半導體p型是什麼缺陷

1. 什麼是p型半導體，n型半導體，p

【n型半導體】「n」表示負電的意思，在這類半導體中，參與導電的主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的「施主」雜質。所謂施主雜質就是摻入雜質能夠提供導電電子而改變半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的五價元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質。如果在某一半導體的雜質總量中，施主雜質的數量佔多數，則這種半導體就是n型半導體。如果在硅單晶中摻入五價元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價鍵之後，磷外層的五個電子中，四個電子組成共價鍵，多出的一個電子受原子核束縛很小，因此很容易成為自由電子。所以這種半導體中，電子載流子的數目很多，主要kao電子導電，叫做電子半導體，簡稱n型半導體。 【p型半導體】「p」表示正電的意思。在這種半導體中，參與導電的主要是帶正電的空穴，這些空穴來自於半導體中的「受主」雜質。所謂受主雜質就是摻入雜質能夠接受半導體中的價電子，產生同數量的空穴，從而改變了半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的三價元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導體的雜質總量中，受主雜質的數量佔多數，則這半導體是p型半導體。如果在單晶硅上摻入三價硼原子，則硼原子與硅原子組成共價鍵。由於硼原子數目比硅原子要少很多，因此整個晶體結構基本不變，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價元素，外層只有三個價電子，所以當它與硅原子組成共價鍵時，就自然形成了一個空穴。這樣，摻入的硼雜質的每一個原子都可能提供一個空穴，從而使硅單晶中空穴載流子的數目大大增加。這種半導體內幾乎沒有自由電子，主要kao空穴導電，所以叫做空穴半導體，簡稱p型半導體。 【p－n結】在一塊半導體中，摻入施主雜質，使其中一部分成為n型半導體。其餘部分摻入受主雜質而成為p型半導體，當p型半導體和n型半導體這兩個區域共處一體時，這兩個區域之間的交界層就是p-n結。p-n結很薄，結中電子和和空穴都很少，但在kao近n型一邊有帶正電荷的離子，kao近p型一邊有帶負電荷的離子。這是因為，在p型區中空穴的濃度大，在n型區中電子的濃度大，所以把它們結合在一起時，在它們交界的地方便要發生電子和空穴的擴散運動。由於p區有大量可以移動的空穴，n區幾乎沒有空穴，空穴就要由p區向n區擴散。同樣n區有大量的自由電子，p區幾乎沒有電子，所以電子就要由n區向p區擴散。隨著擴散的進行，p區空穴減少，出現了一層帶負電的粒子區；n區電子減少，出現了一層帶正電的粒子區。結果在p－n結的邊界附近形成了一個空間電荷區，p型區一邊帶負電荷的離子，n型區一邊帶正電荷的離子，因而在結中形成了很強的局部電場，方向由n區指向p區。當結上加正向電壓（即p區加電源正極，n區加電源負極）時，這電場減弱，n區中的電子和p區中的空穴都容易通過，因而電流較大；當外加電壓相反時，則這電場增強，只有原n區中的少數空穴和p區中的少數電子能夠通過，因而電流很小。因此p－n結具有整流作用。當具有p－n結的半導體受到光照時，其中電子和空穴的數目增多，在結的局部電場作用下，p區的電子移到n區，n區的空穴移到p區，這樣在結的兩端就有電荷積累，形成電勢差。這現象稱為p－n結的光生伏特效應。由於這些特性，用p－n結可製成半導體二極體和光電池等器件。如果在p－n結上加以反向電壓（n區加在電源正極，p區加在電源負極），電壓在一定范圍內，p－n結幾乎不通過電流，但當加在p－n結上的反向電壓越過某一數值時，發生電流突然增大的現象。這時p-n結被擊穿。p－n結被擊穿後便失去其單向導電的性能，但結並不一定損壞，此時將反向電壓降低，它的性能還可以恢復。根據其內在的物理過程，p－n結擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。

2. 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

3. 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(3)半導體p型是什麼缺陷擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

4. 請高手詳細介紹一下半導體缺陷理論,急用!@!

