半導體導帶與價帶怎麼計算
⑴ 求一些化合物半導體的能帶參數：CuS,CdS的價帶導帶具體多少電子伏特，可以發能帶圖。
這種半導體都是一種空間結果，化學式是最簡單的縮寫，不能反應該物質的本質的，所以談不上化學價！
⑵ 導帶的導帶與價帶的關系
對於未摻雜的本徵半導體，導帶中的電子是由它下面的一個能帶（即價帶）中的電子（價內電子）躍遷上來容而形成的，這種產生電子（同時也產生空穴——半導體的另外一種載流子）的過程，稱為本徵激發。在本徵激發過程中，電子和空穴是成對產生的，則總是有「電子濃度=空穴濃度」。這實際上就是本徵半導體的特徵，因此可以說，凡是兩種載流子濃度相等的半導體，就是本徵半導體。這就意味著，不僅未摻雜的半導體是本徵半導體，就是摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以轉變為本徵半導體。
價帶的能量低於導帶，它也是由許多准連續的能級組成的。但是價帶中的許多電子（價電子）並不能導電，而少量的價電子空位——空穴才能導電，故稱空穴是載流子。空穴的最低能量——勢能，也就是價帶頂，通常空穴就處於價帶頂附近。
價帶頂與導帶底之間的能量差，就是所謂半導體的禁帶寬度。這就是產生本徵激發所需要的最小平均能量。這是半導體最重要的一個特徵參量。
對於摻雜半導體，電子和空穴大多數是由雜質來提供的。能夠提供電子的雜質稱為施主；能夠提供空穴的雜質稱為受主。施主的能級處在靠近導帶底的禁帶中；受主的能級處在靠近價帶頂的禁帶中。
⑶ 如何測量半導體納米材料的價帶與導帶
測量禁帶寬度
方法 1：利用紫外可見漫反射測量中的吸光度與波長數據作圖，利用截線法做出吸收波長閾值 λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 計算禁帶寬度。
方法 2：利用 (Ahν)2 對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。也可利用(Ahν)0.5對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。前者為間接半導體禁帶寬度值，後者為直接半導體禁帶寬度值。 A (Absorbance) 即為紫外可見漫反射中的吸光度。
方法 3：利用 (αhν)2 對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。也可利用(αhν)0.5對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。前者為間接半導體禁帶寬度值，後者為直接半導體禁帶寬度值。 α (Absorption Coefficient ) 即為紫外可見漫反射中的吸收系數。α 與 A 成正比。
一般有兩種方法：
1、紫外-可見光譜測量材料的吸收邊和帶隙；
網路資料有很多。
2、電化學方法（循環伏安法）測定帶隙、HOMO/LUMO能級；
Ref：Adv. Mater. 2011, 23, 2367–2371
http://www.big-bit.com/news/
⑷ 半導體中的價電子佔有的能帶是價帶還是導帶
又是你啊．
應該是價帶吧,由於原子在緊密結合的時候,分裂的能級由專於軌道重疊,形成能帶.而價屬電子是半導體原子與周圍原子形成公價鍵時出現的.一般說,半導體導帶是空的,不象金屬是半滿的.費米能級在禁帶中,導帶中電子出現的概率極低.
應該這樣吧.
你是學電子的嗎?
