半導體的斜率電阻是什麼意思

㈠ 半導體體電阻和體電阻率有什麼區別他們的意義有什麼不同

在電性能均勻的材料內部，描述它的導電能力用電阻率這一術語，對於半導體，通常專用歐姆厘米屬作為單位。當用這塊材料做成一段電流通路，它在電路中顯現的電阻就稱為體電阻，簡稱電阻。所謂「體」是指不考慮引線、接觸電阻，純粹是「體內」電阻。舉例說明：一塊半導體材料的電阻率是5歐姆厘米，將它做成截面積為0.01平方厘米、長度為2厘米的形狀，那麼它兩端的電阻是：5×2÷0.01＝10歐姆。公式：電阻率×長度÷截面積=電阻。相信你已明白了。

㈡ 半導體的電阻率有什麼特性

就純粹的半導體材料，就是硅、鍺一類的，某一具體的半導體電阻率介於導體各專絕緣體之間，所以屬才叫半導體。但由這些材料通過各種工藝和組合，所得的器件也通稱半導體，功能及特點就很多了，大多具有或某部分具有單向導電性。

㈢ 電子技術：半導體的體電阻是什麼

半導體元件 有很多材料構成

體電阻 要看你是哪一段的電阻 還要看是在什麼工作條件下

㈣ 斜率電阻

意思就是,二極體的正常工作電流范圍內,每增加1A電流,二極體正向壓降升高4.7mΩX1A=4.7mV

㈤ 什麼是電阻元件伏安特性線性電阻元件伏安特性曲線的斜率代表什麼

哇 學這個過去好多年了自從上了大學就沒接觸了 我記得好像是用來測試在溫度基本不變的情況下根據電壓和電流的不斷變化 來描繪電阻的變化情況 對於線性斜率應該是電阻的倒數吧。大學快畢業了高中的東西也忘的差不多了 呵呵

㈥ 半導體的電阻一般是多少

半導體及其基本特性
1.1 金屬 - 半導體 - 絕緣體
我們知道，自然界中的物質大致可分專為氣體、液體、固體屬、等離子體 4 種基本形態。在固體材料中，根據其導電性能的差異，又可分為金屬、半導體和絕緣體。例如，銅、鋁、金、銀等金屬；它們的導電本領都很大，是良好的導體；橡膠、塑料、電木等導電本領很小，是絕緣體；製造半導體器件的主要材料硅、鍺、砷化鎵等，它們的導電本領比導體小而比絕緣體大，叫做半導體。

物體導電本領的大小可用 電 阻 率 來表示。金屬導體的電阻率約在 10 -4 W ·cm 以下，絕緣體的電阻率約在 10 9 W ·cm 以上，半導體的電子率是介於二者之間，約在 10 -4 ~ 10 9 W ·cm 。 圖 1.1 列出這三類中一些重要材料的電阻率和 電導率 。

㈦ 如何計算半導體的電阻

利用歐姆定律計算:R=U/I (定義式)
利用電阻定律計算內:R=ρL/S (決定式)
利用焦耳定律和歐容姆定律的代換公式計算:R=U^2/P,,R=P/I^2
如果不是純電阻電路,,要利用閉合電路歐姆定律計算這是高中內容

㈧ 半導體的電阻

半導體及其基本特性
1.1 金屬 - 半導體 - 絕緣體
我們知道，自然界中的物質大致可分為氣體、液體、固體、等離子體 4 種基本形態。在固體材料中，根據其導電性能的差異，又可分為金屬、半導體和絕緣體。例如，銅、鋁、金、銀等金屬；它們的導電本領都很大，是良好的導體；橡膠、塑料、電木等導電本領很小，是絕緣體；製造半導體器件的主要材料硅、鍺、砷化鎵等，它們的導電本領比導體小而比絕緣體大，叫做半導體。

物體導電本領的大小可用 電 阻 率 來表示。金屬導體的電阻率約在 10 -4 W ·cm 以下，絕緣體的電阻率約在 10 9 W ·cm 以上，半導體的電子率是介於二者之間，約在 10 -4 ~ 10 9 W ·cm 。 圖 1.1 列出這三類中一些重要材料的電阻率和 電導率 。

圖 1.1

1.2 常見的半導體材料

• 元素半導體

有關半導體材料的研究開始於 19 世紀初。多年以來許多半導體已被研究過。 表 1.1 列出周期表中有關半導體元素的部分。在周期表第 IV 族中的元素如硅（ Si ）、鍺（ Ge ）都是由單一原子所組成的元素半導體。在 20 世紀 50 年代初期，鍺曾是最主要的半導體材料。但自 60 年代初期以來，硅已取而代之成為半導體製造的主要材料。現今我們使用硅的主要原因，乃是因為硅器件在室溫下有較佳，且高品質的硅氧化層可由熱生長的方式產生。經濟上的考慮也是原因之一，可用於製造器件等級的硅材料，遠比其他半導體材料價格低廉。在二氧化硅及硅酸鹽中的硅含量佔地表的 25 ％，僅次於氧。到目前為止，硅可說是周期表中被研究最多且技術最成熟的半導體 元素 。