半導體 能帶 p型半導體 n型 半導體 晶體二極體、三極體
【半導體】 導電性能介於導體和絕緣體之間非離子性導電的物質。室溫時其電阻率約為10-3～l09歐姆·厘米。一般是固體。例如鍺（Ge）、硅（Si）以及一些化合物半導體。如碲化鉛（PbTe）、砷化銦（InAs）、硫化鉛（PbS）、碳化硅（SiC）等。與金屬材料不同，半導體中雜質含量和外界條件的改變（如溫度變化、受光照射等），都會使半導體的導電性能發生顯著變化。純度很高，內部結構完整的半導體，在極低的溫度下幾乎不導電，接近絕緣體。但隨著溫度的升高半導體的電阻迅速減小。含有少量雜質，內部結構不很完整的半導體通常可分為n型和p型兩類。半導體的p－n結以及半導體同某些金屬相接觸的邊界層，都具有單向導電或在光照下產生電勢差的特性。利用這些特性可以製成各種器件，如半導體二極體、三極體和集成電路等。半導體之所以具有介於導體和絕緣體之間的導電性，是因為它的原子結構比較特殊，即其外層電子既不象導體那樣容易掙脫其原子核的束縛，也不象絕緣體中的電子被原子核緊緊地束縛著。這就決定了它的導電性介於兩者之間。
【能帶】 研究固體物理學中的一種理論。雖然所有的固體都包含大量的電子，但有的具有很好的電子導電性能，有的則基本上觀察不到任何電子導電性。這一基本事實曾長期得不到解釋。在能帶理論的基礎上，首次對為什麼有導體、絕緣體和半導體的區分提出了一個理論上的說明，這是能帶論發展初期的重大成就。在物理學中往往形象化地用水平橫線表示電子的能量值，能量越大，線的位置越高。一定能量范圍內的許多能級（彼此相隔很近）形成一條帶，稱為「能帶」。各種晶體的能帶數目及其寬度等均不相同。相鄰兩能帶間的能量范圍稱為「能隙」或「禁帶」，晶體中的電子不能具有這種能量。完全被電子占據的能帶稱為「滿帶」，滿帶中的電子不會導電；沒有電子占據的帶稱為「空帶」；部分被占據的稱為「導帶」，導帶中的電子才能導電，價電子所佔據的能帶稱為「價帶」。能量比價帶低的各能帶一般都是滿帶。價帶可以是滿帶也可以是導帶；如在金屬中是導帶，所以金屬能導電，在絕緣體和半導體中是滿帶，所以它們不能導電。但半導體很容易因其中有雜質或受外界影響（如光照、加熱等），使價帶中的電子數減少，或使空帶中出現一些電子而成為導帶，因而也能導電。
【本徵半導體】 不含雜質且結構非常完整的半導體單晶，其中參與導電的電子和空穴數目相等。溫度極低時，其電阻率很大，極難導電；隨著溫度升高，電阻率急劇減小。當硅、鍺等半導體材料製成單晶體時，其原子的排列就由雜亂無章的狀態變成非常整齊的狀態。其原子之間的距離都是相等的，約為2.35×10-4微米。每個原子最外層的4個電子，不僅受自身原子核的束縛，而且還與周圍相鄰的4個原子發生聯系。這時，每兩個相鄰的原子之間都共有一對電子。電子對中的任何一個電子，一方面圍繞自身原子核運動，另一方面也時常出現在相鄰的原子所屬的軌道上，這樣的組合叫做「共價鍵」結構。硅、鍺共價鍵結構的特點是它們外層共有的電子所受到的束縛力並不象在絕緣體中那樣緊，在一定的溫度下，由於熱運動，其中少數電子還是可能掙脫束縛而成為自由電子，形成電子載流子。當共有電子在掙脫束縛成為自由電子後，同時留下了一個空位。有了這樣一個空位，附近的共有電子就很容易來進行填補，從而形成共有電子的運動。這種運動，無論是效果上還是現象上，都好象一個帶正電荷的空位子在移動。為了區別於自由電子的運動，就把這種運動叫做「空穴」運動，空位子叫做「空穴」。由此可見，空穴也是一種載流子。當半導體處於外加電壓作用之下，通過它的電流可以看作是由自由電子的定向移動所形成的電子流，另一部分是帶正電的空穴定向移動。所以半導體中，不僅有電子載流子還有空穴載流子，這是半導體導電的一個特點。這種純單晶半導體，雖然多了一種空穴載流子，但是載流子的總數離開實際應用的要求，也就是從具有良好導電能力的要求來看，還相差很遠，所以這種本徵半導體的實際用處不大。
【雜質半導體】在純單晶的本徵半導體中，摻雜一些有用的雜質，使其導電特性得到很大的改善。而其導電性能取決於雜質的類型和含量。這樣的半導體即稱為「雜質半導體」。大多數半導體都是這一種類型。將半導體材料提純，再用擴散或用離子注入法摻入適當的雜質，可以製成n型半導體或p型半導體。利用不同類型的雜質半導體，可以製成整流器，半導體二極體、半導體三極體和集成電路等重要部件。由此可以看到，只有雜質半導體才是最有用的。
【n型半導體】「n」表示負電的意思，在這類半導體中，參與導電的主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的「施主」雜質。所謂施主雜質就是摻入雜質能夠提供導電電子而改變半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的五價元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質。如果在某一半導體的雜質總量中，施主雜質的數量佔多數，則這種半導體就是n型半導體。如果在硅單晶中摻入五價元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價鍵之後，磷外層的五個電子中，四個電子組成共價鍵，多出的一個電子受原子核束縛很小，因此很容易成為自由電子。所以這種半導體中，電子載流子的數目很多，主要靠電子導電，叫做電子半導體，簡稱n型半導體。
【p型半導體】「p」表示正電的意思。在這種半導體中，參與導電的主要是帶正電的空穴，這些空穴來自於半導體中的「受主」雜質。所謂受主雜質就是摻入雜質能夠接受半導體中的價電子，產生同數量的空穴，從而改變了半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的三價元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導體的雜質總量中，受主雜質的數量佔多數，則這半導體是p型半導體。如果在單晶硅上摻入三價硼原子，則硼原子與硅原子組成共價鍵。由於硼原子數目比硅原子要少很多，因此整個晶體結構基本不變，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價元素，外層只有三個價電子，所以當它與硅原子組成共價鍵時，就自然形成了一個空穴。這樣，摻入的硼雜質的每一個原子都可能提供一個空穴，從而使硅單晶中空穴載流子的數目大大增加。這種半導體內幾乎沒有自由電子，主要靠空穴導電，所以叫做空穴半導體，簡稱p型半導體。
【p－n結】在一塊半導體中，摻入施主雜質，使其中一部分成為n型半導體。其餘部分摻入受主雜質而成為p型半導體，當p型半導體和n型半導體這兩個區域共處一體時，這兩個區域之間的交界層就是p-n結。p-n結很薄，結中電子和和空穴都很少，但在靠近n型一邊有帶正電荷的離子，靠近p型一邊有帶負電荷的離子。這是因為，在p型區中空穴的濃度大，在n型區中電子的濃度大，所以把它們結合在一起時，在它們交界的地方便要發生電子和空穴的擴散運動。由於p區有大量可以移動的空穴，n區幾乎沒有空穴，空穴就要由p區向n區擴散。同樣n區有大量的自由電子，p區幾乎沒有電子，所以電子就要由n區向p區擴散。隨著擴散的進行，p區空穴減少，出現了一層帶負電的粒子區；n區電子減少，出現了一層帶正電的粒子區。結果在p－n結的邊界附近形成了一個空間電荷區，p型區一邊帶負電荷的離子，n型區一邊帶正電荷的離子，因而在結中形成了很強的局部電場，方向由n區指向p區。當結上加正向電壓（即p區加電源正極，n區加電源負極）時，這電場減弱，n區中的電子和p區中的空穴都容易通過，因而電流較大；當外加電壓相反時，則這電場增強，只有原n區中的少數空穴和p區中的少數電子能夠通過，因而電流很小。因此p－n結具有整流作用。當具有p－n結的半導體受到光照時，其中電子和空穴的數目增多，在結的局部電場作用下，p區的電子移到n區，n區的空穴移到p區，這樣在結的兩端就有電荷積累，形成電勢差。這現象稱為p－n結的光生伏特效應。由於這些特性，用p－n結可製成半導體二極體和光電池等器件。如果在p－n結上加以反向電壓（n區加在電源正極，p區加在電源負極），電壓在一定范圍內，p－n結幾乎不通過電流，但當加在p－n結上的反向電壓越過某一數值時，發生電流突然增大的現象。這時p-n結被擊穿。p－n結被擊穿後便失去其單向導電的性能，但結並不一定損壞，此時將反向電壓降低，它的性能還可以恢復。根據其內在的物理過程，p－n結擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。由於p－n結具有這種特性，一方面可以用它製造半導體二極體，使之工作在一定電壓范圍之內作整流器等；另方面因擊穿後並不損壞而可用來製造穩壓管或開關管等器件。
【晶體二極體】亦稱為「半導體二極體」。一種由半導體材料製成的，具有單向導電特性的兩極器件。早期的半導體二極體是用金屬絲尖端觸在半導體晶片上製成的，稱為點接觸二極體，通常在較高的頻率范圍內作檢波、混頻器用。目前大多數的晶體二極體都是面結型的，它是由半導體晶片上形成的p－n結組成，或由金屬同半導體接觸組成，可用於整流，檢波、混頻、開關和穩壓等。除一般用途的二極體外，還有一些用於特殊用途，利用特殊原理製成的二極體。例如：（1）肖特基二極體（又稱為金屬-半導體二極體）：用某些金屬和半導體相接觸，在它們的交界面處便會形成一個勢壘區（通常稱為「表面勢壘」或「肖特基勢壘」），產生整流，檢波作用。在這種二極體中，起導電作用的熱運動能量比較大的那些載流子，所以又叫「熱載流子二極體」。這種二極體比p－n結二極體有更高的使用頻率和開關速度，雜訊也比較低，但工作電流較小，反向耐壓較低。目前它主要用作微波檢波器和混頻器，已在雷達接收機中代替了點接觸二極體；（2）隧道二極體：它是一種具有負阻特性的半導體二極體。目前主要用摻雜濃度較高的鍺或砷化鎵製成。其電流和電壓間的變化關系與一般半導體二極體不同。當某一個極上加正電壓時，通過管的電流先將隨電壓的增加而很快變大，但在電壓達到某一值後，忽而變小，小到一定值後又急劇變大；如果所加的電壓與前相反，電流則隨電壓的增加而急劇變大。因為這種變化關系，只能用量子力學中的「隧道效應」加以說明，故稱隧道二極體。它具有開關、振盪、放大等作用，應用在電子計算機和微波技術中；（3）變容二極體；它是利用p-n結的電容特性來實現放大、倍頻、調諧等作用的一種二極體。由於它的結電容隨外加電壓而顯著變化，所以稱為「變容二極體」。製造變容二極體所用的半導體材料主要用硅和砷化鎵。在作微波放大時，它的優點是具有很低的雜訊；（4）雪崩二極體：亦稱為「碰撞雪崩渡越時間二極體」。是一種在外加電壓作用下可以產生超高頻振盪的半導體二極體。它的工作原理是：利用p－n結的雪崩擊穿在半導體中注入載流子，這些載流子渡越過晶片流向外電路。由於這一渡越需要一定的時間，因而使電流相對於電壓出現一個時間延遲，適當控制渡越時間，在電流和電壓的關繫上會出現負阻效應，因而能夠產生振盪。雪崩二極體主要用在微波領域作為振盪源；（5）發光二極體：一種在外加正向電壓作用下可以發光的二極體。它的發光原理是：在正向電壓作用下，p－n結中注入很多非平衡載流子，這些載流子復合時，多餘的能量轉化為光的形式發射出來。發光二極體經常用作電子設備中的指示燈、數碼管等顯示元件，也可用於光通訊。它的優點是工作電壓低，耗電量小體積小、壽命長。製造發光二極體所用的半導體材料主要是磷砷化鎵、碳化硅等。

