半導體的容量怎麼算

1. 容量怎麼算

容積：是指容器所能容納物體的體積。
單位：固體的容積單位與體積單位相同，而液體和氣體的容積單位一般用升、毫升。
計算方法同體積。如：
V長方體=abc（長× 寬× 高)
V正方體=a^3(棱長× 棱長× 棱長）
V圓柱=sh
V圓錐=1/3sh
等等。

2. 10KV配電如何根據已知變壓器容量來計算熔斷器高壓熔絲

變壓器額定電流I=P/√3U，如100kVA，I=100/(√3×10)=5.77A。

100kVA以下的變壓器，按額定電流的2～3倍，且不應小於10A（考慮機械強度）。

100kVA及以上的變壓器，按額定電流的1.5～2倍。

熔斷器是根據電流超過規定值一段時間後，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理製成的一種電流保護器。

熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用於機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大，可用於電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護。

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在變壓器銘牌上規定的容量就是額定容量，它是指分接開關位於主分接，是額定空載電壓、額定電流與相應的相系數的乘積。對三相變壓器而言，額定容量等於=3×額定相電壓×相電流，額定容量一般以kVA或MVA表示。

由於半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。

將熔體裝在由固體產氣材料製成的絕緣管內。固體產氣材料可採用電工反白紙板或有機玻璃材料等。當短路電流通過熔體時，熔體隨即熔斷產生電弧，高溫電弧使固體產氣材料迅速分解產生大量高壓氣體，從而將電離的氣體帶電弧在管子兩端噴出，發出極大的聲光，並在交流電流過零時熄滅電弧而分斷電流。

絕緣管通常裝在一個絕緣支架上，組成熔斷器整體。有時絕緣管上端做成可活動式，在分斷電流後隨即脫開而跌落，此種噴射式熔斷器俗稱跌落熔斷器。一般適用於電壓高於6千伏的戶外場合。

3. 容量怎麼計算

蓄電池容量的計算方法
蓄電池的容量必須是以所定的電壓、所定的時間可向負載提供的容量。
以下就容量計算方法進行說明。
1、 計算容量的必要條件
A、 放電電流
有必要明確放電過程中負載電流的增減變化和其隨時間變化情況。
B、 放電時間
可預期的負載的最大時間。
C、 最低蓄電池溫度
預先推定蓄電池放置場所的溫度條件，決定蓄電池溫度最低值。一般設置在室內時為50C，設置在特別寒冷地區室內時為-50C。用空調保證室內溫度時按實際溫度作為最低溫度。
D、 允許的最低電壓
單格允許的最低電壓（V/單格）=（負載所允許的最低電壓+導線的電壓損失）/串聯格數
2、 容量的計算公式
C= 1*[K1I1+K2（I2-I1）、、、KN（IN-IN-1）]/L
C：250C的額定放電率換算容量（AH）、、UXL電池是10HR容量。
L：對因維護系數、使用年數、使用條件的變化而引起的容量變化而使用
的修正值。一般L值採用0.8。
K：由放電時間T、電池的最低使用溫度、允許的最低電壓而決定的容量
換算時間。
I： 放電電流
下標1、2、、、、N：按放電電流變化順序依次加給T、K、I
3、 容量的計算舉例
A、 放電電流 140A（一定）
B、 放電時間 30分
C、 最低蓄電池溫度 -550C
D、 允許的最低電壓 1.6V/單格
按上述條件，從圖-11得出K=1.1
C= 1 X1.1X140=192（AH/10HR）/0.8
所以，可使用UXL220-2。

4. 晶元存儲容量計算

晶元容量=2的地址線位數次方 乘以 數據線位數

比如地址線8位，數據線4位 晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位

5. 電容量怎麼算

電容器補償容量的大小，取決於電力負荷的大小和功率因數的高低。
補償容量計算：Q=P(tgφ1-tgφ2)
Q為補償容量，千乏；
P為平均有功負荷，千瓦；
tgφ1補償前功率因數的正切值；
tgφ2補償後功率因數的正切值；
例： 某用戶的有功負荷為150千瓦，補償前功率因數為0.6，現想將功率因數提高到0.88，試計算需要裝設多大補償容量的電容器？
解：查三角函數得：當cosφ=0.6時，tgφ=1.33；cosφ=0.88時，tgφ=0.53。
代入公式得
Q=150×(1.33-0.53)=150×0.8=120千乏
因此需要裝設補償容量為120千乏的電容器

6. 晶元存儲容量怎麼算

是1000進制，一般計算機用的是1024進制，所以存儲容量越大算出來的相差的越多……

7. 容量怎麼計算

1k=1024b
1m=1024k
1g=1024m
1t=1024g

8. 如圖1所示，請回答以下問題：通常半導體存儲器晶元的存儲容量如何表示圖中存儲器晶元的容量是多少

用字數位數表示，以位為單位。也可以用位元組數表示容量。
8位數據匯流排，所以用位元組表示比較方便。12位地址匯流排=2^12=4K
地址范圍：0x000 ~0x3FF
所以存儲容量為4K位元組。
雙解碼方式，適用於存儲容量較大、存儲單元較多的情況下。

9. 半導體ND如何計算.......... '............................

問題一
首先摻雜後的半導體中一共有四種帶點體，
帶正電荷的有：1.失去一個電子內後帶正電容的磷原子，即正電中心，2.正電空穴。
所以正電荷濃度為：ND+P
帶負電荷的有：1.得到一個電子後帶負電荷的彭原子，即負電中心，2.負電子。
所以負電荷濃度為：NA+N
樓主給的公式等價於：ND + P = NA + N
即整個半導體內部的正電荷濃度等於負電荷濃度，所以電中性。
問題二
至於NP=Ni^2,這個問題涉及到半導體內部電子，空穴濃度計算公式和費米能級的問題，需要經過一定推到，由於公式不太好些，我就不寫了，樓主可查看國防工業出版社劉恩科寫的《半導體物理學》第63頁面，推到不難，樓主自己看看吧！
望有助於樓主！