半導體載流子密度一般是多少
❶ 全部電離.請問該雜質半導體中的載流子濃度是多少
成立
本徵載流子是無雜質時半導體的載流子濃度，且n=p=ni，且np=ni平方。
而有雜回質時np=ni平方仍成答立，以n為多子，注，此時無本徵載流子ni，都是熱平衡載流子n0，p0。它們乘積=無雜質時ni平方。
❷ 載流子濃度和數目區別
載流子濃度（Intrinsic carrier concentration）為本徵半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度，常用值為300K時的濃度值。
本徵載流子濃度與溫度有關，同樣材質的半導體，溫度越高，熱激發越強烈，本徵載流子濃度越高；與禁帶寬度有關，同樣的溫度下，禁帶寬度越窄，電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶，本徵載流子濃度越高。
T=300K時，硅的本徵載流子濃度可由上式推時，由上式計算出的值為。而T=300K時，硅的公認值約為
。這一差異可能來自以下這些原因：首先，有效質量是由低溫下進行的迴旋共振實驗測定的。既然有效質量為實驗測定值，而且它是粒子在晶體中運動情況的度量，那麼這個參數就可能與溫度有關。其次，半導體的狀態密度函數是由三維無限深勢阱中的電子模型推廣出來的。這個理論函數可能與實驗結果不十分吻合
❸ 半導體中載流子濃度由什麼決定
半導體中通過電流的復大小是由半制導體的電導率和加在半導體兩端的電壓來決定.
而半導體的電導率由半導體中的載流子濃度和載流子的遷移率來決定（遷移率有點類似速度,不過單位是m^2/V.s）；
半導體中的載流子一般包括自由電子和空穴兩種.
所以,半導體中通過電流的大小不是僅僅由載流子的數目來決定,也不是僅僅由載流子的速度來決定.
❹ 半導體中的載流子是什麼
半導體載來流子即半導源體中的電流載體。
在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。
在半導體中，存在兩種載流子，電子以及電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴）均被視為載流子。
通常N型半導體中指自由電子，P型半導體中指空穴，它們在電場作用下能作定向運動，形成電流。
載流子就是帶有電荷、並可運動而輸運電流的粒子，包括電子、離子等。半導體中的載流子有兩種，即帶負電的自由電子和帶正電的自由空穴。實際上，空穴也就半導體中的價鍵空位，一個空位的運動就相當於一大群價電子的運動；只不過採用數量較少的空穴這個概念來描述數量很多的價電子的運動要方便得多。所以，從本質上來說，空穴只是一大群價電子的另一種表述而已。
❺ 半導體中載流子濃度由什麼決定
半導體中來通過電流的自大小是由半導體的電導率和加在半導體兩端的電壓來決定。
而半導體的電導率由半導體中的載流子濃度和載流子的遷移率來決定（遷移率有點類似速度，不過單位是m^2/V.s）；
半導體中的載流子一般包括自由電子和空穴兩種。
所以，半導體中通過電流的大小不是僅僅由載流子的數目來決定，也不是僅僅由載流子的速度來決定。
❻ 簡並半導體的簡並半導體的載流子濃度
半導體發生簡並對應一個溫度范圍：用圖解的方法可以求出半導體發生簡並時，對應一個版溫權度范圍。這個溫度范圍的大小與發生簡並時的雜質濃度及雜質電離能有關：電離能一定時，雜質濃度越大，發生簡並的溫度范圍越大；發生簡並的雜質濃度一定時，雜質電離能越小，簡並溫度范圍越大。
簡並半導體的載流子濃度：對於n型半導體，施主濃度很高，使費米能級接近或進入導帶時，導帶底附近底量子態基本上已被電子占據，導帶中底電子數目很多的條件不能成立，必須考慮泡利不相容原理的作用。這時，不能再用玻耳茲曼分布函數，必須用費米分布函數來分析導帶中電子的分布問題。這種情況稱為載流子的簡並化。發生載流子簡並化的半導體稱為基本半導體，對於p型半導體，其費米能級接近價帶頂或進入價帶，也必須用費米分布函數來分析價帶中空穴的分布問題。
簡並時的雜質濃度：對n型半導體，半導體發生簡並時，摻雜濃度接近或大於導帶底有效狀態密度；對於雜質電離能小的雜質，則雜質濃度較小時就會發生簡並。對於p型半導體，發生簡並的受主濃度接近或大於價帶頂有效狀態密度，如果受主電離能較小，受主濃度較小時就會發生簡並。
❼ 半導體的載流子濃度
實踐表明，半導體的導電性與溫度密切相關，實際上這主要是由於半導體的中的載流子濃度隨溫度劇烈變化所造成的。所以要深入了解半導體的導電性，必須研究半導體中載流子濃度隨溫度變化的規律。
❽ 用各種計算濃度的方法,計算半導體載流子的濃度
^半導體載流子計算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p為載流子濃度,第一個T為熱力學溫度,E(go)為為熱力學零度內時破壞公價鍵所需的容能量,k為玻耳茲曼常數.
半導體載流子即半導體中的電流載體。在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體中，存在兩種載流子，電子以及電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴）均被視為載流子。通常N型半導體中指自由電子，P型半導體中指空穴，它們在電場作用下能作定向運動，形成電流。
❾ 衡量半導體導電能力的主要標志是載流子數量的多少
半導體載流子計算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p為載流子濃度,第一個T為熱力學溫度,E(go)為為熱力學零度回時破壞公價鍵所答需的能量,k為玻耳茲曼常數.
半導體載流子即半導體中的電流載體。在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體中，存在兩種載流子，電子以及電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴）均被視為載流子。通常N型半導體中指自由電子，P型半導體中指空穴，它們在電場作用下能作定向運動，形成電流。
❿ 半導體物理。。簡並半導體載流子濃度怎麼求
不是用的劉恩科的教材嗎？第三章有專門講簡並半導體中載流子濃度求法的使用費米積分在圖像中求解。考試中一般不會做什麼要求的