本徵半導體內的兩種載流子分別是什麼

Ⅰ 在半導體中存在哪兩種載流子

本徵載流子就是本徵半導體中的載流子，即
電子
和
空穴
，即不是由摻雜所產生出來的載流子。也就是說，內本徵載流子是由熱激發——本徵激發所產生出來的，即是價電子從價帶躍遷到導帶而產生出來的；它們是成對產生的，所以電子和空容穴的濃度始終相等。
本徵半導體，從物理本質上來說，也就是兩種載流子數量相等、都對導電起同樣大小的半導體。因此，未摻雜的半導體是本徵半導體，但是摻有雜質的半導體在一定條件下也可能成為本徵半導體（只要兩種載流子的濃度相等）。
對於摻有雜質的n型或p型半導體，其中的多數載流子主要就是由雜質電離所提供，而其中的少數載流子則是由本徵激發所產生的。因此，在雜質全電離情況下，多數載流子濃度基本上與溫度無關，但少數載流子則隨著溫度將指數式增大。

Ⅱ 半導體中的本證半導有兩種載流子與本徵半導體的不同

本徵半導體：晶格完整且不含雜質的單晶半導體，其中參與導電的電子和空穴數目相等。這是一種實際上難以實現的理想情況。實用上所說的本徵半導體是指僅含極痕量雜質，導電性能與理想情況很相近的半導體。

Ⅲ 什麼是本徵半導體

本徵半導體

完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。

1．半導體中的兩種載流子—自由電子和空穴

在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導體是不能導電的。但是，當半導體的溫度升高（例如室溫300oK）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數量的空穴，如圖2—3（a）所示。空穴是半導體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發產生的這種躍遷過程稱為本徵激發。顯然，本徵激發所產生的自由電子和空穴數目是相同的。
由於空穴的存在，臨近共價鍵中的價電子很容易跳過去填補這個空穴，從而使空穴轉移到臨近的共價鍵中去，而後，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這一過程持續下去，就相當於空穴在運動。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動與帶正電荷的粒子作反方向運動的效果相同，因此我們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導體中存在兩種載流子，即帶電荷+q的空穴和帶電荷–q的自由電子。
在沒有外加電場作用時，載流子的運動是無規則的，沒有定向運動，所以形不成電流。在外加電場作用下，自由電子將產生逆電場方向的運動，形成電子電流，同時價電子也將逆電場方向依次填補空穴，其導電作用就像空穴沿電場運動一樣，形成空穴電流。雖然在同樣的電場作用下，電子和空穴的運動方向相反，但由於電子和空穴所帶電荷相反，因而形成的電流是相加的，即順著電場方向形成電子和空穴兩種漂移電流。

Ⅳ 本徵半導體是兩種載流子參與傳導電子，雜質半導體是一種載流子參與導電，所以本徵半導體導電性能好，這句

本徵半導體雖然有兩種載流子，但是數量有限，導電性能不明顯。摻雜半導體使得載流子濃度明顯提高，所以導電性要大大增強。

Ⅳ 本徵半導體的本徵半導體

在絕對零度溫度下，半導體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論）
，受到光電注入或熱激發後，內價帶中容的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶（conction band），價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。在本徵半導體中，這兩種載流子的濃度是相等的。隨著溫度的升高，其濃度基本上是按指數規律增長的。 待完善

Ⅵ 什麼是本徵半導體

本徵導電
在絕對零度溫度下，半導體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論）

，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶（conction band），價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。在本徵半導體中，這兩種載流子的濃度是相等的。隨著溫度的升高，其濃度基本上是按指數規律增長的。
復合
導帶中的電子會落入空穴，使電子－空穴對消失，稱為復合（recombination）。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子－空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。
特點
本徵半導體特點：電子濃度=空穴濃度（摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以具有本徵半導體特點。）
缺點
缺點：載流子少，導電性差，溫度穩定性差！

Ⅶ 1． 本徵半導體中的兩種載流子是 ，N型半導體多數載流子是 。

本徵半導體中的兩種載流子是電子和空穴。N型半導體多數載流子是電子，少數載流子是空穴。P型半導體多數載流子是空穴，少數載流子是電子。

Ⅷ 半導體根據內部兩種載流子的分布情況可分為哪3種

P型摻雜半導體：空穴為多子，電子為少子
N型摻雜半導體：電子為多子，空穴為少子
本徵半導體（未摻雜）：電子與空穴數目相等