半導體擴散叫什麼

A. 半導體載流子的擴散

電子和空穴存在濃度梯度時就會擴散

B. 半導體的雙面擴散是什麼樣的

本人是學微電子的，可是知識淺薄，沒聽說過雙面擴散這個詞~~汗！

製作半導內體時？那就是容摻雜了，我只知道有恆定表面源擴散和有限表面源擴散~~~

哥，顧名思義不行吧？生長氧化層也不是擴散啊？如果真的是兩面都擴散雜質，其目的是什麼呢？如果兩面都有器件，那如何互聯？總不能像pcb板一樣，中間鑽孔吧？

樓主的意思是不是在背面摻金啊？

C. 半導體物理中的 順流擴散 和 逆流擴散 是什麼意思

原子、來分子、載流子自等的擴散，本來就是從高濃度處往低濃度處進行的，沒有正向、逆向之分。
但是如果存在外加電場時，載流子將要沿著電場方向漂移，這時擴散就可區分為順流和逆流。
在工藝中，對於存在氣流的情況，原子或者分子的擴散也可區分為順流和逆流。

D. 半導體二極體的擴散區在哪

首先得先了解pn結的形成。在N型半導體和P型半導體的結合面上，因濃度差所以多子的擴回散運動；自由答電子與空穴復合，此時由雜質離子形成空間電荷區（p區是負電荷，n區是正電荷），便有n指向p的內電場，阻止多子擴散，最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面處，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區（耗盡層）稱為PN結。當在pn結（二極體）兩端加正向電壓時，內電場減弱，多子擴散大於少子漂移，使得載流子越過耗盡層，進入對面，並與其相反電荷載流子復合，形成擴散區（p區、n區各有一個）。

E. 半導體擴散工藝

有兩種技術：一個是靠濃度梯度擴散，一個是離子注入法

F. 半導體載流子擴散求助

半導體內的載流子有三種運動：載流子的擴散運動，載流子的熱運動和載流子的漂移運動。
（1）熱運動
在沒有任何電場作用時，一定溫度下半導體中的自由電子和空穴因熱激發所產生的運動是雜亂無障的，好像空氣中氣體的分子熱運動一樣。由於是無規則的隨機運動，合成後載流子不產生定向位移，從而也不會形成電流。
（2）漂移運動
在半導體的兩端外加一電場E，載流子將會在電場力的作用下產生定向運動。電子載流子逆電場方向運動，而空穴載流子順著電場方向運動。從而形成了電子電流和空穴電流，它們的電流方向相同。所以，載流子在電場力作用下的定向運動稱為漂移運動，而漂移運動產生的電流稱漂移電流。
（3）擴散運動
在半導體中，載流子會因濃度梯度產生擴散。如在一塊半導體中，一邊是N型半導體，另一邊是P型半導體，則N型半導體一邊的電子濃度高，而P型半導體一邊的電子濃度低。反之，空穴載流子是P型半導體一邊高，而N型半導體一邊低。由於存在載流子濃度梯度而產生的載流子運動稱為擴散運動。
滴入水中的墨水會快速地向四周擴散，打開品瓶蓋，氣味會很快充滿整個房間等現象，是現實生活中擴散運動的典型例子，是自然界中的一種普遍規律。
由於電子載流子和空穴載流子分別帶負電和正電，擴散運動導致正負電荷搬遷，從而形成電流，這種由擴散運動形成的電流稱擴散電流。

G. 半導體穩定擴散和平衡態有什麼區別

這時候的來光子能量大於半導自體的禁帶寬度，所以價帶電子在吸收能量後可以躍遷到導帶而成為非平衡載流子。這部分的載流子是比平衡時多出來的，是源源不斷的產生，所以是非平衡狀態。既然是非平衡狀態，那麼產生率和復合率也就不相等了。這個時候產生率要大於復合率的。至於載流子從哪來到哪兒去...這個概念暫時還是有點模糊。
補充一下：穩恆光照就是能夠注入穩定數量的非平衡載流子。

H. 半導體擴散工藝是什麼

半導體擴散工藝。擴散技術目的在於控制半導體中特定區域內雜質的類型、濃度、深度和PN結。在集成電路發
展初期是半導體器件生產的主要技術之一。但隨著離子注入的出現，擴散工藝在制備淺結、低濃度摻雜和控制精度等方面的巨大劣勢日益突出，在製造技術中的使用已大大降低。
3．1 擴散機構
3．1．1 替位式擴散機構
這種雜質原子或離子大小與Si原子大小差別不大，它沿著硅晶體內晶格空位跳躍前進擴散，雜質原子擴散時占據晶格格點的正常位置，不改變原來硅材料的晶體結構。硼、磷、砷等是此種方式。

3．1．2 填隙式擴散機構
這種雜質原子大小與Si原子大小差別較大，雜質原子進入硅晶體後，不佔據晶格格點的正常位置，而是從一個硅原子間隙到另一個硅原子間隙逐次跳躍前進。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。由於CMOS是由PMOS和NMOS組成，因此需要在一種襯底上製造出另一種型號的襯底,才可以在一種型號的矽片上同時製造出N管、P管，在選擇注入後的推阱工藝就可以在矽片上制出P阱、N阱；由於推阱一般需要有一定的結深，而雜質在高溫下的擴散速率較大，因此推阱工藝往往需要在較高的溫度（1150C）下進行，以縮短工藝時間，提高矽片的產出率。 阱電阻：用來監控推阱後N（或P）阱電阻的大小，阱電阻的大小會對製作在N（或P）阱里的晶體管的柵開啟電壓及擊穿電壓造成直接影響；但電阻控製片的製作由於有一定的製作流程，因此電阻有時會受制備工藝的影響。