哪些半導體屬於n型半導體

① 什麼是n型半導體什麼是p型半導體它們是怎樣形成的幫我回答，謝謝。

N型半導體：也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

P型半導體：也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

(1)哪些半導體屬於n型半導體擴展閱讀

在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由於銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

② 請問一下各位大神什麼才算N型半導體，與P型半導體的區別

N型的自由電子多，P型的空位多。所以電子從N到P，電流方向是p到N。除非電壓過大（大於擊穿電壓），否則電流不能從N到P傳播。要更具體可以去網路，望採納

③ 什麼是n型半導體

在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質內可構成多餘殼粒的容N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ）

多子與少子是相對概念。
如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。
----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

④ 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑤ 什麼是N型半導體 什麼是P型半導體

在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ） 多子與少子是相對概念。 如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。 ----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

⑥ 哪些是常見的N型、及P型半導體材料

象鍺,硅,砷化鎵都是半導體材料,
象硅在注入離子時,所注入的離子將決定了他的N型還是P型
以為所注入的離子決定了他是電子導電還是空穴導電

⑦ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(7)哪些半導體屬於n型半導體擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路