本徵半導體的電子是由什麼產生的

A. 本徵半導體與參雜半導體有什麼不同

本徵半導體費米能級位於導帶底和價帶頂之間的中線上，導帶中的自由電子和價回帶中的空穴均很少，答因此常溫下導電能力低，但在光和熱的激勵下導電能力增強。

n型摻雜半導體的費米能級接近導帶底，導帶中的自由電子數高於本徵半導體，導電能力隨摻雜濃度提高而增強，屬於電子導電為主的半導體。

p型摻雜半導體的費米能級接近價帶頂，價帶中的空穴數高於本徵半導體，導電能力隨摻雜濃度提高而增強，屬於空穴導電為主的半導體。

B. n型半導體是在本徵半導體中摻入什麼形成的

1、N型半導體是復在本徵半導體中制加入以下物質後形成的（ D ）
A 電子 B 空穴 C 三價硼元素 D 五價磷元素
N：negative（負）的簡稱.N型半導體是加入了5價元素,使得半導體中的多子為電子,帶負電,所以N型半導體由此而來
2、晶體三極體用於放大時,應使發射結、集電結處於（ A ）
A 發射結正偏、集電結反偏
B 發射結正偏、集電結正偏
C 發射結反偏、集電結正偏
D 發射結反偏、集電結反偏
3、某放大電路中,測得三極體的三個極靜態電位分別為5V,1.3V, 1V, 則這只三極體是（ B ）
A.NPN型的硅管 B.NPN型的鍺管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的鍺管
假定該管子為NPN型,由於是放大電路,那麼就是Ue

C. 本徵半導體是什麼

沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。更通俗地講，完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。
在絕對零度溫度下，半導體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論），受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶（conction band），價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子－空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，使電子－空穴對消失，稱為復合（recombination）。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子－空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。
本徵半導體特點：電子濃度＝空穴濃度
缺點：載流子少，導電性差，溫度穩定性差！

D. 什麼是本徵半導體

本徵半導體

完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。

1．半導體中的兩種載流子—自由電子和空穴

在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導體是不能導電的。但是，當半導體的溫度升高（例如室溫300oK）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數量的空穴，如圖2—3（a）所示。空穴是半導體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發產生的這種躍遷過程稱為本徵激發。顯然，本徵激發所產生的自由電子和空穴數目是相同的。
由於空穴的存在，臨近共價鍵中的價電子很容易跳過去填補這個空穴，從而使空穴轉移到臨近的共價鍵中去，而後，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這一過程持續下去，就相當於空穴在運動。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動與帶正電荷的粒子作反方向運動的效果相同，因此我們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導體中存在兩種載流子，即帶電荷+q的空穴和帶電荷–q的自由電子。
在沒有外加電場作用時，載流子的運動是無規則的，沒有定向運動，所以形不成電流。在外加電場作用下，自由電子將產生逆電場方向的運動，形成電子電流，同時價電子也將逆電場方向依次填補空穴，其導電作用就像空穴沿電場運動一樣，形成空穴電流。雖然在同樣的電場作用下，電子和空穴的運動方向相反，但由於電子和空穴所帶電荷相反，因而形成的電流是相加的，即順著電場方向形成電子和空穴兩種漂移電流。

E. 本徵半導體內部產生電子空穴數量是

給我加分啊，朋友，加了給你解釋啊，呵呵

F. 什麼是本徵半導體

本徵半導體是一種理想的狀態
定義為：完全沒有摻雜並且沒有缺陷的純凈的半導版體稱為本證半權導體
這種半導體在實際中是難以達到的，純凈度方面，雜質是很難避免的，無論再怎麼樣提純也都只能增加99.999%小數點後面的9，缺陷方面，在材料形成的過程中，無論是點缺陷，線缺陷，面缺陷還是體缺陷，都會或多或少存在於晶格結構之內。

G. 半導體的原理是什麼

原理：

在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶（見能帶理論），受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電並不是實際運動，而是一種等效。

電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。

復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子- 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子- 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。

(7)本徵半導體的電子是由什麼產生的擴展閱讀：

半導體的應用

一、在無線電收音機（Radio）及電視機（Television）中，作為「訊號放大器/整流器」用。

二、發展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。

三、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的准確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

四、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應。

H. 什麼是本徵半導體

本徵導電
在絕對零度溫度下，半導體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論）

，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶（conction band），價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。在本徵半導體中，這兩種載流子的濃度是相等的。隨著溫度的升高，其濃度基本上是按指數規律增長的。
復合
導帶中的電子會落入空穴，使電子－空穴對消失，稱為復合（recombination）。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子－空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。
特點
本徵半導體特點：電子濃度=空穴濃度（摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以具有本徵半導體特點。）
缺點
缺點：載流子少，導電性差，溫度穩定性差！

I. 本徵半導體中的自由電子和空穴總是成對消失的 是否正確

正確 ，在本徵半導體中，這兩種載流子是相等的，動態平衡。

J. 本徵半導體中的電子空穴為什麼成對產生

既然是本徵半導體，那麼內部就是載流子平衡的。不帶有任何正負電。電子和空穴專個數是相等屬的。
在實際中，是不存在空穴的，空穴產生的原因是由於該處的電子脫離該位置，相當於該處缺少一個電子，為了便於分析，我們就認為該處是空穴。形象的說 就是一個蘿卜一個坑，蘿卜是電子，坑就是空穴。所以電子脫離原子束縛成為自由電子後，就產生一個空穴，因此是成對出現的。