p型和n型半導體的多數載流子分別是什麼

『壹』 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

『貳』 本徵半導體,p型半導體和n型半導體內部載流子情況的異同

征半導體，純凈的半導體內部電子載流子和空穴載流子濃度相等。
p型半內導體，本徵半導體摻入三容價元素組成，內部空穴是多數載流子，電子是少數載流子。
n型半導體，本徵半導體摻入五價元素組成，內部電子是多數載流子，空穴是少數載流子。

『叄』 N型半導體的多數載流子和少數載流子是什麼

N型半導體的多數載流子是自由電子，少數載流子是空穴。
因為N型半導體回是在本徵半導體中參入了5價元素的答雜質砷(As)，每個砷(As)原子有一個價電子不參與共價鍵，這個過剩的價電子能很容易逃脫原子的束縛而自由移動。這種由雜質提供的價電子就成為N型半導體的多數載流子。

『肆』 N型半導體和P型半導體中的多子和少子分別是什麼 分別依靠哪種載流子導電

N型半導體的多子是電子,少子是空穴
P型半導體的多子是空穴,少子是電子

『伍』 P型雜質半導體中，多數載流子是什麼

空穴。

『陸』 簡述N型半導體與P型半導體的形成過程並指出多子與少子各是什麼

在半來導體材料硅或鍺晶體中摻入源三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ）

多子與少子是相對概念。
如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。
----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

『柒』 n型半導體和p型半導體中的多數載流子和少數的載流子是怎樣產生的它的數量各由什麼因數控制（那個大

以n型半導體為例，其中的多數載流子電子是由於在半導體中摻雜N型雜質（專例如磷、砷、銻等）產生的。摻屬入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子（多子）主要由雜質原子提供，空穴（少子）由熱激發形成。p型半導體剛好相反。

『捌』 N型半導體的多數載流子是電子，而P型半導體是空穴。所以說N型半導體帶負電，P型帶正電，對嗎

不對，載流子指可移動的電荷，半導體內還有不可移動的電荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了

還有空穴是一個概念性的東西，實際是不存在的。

『玖』 如何理解P型半導體和N型半導體中的多數載流子，物質不是電中性的嗎

金屬是導電的，但是在沒有外加電場的情況下是電中性的，這是因為載流子內能夠導體容和半導體中自由移動，而沒有外加電場是不會移動的，因此無外加電場的情況下半導體是電中性的。
p型半導體由於硼與Si之間少一個成鍵電子，Si會有個懸掛鍵，這就像一個電子空位，電子會填充這個空位，而電子填充的作用可以等效為空位在半導體中的移動。當外電路提供電子時，半導體p型摻雜越大，半導體內空位越多，電子填充作用越明顯，等效為空穴電流就越大。關於空穴導電的問題我在另一個回答中也有說明，你可以看看。http://..com/question/1046379319820072659.html?oldq=1