⑸ 急求一些化合物半導體的導帶和價帶能級，比如ZnSe，CdSe，ZnS之類的
有一半書名好像是「新型半導體材料數據手冊」，翻譯的書籍，可以去找一找看。
⑹ 請問半導體材料裡面導帶和價帶的數值在什麼范圍內才是有物理意義的
(1)什麼叫半導體？導電性能介於導體與絕緣體之間的材料，叫做半導體．例如：鍺、硅、砷化回鎵等．半導體在科答學技術，工農業生產和生活中有著廣泛的應用．（例如：電視、半導體收音機、電子計算機等）這是什麼原因呢？下面介紹它所具有的特殊的電學性能．(2)半導體的一些電學特性①壓敏性：有的半導體在受到壓力後電阻發生較大的變化．用途：製成壓敏元件，接入電路，測出電流變化，以確定壓力的變化．②熱敏性：有的半導體在受熱後電阻隨溫度升高而迅速減小．用途：製成熱敏電阻，用來測量很小范圍內的溫度變化．
⑺ 討論由雜質向導帶提供電子和由價帶躍遷向導帶提供電子的區別和相同
對於未摻雜的本徵半導體，導帶中的電子是由它下面的一個能帶（即價帶）中的電子（價電子）躍遷上來而形成的，這種產生電子（同時也產生空穴——半導體的另外一種載流子）的過程，稱為本徵激發。在本徵激發過程中，電子和空穴是成對產生的，則總是有「電子濃度=空穴濃度」。這實際上就是本徵半導體的特徵，因此可以說，凡是兩種載流子濃度相等的半導體，就是本徵半導體。這就意味著，不僅未摻雜的半導體是本徵半導體，就是摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以轉變為本徵半導體。
價帶的能量低於導帶，它也是由許多准連續的能級組成的。但是價帶中的許多電子（價電子）並不能導電，而少量的價電子空位——空穴才能導電，故稱空穴是載流子。空穴的最低能量——勢能，也就是價帶頂，通常空穴就處於價帶頂附近。
價帶頂與導帶底之間的能量差，就是所謂半導體的禁帶寬度。這就是產生本徵激發所需要的最小平均能量。這是半導體最重要的一個特徵參量。
對於摻雜半導體，電子和空穴大多數是由雜質來提供的。能夠提供電子的雜質稱為施主；能夠提供空穴的雜質稱為受主。施主的能級處在靠近導帶底的禁帶中；受主的能級處在靠近價帶頂的禁帶中。
⑻ 導帶，價帶，禁帶是什麼理論，誰提出的
這個首先從量子力學的基本假設說起——不連續性可以推出原子外電子的在條件一定的情況下只能取到某些特定的能量，這就是能級：當體系中有很多個原子的時候，由於原子間的相互作用，原子的能級會發生移動。原本相同的一條能級變成了一組差別很小的能級，這就是能帶，也就是允帶。
由於能帶內不同能級的能量差別非常小，所以很多時候在能帶內可以忽略間隔，認為能量是連續的。由於能帶是由能級擴展而來，能帶和能級一樣，相互之間存在沒有能級的間隔，這個間隔就是禁帶，電子無法取到禁帶中的能量。
當原子處於基態的時候，它的所有電子從最低能級開始依次向上填充。對於半導體，電子剛好填充到某一個能帶滿了，下一個能帶全空。這些被填滿的能帶稱為滿帶，滿帶中能量最高的一條稱為價帶。由於電流的產生需要載流子發生定向運動，而價帶中電子已經占據了所有可能的能級，絕大多數電子相鄰位置上的態都已經被占據了，無法移動，所以價帶中的電子可以認為是不導電的。
對於半導體，能量最高的一個價帶，到能量更高的下一個能帶之間有一個禁帶，但是這個禁帶的寬度（能量）不是很大，所以有一些電子有機會躍遷到下一個能帶。由於這個能帶幾乎是空的，所以電子們躍遷到這個能帶之後就可以自由地奔跑，這個能帶就是導帶。（另外對於絕緣體，這個禁帶寬度太大，基本上不可能有電子躍遷過去。對於金屬，根本沒有禁帶，導帶和價帶直接重合了，既然最高的能帶本身就不滿那不需要躍遷就可以導電了。）
這些理論從《固體物理》、《半導體物理》都有詳細的介紹。理論是布洛赫和布里淵首先提出來的。
⑼ 能級圖的導帶和價帶分別是什麼
導帶是由自由電子形成的能量空間。即固體結構內自由運動的電子所 具有的能量專范圍。 對於屬金屬，所有價電子所處的能帶就是導帶。 對於半導體，所有價電子所處的能帶是價帶，比價帶能量更高的 能帶是導帶。在絕對零度溫度下，半導體的價帶是滿帶(能帶理論)，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後即成 為導電的能帶——導帶。
以Li原子1s22s1.為例，如果有n個Li原子他們各自的1s原子軌道將組成n個σ1s分子軌道（金屬鍵的量子力學模型，在分子軌道理論的基礎上發展起來的現代金屬鍵理論）
由於這些分子軌道之間的能量差距很小，他們的能級連成一片成為一個能帶
Li原子中的n和2s分子軌道也能組成能帶，這個能帶中的一半是σ2s軌道，被電子充滿，另一半是σ*2s軌道，沒有電子，是空的。由2s電子所組成的這種半充滿的能帶就是導帶