【晶體三極體】 亦稱為「半導體三極體」或簡稱「晶體管」。它是一種具有三個電極，能起放大、振盪或開關等作用的半導體器件。按工作原理不同，可分為結型晶體管和場效應晶體管。結型晶體管是在半導體單晶上制備兩個p－n結，組成一個p－n－p（或n－p－n）的結構，中間的n型（或p型）區叫基區，邊上兩個區域分別叫發射區和集電區，這三部分都有電極與外電路聯接，分別稱為「發射極」以字母e表示、「基極」以字母b表示和「集電極」以字母c表示。在電子線路中，用符號代表p－n－p型和n－p－n型晶體管如圖3－17所示。晶體管用作放大器時，在發射極和基極之間輸入電信號，以其電流控制集電極和基極（或集電極和發射極）之間的電流，從而在負載上獲得放大的電信號。同電子管相比晶體管具有體積小、重量輕、耐震動、壽命長，耗電小的優點，但受溫度影響較大。目前常用的晶體管主要是用鍺或硅晶體製成。場效應晶體管是利用輸入電壓的電場作用控制輸出電流的一種半導體器件。場效應晶體管又分為結型場效應晶體管和金屬—氧化物—半導體場效應晶體管兩大類。金屬—氧化物—半導體場效應晶體管簡稱為MOS晶體管，它的結構如圖3－18所示，其中1為柵極；2為絕緣層；3為溝道；4為源；5為漏。製作過程為在n型（或p型）晶片上擴散生成兩個p型（或n型）區，分別稱為源和漏，從上面引出源極（接電壓正端）和漏極（接負端），源和漏之間有一個溝道區，在它上面隔一層氧化層（或其它絕緣層）製作一層金屬電極稱為「柵極」。在場效應晶體管工作時，柵極電壓的變化會引起溝道導電性能的變化，也就是說柵極電壓變化控制了源漏之間的電流變化。場效應晶體管的特點是輸入阻抗高和抗輻射能力強。

