本徵激發會在半導體中產生什麼

A. 本徵激發的介紹

本徵激發1、本徵半導體：沒有雜質和缺陷的半導體，叫做本徵半導體。專實際上，摻雜半屬導體在高溫下也可以轉變為本徵半導體。因此，本徵半導體就是兩種載流子（電子和空穴）同樣都對導電起作用的半導體。2、本徵激發：定義：當半導體的溫度T>0K時，有電子從價帶激發到導帶去，同時價帶中產生了空穴，這就是所謂的本徵激發。本徵激發的容易程度受到禁帶寬度的影響

B. 何為本徵半導體，雜質半導體，本徵激發

本徵半導體抄（intrinsic semiconctor)）完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。但實際半導體不能絕對的純凈，此類半導體稱為雜質半導體。本徵半導體一般是指其導電能力主要由材料的本徵激發決定的純凈半導體。更通俗地講，完全純凈的、不含雜質的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。主要常見代表有硅、鍺這兩種元素的單晶體結構。在本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。制備雜質半導體時一般按百萬分之一數量級的比例在本徵半導體中摻雜。也叫摻雜半導體。更多資料 http://ic.big-bit.com/

C. 在本徵半導體中加入 元素可形成N型半導體，N型半導體的多子是________。 （A.）

在本徵半導體硅（或鍺）中摻入微量的5價元素，例如磷，則磷原子就取代了硅晶體中少量的硅內原子，占據容晶格上的某些位置。 磷原子最外層有5個價電子，其中4個價電子分別與鄰近4個硅原子形成共價鍵結構，多餘的1個價電子在共價鍵之外，只受到磷原子對它微弱的束縛，因此在室溫下，即可獲得掙脫束縛所需要的能量而成為自由電子，游離於晶格之間。失去電子的磷原子則成為不能移動的正離子。磷原子由於可以釋放1個電子而被稱為施主原子，又稱施主雜質。
在本徵半導體中每摻入1個磷原子就可產生1個自由電子，而本徵激發產生的空穴的數目不變。這樣，在摻入磷的半導體中，自由電子的數目就遠遠超過了空穴數目，成為多數載流子（簡稱多子），空穴則為少數載流子（簡稱少子）。
因此答案是E。

D. 在本徵半導體中加入（ ）元素可形成P型半導體。

在本徵半導體硅（或鍺）中摻入微量的5價元素,例如磷,則磷原子就取代了硅晶回體中少量的答硅原子,占據晶格上的某些位置.磷原子最外層有5個價電子,其中4個價電子分別與鄰近4個硅原子形成共價鍵結構,多餘的1個價電子在共價鍵之外,只受到磷原子對它微弱的束縛,因此在室溫下,即可獲得掙脫束縛所需要的能量而成為自由電子,游離於晶格之間.失去電子的磷原子則成為不能移動的正離子.磷原子由於可以釋放1個電子而被稱為施主原子,又稱施主雜質.
在本徵半導體中每摻入1個磷原子就可產生1個自由電子,而本徵激發產生的空穴的數目不變.這樣,在摻入磷的半導體中,自由電子的數目就遠遠超過了空穴數目,成為多數載流子（簡稱多子）,空穴則為少數載流子（簡稱少子）.

E. 在半導體本徵激發時，產生的空穴是一種物質嗎屬於載流子嗎

不是，只是在分析問題的過程中看成一種實際存在的物質。屬於載流子。

F. 什麼叫本徵激發溫度越高，本徵激發的載流子越多，為什麼

1、本徵激發是由於半導體材料內部運動，導致有部分電子脫離共價鍵的束縛，形成了「自由電子」，使半導體材料內載流子濃度變化的激發過程。

2、本徵激發中半導體材料內部運動和溫度、光照等外界因素有關，溫度（光照等）越高，分子運動越激烈，越有利於電子脫離共價鍵，因而被激發出來的「自由電子」越多，載流子濃度也越高。

3、一般來說，半導體中的價電子不完全像絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量(如光照、溫升、電磁場激發等)，一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為近似自由的電子（同時產生出一個空穴）。

