摻雜半導體有哪些類型怎麼想

㈠ 半導體摻雜有什麼作用

半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學性能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。

純正的半導體是靠本徵激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本徵激發外產生其他的載流子。

半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高溫（熱）擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類：第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質（如Si中的B、P、As）；第二類是產生復合中心的重金屬雜質（如Si中的Au）。

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摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本徵半導體的能隙之間會出現不同的能階。施體原子會在靠近導帶的地方產生一個新的能階，而受體原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。假設摻雜硼原子進入硅，則因為硼的能階到硅的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠小於硅本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到硅里的硼原子完全解離化。

摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個p-n結的能帶會彎折，起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各不相同，但是形成p-n結後其費米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導體的導帶或價帶都會被彎曲以配合界面處的能帶差異。

㈡ 半導體工藝中摻雜方式有那些詳細些謝謝

現在主要應用離子注入技術
離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一內種材料表面改性高新技容術。其基本原理是：用能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發生一系列物理的和化學的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最後停留在材料中，並引起材料表面成分、結構和性能發生變化，從而優化材料表面性能，或獲得某些新的優異性能。此項高新技術由於其獨特而突出的優點，已經在半導體材料摻雜，金屬、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上獲得了極為廣泛的應用，取得了巨大的經濟效益和社會效益。

其它摻雜大多是在半導體生長過程中加入的
比如拉制GaAs單晶過程中摻入Si

㈢ 半導體工藝中，摻雜有哪幾種方式

很多種，擴散啊，離子注入啊，你去找找半導體工藝的書看吧，很詳細的

㈣ 什麼叫半導體的輕摻雜、中摻雜和重摻雜

就是在四價的半導體內加入導電的元素，比如在硅，鍺中加入三價的硼或者五價的磷等來提高導電性，加入的愈多，半導體材料的導電性越強。以加入的比例不同分為輕摻雜、中摻雜和重摻雜。

㈤ 雜質半導體有幾種類型

沒有摻雜的半導體稱為本徵半導體，摻有雜質的半導體稱為雜質半導體。
雜質半導內體：一種是摻有施主容雜質的n型半導體，一種是摻有受主雜質的p型半導體，還有一種是既摻有施主雜質、又摻有受主雜質的補償型半導體——這種半導體雖然摻入了大量雜質，但是它的電導率很低，類似於本徵半導體。
至於摻有非施主和非受主雜質的半導體，一般不稱為雜質半導體，因為這種半導體的電導率很低，很難實現半導體器件的功能，除非特殊需要，這種半導體一般不用。

㈥ 輕摻雜中摻雜的半導體材料應用有哪些

半導體材料主要做半導體器件,構成電路,有的還可以做成發光的LED
輕摻雜和重摻雜一般專同時出現在一個器件里屬的,因為輕重摻雜的費米能級不一樣,所以設計器件的時候有的時候把相同的半導體材料摻雜到不同的濃度實現功能
單獨問輕摻雜應用沒法回答

㈦ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

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半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

㈧ 什麼叫半導體摻雜技術

什麼是摻雜半導體？

相對而言，本徵半導體中載流子數目極少，導電能力仍然很低。但版如果在其中摻入微量權的雜質，所形成的雜質半導體的導電性能將大大增強。由於摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為N型和P型兩大類。
N型半導體中摻入的雜質為磷或其他五價元素，磷原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，多餘的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子，於是半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子成為多數載流子，空穴則成為少數載流子。
P型半導體中摻入的雜質為硼或其他三價元素，硼原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，將因缺少一個價電子而形成一個空穴，於是半導體中的空穴數目大量增加，空穴成為多數載流子，而自由電子則成為少數載流子。
注意，不論是N型半導體還是P型半導體，雖然都有一種載流子佔多數，但整個晶體仍然是不帶電的。

㈨ 介紹下半導體的摻雜問題

不是所有的摻雜都是有效的，因為硅與磷硼的摻雜會有些失敗的部分專，磷硼沒有締屬結成四價鍵，而是三價，這時候還是不會導電，也不會有pn節。其實半導體摻雜是化學反應，不是簡單的混合，這種技術只有歐美有。當晶體管越來越小時，普通摻雜成功率越來越低，學學原子晶體，對半導體的認識會有收獲。此外，氮元素電負性太大，與硅摻雜無法形成四價，只能是三價鍵，不可以導電的。