【集成電路】 它是一種微型電子器件或部件。是採用一定的工藝，把一個電路中所需要的晶體管、電阻、電容和電感等，製作在一小塊或幾小塊晶片或陶瓷基片上，再用適當的方法進行互連而封裝在一個管殼內，成為具有所需功能的微型電路結構。集成電路已打破了傳統的電路設計概念，因為集成電路中的晶體管、二極體、電阻、電容、電感等各元件在結構上已組成一個整體，這樣整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大大減少，從而使電子元件向著微小型化，低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比用分立式晶體管等元器件組裝的電子設備提高幾十倍到上百倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。因此集成電路在電子計算機、通訊設備、導彈、雷達、人造衛星和各種遙控、遙測設備中占據了非常重要的地位。根據製造工藝的不同，目前集成電路主要有半導體集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路和混合集成電路等幾類。根據性能和用途的不同，又可分為數字集成電路、線性集成電路和微波集成電路等。近年來集成電路的發展極為迅速。早期半導體集成電路的集成度是每個晶片上只有幾十個元件，目前集成度已高達每片包含幾千個甚至上萬個元件。習慣把由一百個以上的門電路或一千個以上的晶體管集成在一塊晶片上，並互連成具有一個系統或一個分系統功能的電路稱為「大規模集成電路」。
【半導體集成電路】 亦稱「固體電路」或「單塊集成電路」，它是在一塊半導體單晶片（一般是矽片）上，用氧化、擴散或離子注入，光刻、蒸發等工藝做成晶體管、二極體、電阻和電容等元件，並用某種隔離技術使它們在電性能上互相絕緣，而在晶片表面用金屬薄膜使有關元件按需要互相連接，最後被封裝在一個管殼里而構成一個完整電路。半導體集成電路製造方法比較簡便，成本低廉、可靠性高、體積也比較小，是目前集成電路中生產和應用最多的一種