4、這是一種熱學本徵激發，所需要的平均能量就是禁帶寬度。本徵激發還有其它一些形式。如果是光照使得價電子獲得足夠的能量、掙脫共價鍵而成為自由電子，這是光學本徵激發（豎直躍遷）。

5、這種本徵激發所需要的平均能量要大於熱學本徵激發的能量——禁帶寬度。如果是電場加速作用使得價電子受到高能量電子的碰撞、發生電離而成為自由電子，這是碰撞電離本徵激發；這種本徵激發所需要的平均能量大約為禁帶寬度的1.5倍。

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分子電子躍遷：

1、分子電子躍遷表示分子中價電子從一個能級因為吸收能量時，躍遷到一個更高的能級；或者釋放能量，躍遷到更低的能級的過程。如果起始能級的能量比最終能級的能量高，原子便會釋放能量（通常以電磁波的形式發放）。

2、相反，如果起始能級的能量較低，原子便會吸收能量。釋放與吸收的能量等於這兩個能級的能量之差。在此過程中的能量變化提供了分子結構的信息，並決定了許多分子性質如顏色。有關電子躍遷的能量和輻射頻率的關系由普朗克定律決定。

3、一般，我們應用電子躍遷來說明單個原子。當討論多原子分子時，我們應用分子軌道理論。也可以視單個原子為單原子分子，將各種情況的電子躍遷統一到分子電子躍遷的框架下來。這里的能級是基於分子軌道理論提出的。

G. 本徵激發是指本徵半導體中什麼擺脫什麼的束縛成為自由電子

原子核。
原子中的電子靠原子核吸引圍繞著原子核高速旋轉。
而本徵激發就是給電子更多的能量，讓它拜託原子核的束縛。

H. 關於本徵半導體

問題一

樓主的問題在於對半導體載流子濃度的數量級沒有認識，打個比方：以版硅材料為列，硅常溫下本證載流權子濃度在10個零左右，如果製作BJT基區，參雜一般在17到19個零之間，就已參雜18個零為列，這時候電子濃度為18個零，當溫度升高後，加入本證激發提高到了一萬倍，這時候空穴濃度就是14個零，比原來增加了一萬倍，而電子的濃度變成了18個零加上14個零，變成了原來的1.0001倍。
可見，常溫完全電離情況下，多子濃度幾乎與溫度無關，而少子濃度則對溫度很敏感。
問題二
對於第二個問題是因為樓主對NP=ni*ni沒有理解，建議樓主親自推到一下這個公式的來歷加深一下理解。
首先這個公式只有對平衡狀態下的半導體才會成立，也就是電子和空穴有同一的費米能級，處於電場中的半導體處於非平衡態，沒有統一的費米能級，而是引入了准費米能級的概念。
希望對樓主有用，望採納！

I. 什麼是本徵半導體

本徵半導體（復intrinsic semiconctor)）
完全不制含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。實際半導體不能絕對地純凈，本徵半導體一般是指導電主要由材料的本徵激發決定的純凈半導體。更通俗地講，完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。

J. 什麼是本徵半導體

本徵半導體

完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。

1．半導體中的兩種載流子—自由電子和空穴

在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導體是不能導電的。但是，當半導體的溫度升高（例如室溫300oK）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數量的空穴，如圖2—3（a）所示。空穴是半導體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發產生的這種躍遷過程稱為本徵激發。顯然，本徵激發所產生的自由電子和空穴數目是相同的。
由於空穴的存在，臨近共價鍵中的價電子很容易跳過去填補這個空穴，從而使空穴轉移到臨近的共價鍵中去，而後，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這一過程持續下去，就相當於空穴在運動。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動與帶正電荷的粒子作反方向運動的效果相同，因此我們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導體中存在兩種載流子，即帶電荷+q的空穴和帶電荷–q的自由電子。
在沒有外加電場作用時，載流子的運動是無規則的，沒有定向運動，所以形不成電流。在外加電場作用下，自由電子將產生逆電場方向的運動，形成電子電流，同時價電子也將逆電場方向依次填補空穴，其導電作用就像空穴沿電場運動一樣，形成空穴電流。雖然在同樣的電場作用下，電子和空穴的運動方向相反，但由於電子和空穴所帶電荷相反，因而形成的電流是相加的，即順著電場方向形成電子和空穴兩種漂移電流。