材料導電過程的不僅有帶負電的電子，還有帶正電的空穴。

③ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(3)半導體pn型怎麼判斷擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

④ 如何用霍爾效應判斷n型半導體和p型半導體

根據霍爾效應原理，在滿足電流方向垂直於與磁場線方向，載流子會受洛倫茲力回的影響，（洛倫茲力答的方向都垂直於電流，電場力的方向，且方向由左手定則判斷，左力右電吧這個方法），故在這兩個相反的方向的面上，會形成霍爾電壓。若載流子帶正電荷，則為p型半導體（空穴型），若為負電荷，則為n型半導體（電子型）。

⑤ 半導體三極體如何判斷是PNP型還是NPN型

三極體的測量

1、三極體管腳極性的識別
多數小功率三極體的管腳是等腰三角形排列，其頂點是基極，左邊是發射極，右邊是集電極。有的是從管底看，由管帽突出處順時針排列為發射極，基極，集電極。有的管型用管帽色點或者管腳塑料護套顏色來標明極性的，紅色為集電極，綠色為發射極，白色是基極。有的管型管腳是一字形排列，用集電極管腳較短，或者集電極與其它極距離最遠來區別電極，中間是基極，另一個腳是發射極。大功率管一般直接用外殼做集電極引出端。有的在較高頻率工作的三極體，為了屏蔽高頻電磁干擾，管殼用一支腳引出，以准備接地或者接零，符合為d，從管底看，由管殼邊凸出處順時針依次是發射極，基極，集電極，管殼引線。大部分國產硅酮塑封三極體，從正對截角或剖去平面的方向看，從左到右依次是發射極，基極，集電極。超小型三極體將截角的管腳焊片定為發射極，對面是腳是基極，垂直的第三個腳是集電極。另外一種半球形超小型三極體，將球面朝上，從左到右，依次是基極，集電極，發射極。
2、三極體用萬用表測量管腳極性
/用萬用表R×100或者R×1K檔分別測量各管腳間電阻，必有一隻腳對其它兩腳電阻值相似，那麼這只腳是基極，如果紅表筆（正表筆）接基極，測得與其它兩腳電阻都小，那麼這只管子是PNP管。如果測得電阻很大，那麼這個管子是NPN管。找到基極後，分別測基極對其餘兩腳的正向電阻，其中阻值稍小的那個是集電極，另外一個是發射極，這是因為集電結較大，正偏導通電流也較大，所以電阻稍小一點。
3、三極體好壞大致判斷
利用三極體內PN結的單向導電性，檢查各極間PN結的正反向電阻，如果相差較大說明管子是好的，如果正反向電阻都大，說明管子內部有斷路或者PN結性能不好。如果正反向電阻都小，說明管子極間短路或者擊穿了

⑥ 怎麼用霍爾法判斷N型半導體和P型半導體

當Is與Im都為正值時，霍爾電壓Vh為正則為p型。為負是n型

霍爾效應可以測定載流子濃專度及載流子遷移率等重要屬參數，以及判斷材料的導電類型，是研究半導體材料的重要手段。

還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調制、放大。用霍爾效應製作的感測器。

(6)半導體pn型怎麼判斷擴展閱讀：

在半導體中摻入施主雜質，就得到N型半導體；在半導體中摻入受主雜質，就得到P型半導體。由P型半導體或N型半導體單體構成的產品有熱敏電阻器、壓敏電阻器等電阻體。由P型與N型半導體結合而構成的單結半導體元件，最常見的是二極體；此外，FET也是單結元件。