5. 在P型半導體中一般摻哪種類型的雜質主要是什麼元素

也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。回
在答純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

6. 半導體中的P型和N型雜質的區別是什麼

P-positive型是陽性 摻雜的是吸電子的 N-negative型是負 摻雜的是供電子的

7. 關於P型半導體的問題

是你的假設問題，在同一個P型矽片中，3個空穴與5個空穴相比，空穴的濃度是不一樣的，所以導電性也不一樣。或者說，5個空穴允許電子流過的能力，要比3個空穴強一些。

8. p型半導體的問題

p型半導體多子時空來穴，正確，是受自主。
p型聚合物，是有機半導體的東西嗎？
如果是有機半導體，則不能說是施主，應該說是施體，有機半導體的概念與無機是不同的，有機中載流子的濃度很低，遷移率也很低，對於p型，就是說分子容易給出，或者丟掉一個電子，成為自由基陽離子，帶正電，沿用了半導體空穴的概念，電荷傳輸時，是臨近位電子過來把她復合掉，兒過來的電子的位置，也就是那個分子丟掉了電子，成為自由基陽離子，這樣相當於正離子的傳輸，也就是所謂空穴的傳輸。

9. 為什麼P型半導體是電中性

是由於半導體和摻入的微量元素都是電中性的，而摻雜過程中既不喪失電荷又不從外界得到電荷，只是在半導體中出現了大量可運動的電子或空穴，並沒有破壞整個半導體內正負電荷的平衡狀態。

P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

(9)半導體p型是什麼缺陷擴展閱讀：

一、特點

半導體中有兩種載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴。 如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導體就稱為P型半導體。

「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。

因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

二、形成原理

要產生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。

對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子。

氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱後，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。