半導體為什麼是電中性

Ⅰ 為什麼說電子是電中性的

1個電子帶1個負電荷，1個質子帶1個正電荷，在原子里，質子數等於核外電子數，就是說有多少負電荷就有多少正電荷和它中和電荷，所以應該說是原子呈電中性。
你記錯了。

Ⅱ N型半導體和P型半導體為什麼呈電中性

主要空穴說空穴導電呢像看篇資料說電束縛p表示電意思種半導體參與導電回主要帶電空穴些空穴答自於半導體受主雜質所謂受主雜質摻入雜質能夠接受半導體價電產同數量空穴改變半導體導電性能例半導體鍺硅三價元素硼、銦、鎵等原都受主某半導體雜質總量受主雜質數量占數則半導體p型半導體單晶硅摻入三價硼原則硼原與硅原組共價鍵由於硼原數目比硅原要少整晶體結構基本變某些位置硅原硼原所代替硼三價元素外層三價電所與硅原組共價鍵自形空穴摻入硼雜質每原都能提供空穴使硅單晶空穴載流數目增加種半導體內幾乎沒自由電主要靠空穴導電所叫做空穴半導體簡稱p型半導體～～～～～～～否理解P型半導體電束縛N型電比較容易脫離所形PN結

Ⅲ N型半導體本身是帶負電還是電中性的

半導體復內還有不可移動的電制荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了；在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。

半導體是中性物。在激發態才是P型半導體，也叫空穴半導體，在硅中摻雜了3價的鋁元素，與周圍硅4價形成共價結合，缺一個電子，形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。

N型半導體，也叫電子半導體，在硅中摻雜5價磷，和硅4價，結合共價後，多一個自由電子。當PN結組合形成二極體結構，就利用PN結的特性。

(3)半導體為什麼是電中性擴展閱讀：

n型半導體是裡面加了一些帶自由電子的原子參雜，是穩態的，這些電子雖然比空穴多，但是受核子的束縛。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

Ⅳ 耗盡層外的半導體為何是電中性的

pn結中，以耗盡層外的n型半導體側為例，半導體中的自由電子（負電）與電離施主（正電）濃度是一樣的，所以是中性的。

Ⅳ 請問pn結產生原理，我看了書很多天不能理解，半導體裡面所有原子都是電中性，不管怎麼混在一起也是電中

以良好的半導來體材自料硅硼磷為例來解釋。這里要用到化學方面的共價鍵的知識，4價的硅和3價的硼形成共價鍵的時候（N區）會多出一個電子,而和5價的磷形成共價鍵的時候,會產生一個空穴即少一個電子（P區）；這時,由於電子的密度不一致,會使電子的運動方向由高密度指向低密度,這是外加的電勢引起的電子運動。
可以比喻成河流的上游水多下游水少，再考慮上游比下游高，上游水勢能大於下游，水自然就向下游流，可能不太恰當，但大概的意思類似。

Ⅵ P型/N型半導體為什麼呈電中性

這是由於半導體和摻入的微量元素都是電中性的，而摻雜過程中既不喪失電荷又不從外界得到電荷，只是在半導體中出現了大量可運動的電子或空穴，並沒有破壞整個半導體內正負電荷的平衡狀態。

Ⅶ P型半導體和N型半導體為什麼是呈電中性

晶體管中加入了微量元素，會破壞原晶體內的電位平衡，在晶體內部產生空版穴和電子的對流，但是記住，權這是在半導體內部產生這種對流，進而產生內電場，生成電位差。但對於整個的晶體來說，中和一個電子必佔用一個空穴 ，因此在晶體的內部電子和空穴的數目始終是相等的，不帶電，因此呈電中性。不要把它的導電性和帶電混淆了 呵呵

Ⅷ p型半導體本身是帶正電，還是電中性，為什麼

無論是P型半導體，還是N型半導體，其本身是不帶正負電的。都是電中性。回因為，P型半導體是指答空穴大於自由電子濃度材料，N型半導體正相反。而真正帶電極性是由空穴或自由電子誰多誰少決定的。空穴大於自由電子濃度的，就呈現正電性，自由電子大於空穴濃度的，就呈現負電極性。

Ⅸ 問個問題，P型半導體為什麼是電中性而PN結為什麼不是電中性呢 P型半導體是正離子和負離子的正負電荷量相等

PN結的陰陽離子是分開的

Ⅹ n型半導體本身是帶負電,還是電中性的為什麼

半導體內還有不可移動的電荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了2.在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。