表 1.1 周期表中於半導體相關的部分

• 化合物半導體
近年來一些 化合物 半導體已被應用於各種器件中。 表 1.2 列出與兩種元素半導體同樣重要的化合物半導體。二元化合物半導體是由周期表中的兩種元素組成。例如， III-V 族元素化合物半導體砷化鎵（ GaAs ）是由 III 族元素鎵（ Ga ）及 V 族元素砷（ As ）所組成。

除了二元化合物半導體外，三元及四元半導體化合物半導體也各有其特殊用途。由 III 族元素鋁（ Al ）、鎵（ Ga ）及 V 族元素砷（ As ）所組成的合金半導體 Al x Ga 1-x As 即是一種三元化合物半導體，而具有 A x B 1-x C y D 1-y 形式的四元化合物半導體則可由許多二元及三元化合物半導體組成。例如，合金半導體 Ga x In 1-x As y P 1-y 是由磷化鎵（ GaP ）、磷化銦（ InP ）、砷化銦（ InAs ）及砷化鎵（ GaAs ）所組成。與元素半導體相比，製作單晶體形式的化合物半導體通常需要較復雜的程序。

許多化合物半導體具有與硅不同的電和光的特性。這些半導體，特別是砷化鎵（ GaAs ），主要用於高速光電器件。雖然化合物半導體的技術不如硅半導體技術成熟，但硅半導體技術的快速發展，也同時帶動化合物半導體技術的成長。

1.3 半導體導電性的特點
實際上，金屬、半導體和絕緣體之間的界限並不是絕對的。通常，當半導體中的雜質含量很高時，電導率很高，呈現出一定的金屬性，而純凈半導體在低溫下的電導率很低，呈現出絕緣性。一般半導體和金屬的區別在於半導體中存在著 禁帶 而金屬中不存在禁帶；區分半導體和絕緣體則更加困難，通常根據它們的禁帶寬度及其溫度特性加以區分。

半導體的導電性究竟具有哪些特點呢？大致可歸納以下幾個方面：

（ 1 ）半導體的電阻率對溫度的反應靈敏。純凈半導體的電阻率隨溫度變化很顯著，而且電阻率隨溫度升高而下降。例如純鍺，當溫度從 20 o C 升高到 30 o C 時，電阻率就降低一半左右。而金屬的電阻率隨溫度的變化比較小，而且隨溫度升高電阻率增大。

（ 2 ）微量的雜質能顯著地改變半導體的電阻率。例如在純硅中摻入 6 ′ 10 15 /cm 3 的雜質磷或銻，即在硅中摻入千萬分之一的雜質，就能使它的電阻率從 2.15 ′ 10 5 W ·cm 減小到 1 W ·cm ，降低了 20 萬倍。晶格結構的完整與否也會對半導體導電性能有極大的影響。因此在製作半導體器件時除人為地在半導體中摻入有用雜質來控制半導體的導電性外，還要嚴格防止一些有害雜質對半導體的沾污，以免改變半導體的導電性能，使生產出來的器件質量下降，甚至報廢。但金屬中含有少量雜質時，看不出電阻率會有什麼顯著的變化。

（ 3 ）適當的光照可使半導體的電阻率顯著改變。當某種頻率的光照射半導體時，會使半導體的電阻率顯著下降，這種現象叫光電導。自動控制中用到的光敏電阻就是利用半導體的光電導特性來製成的。但是，金屬的電阻率不受光照影響。

總之，半導體的導電性能非常靈敏地依賴於外界條件、材料的純度以及晶體結構的完整性等。半導體的導電性能所以有上述特點是由半導體內部特殊的微觀結構所決定的，後面將敘述半導體導電的內在規律。

㈨ 二極體的slope resistance(斜率電阻)是什麼

意思就是，二極體的正常工作電流范圍內，每增加1A電流，二極體正向壓降升高4.7mΩX1A=4.7mV

㈩ 半導體二極體的直流電阻和動態電阻如何區別

靜態電阻就是不變的電阻，不像什麼熱敏電阻、光敏電阻、壓敏電阻等動態電回阻阻值會隨著相應的條件變化而變答化。動態電阻的伏安特性曲線是一條有一定斜率的直線，斜率就是其阻值。動態電阻的伏安特性曲線是一條曲線，曲線各點的斜率就是其相應該條件下的實時阻值。