P型半導體的P怎麼解

A. P型半導體的P是什麼的縮寫 N型呢。

分別是positive和negative的縮寫，表示了半導體內多空穴還是多電子

B. p 型半導體的空穴是什麼怎麼理解

p 型半導體的空穴是電子讓出的位子，理解成電路們「玩大風吹」是成型的關鍵。

C. 關於P型半導體的問題

是你的假設問題，在同一個P型矽片中，3個空穴與5個空穴相比，空穴的濃度是不一樣的，所以導電性也不一樣。或者說，5個空穴允許電子流過的能力，要比3個空穴強一些。

D. 我想請教各位高手。前輩。p型半導體是如何導電的就是用導線把電源直接連接一塊p型半導體、p半導體怎麼導

是！你的理解很正確，尤其對空穴電流的理解。
看到P型半導體、空穴電流，就知道你正在學習電子技術的半導體材料這部分知識。
關於你以上的問題，我做點補充，看是否能讓你滿意。也不說其他的，以免你眼花繚亂。
1。我們都知道，通過在純凈半導體內摻入不同的雜質，得到了P型半導體和N型半導體。對於P型半導體，多數載流子是空穴，在沒有電流流過的時候也不斷有電子和空穴進行結合和分離，並且結合和分離的速度相等，空穴的密度保持不變。
2.。當有電流流過時電子和空穴結合和分離的速度會有所加快，但分離和結合的速度依然相等，空穴的密度也不變，只是從一個端面流入的電子與從另一個端面流出的電子數量相等，這流進流出的電子恰是你說的由電源的負極來提供的，即是流過半導體的電流。
閑言少敘，祝你學習進步，早日成為電子行業的精英！

E. P型和N型半導體的P型半導體

如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素──受主雜質，例如硼或銦，它們的回價電子帶都只有三個電答子，並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中，由於失去了電子而產生了一個正離子，因為這對於其它電子而言是個「空位」，所以通常把它叫做「空穴」，而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的，因而在這種情況下電子是「少數載流子」。如圖1所示。

F. P型半導體和N型半導體是怎麼得來的

先介紹本真半導體

本真半導體就是純凈的硅或者鍺形成的半導體，但是這類半導體沒多大用，因為其載流子濃度低，導電能力很差（其導電能力其實是由電子-空穴對表現出來的，電子離開原來的位置後，原來的位置就成為了空穴），於是人們就想出了參雜。

如果往硅裡面參雜3價元素硼，那麼可以得到P型半導體，這是為什麼呢？

記住參雜的是原子，整塊材料是電中性的。當參雜磷原子進去時，磷是元素周期表中15號元素，外圍5個電子，而硅外圍4個電子，但是磷只能和硅形成4個共價鍵。這就導致了還剩一個磷的電子落單，它很不穩定，動不動就離家出走，留下空穴。每參雜一個磷原子，便會有一個單身磷電子（對，就是這么可憐），所以整塊材料中電子成為多數，空穴成為少數（空穴只在電子離家出走的時候形成），電子為多數載流子就叫N（negetive)型半導體.

反之，你可以類比P（positive )型半導體.

G. p型半導體彩圖請解釋

選D
P型半導體的P是 Postive的意思，意思是載流子的帶電性，空穴帶正電。
因為多子為回空穴，所以需要摻雜，使得雜質答獲得電子，與Si形成4電子穩定型。（雜質與Si共用電子）。從而多於的空穴作為載流子存在於半導體中。

H. 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(8)P型半導體的P怎麼解擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路