n型半導體為什麼帶正電荷

㈠ pN結為什麼靠N區域正電荷電位高

PN結的形成在一塊本徵半導體在兩側通過擴散不同的雜質,分別形成N型半導體版和P型半導體。此時將在N型半導體和權P型半導體的結合面上形成如下物理過程:擴散到對方的載流子在P區和N區的交界處附近被相互中和掉，使P區一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，N區一側因失去電子而留下不能移動的正離子。這樣在兩種半導體交界處逐漸形成由正、負離子組成的空間電荷區（耗盡層），P區一側帶負電，N區一側帶正電。

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㈡ n型半導體帶電嗎為什麼4.半導體分哪幾種各有什麼特點

不帶電。n型半導體是指在本徵半導體中加入五價元素，每一個五價元素原子與四個四價半導體元素原子形成四對共用電子對（每一對電子對由半導體元素原子與該五價元素原子各提供一個電子），這樣五價元素原子因四對八個共用電子而達到最外層電子穩定，於是多出來的一個電子（因為形成共用電子對時五價元素原子只貢獻了4個電子）就成為自由電子，這就是n型半導體的多數載流子。但是盡管如此，n型半導體還是不帶電。因為加入五價元素後所有原子的質子數與所有原子的電子數仍然相等，在加入五價元素後，在載流子的形成過程中不存在系統對外電子的失去或得到。因此整個系統還是靜電平衡，因此，不帶電。半導體一般分為本徵半導體和雜質半導體。雜質半導體根據摻入元素價態的不同又分為n型半導體（摻入五價元素）與p型半導體（摻入三價元素）。本徵半導體導電性能很差，其中電子和空穴都參與導電，而電子和空穴都是熱激發形成的。因此本徵半導體的導電性具有溫度敏感性。雜質半導體導電性能要好於本徵半導體。同時雜質半導體主要是多子（多數載流子）導電。這是因為五價或三價元素摻入的過程使多子數量遠多於少子數量。其中n型半導體多子為自由電子，p型半導體多子為空穴。因為雜質半導體多子數量主要和摻入雜質數量有關，因此其多子幾乎不受溫度影響。但其導電性對溫度也比較敏感，這是因為質半導體中的少子還是受熱激發產生的，因此也受溫度影響。

㈢ P型半導體帶正電，N型半導體帶負電

半導體抄是中性物。在激發襲態才是
P型半導體，也叫空穴半導體，在硅中摻雜了3價的鋁元素，與周圍硅4價形成共價結合，缺一個電子，形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。
N型半導體，也叫電子半導體，在硅中摻雜5價磷，和硅4價，結合共價後，多一個自由電子。
當PN結組合形成二極體結構，就利用PN結的特性。

㈣ N型半導體本身是帶負電還是電中性的

半導體復內還有不可移動的電制荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了；在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。

半導體是中性物。在激發態才是P型半導體，也叫空穴半導體，在硅中摻雜了3價的鋁元素，與周圍硅4價形成共價結合，缺一個電子，形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。

N型半導體，也叫電子半導體，在硅中摻雜5價磷，和硅4價，結合共價後，多一個自由電子。當PN結組合形成二極體結構，就利用PN結的特性。

(4)n型半導體為什麼帶正電荷擴展閱讀：

n型半導體是裡面加了一些帶自由電子的原子參雜，是穩態的，這些電子雖然比空穴多，但是受核子的束縛。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

㈤ P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。 對錯

這種說法是錯的。

不論是P型還是N型半導體，它們本身是不帶電的，也就是保持電中性。區別只是載流子的濃度不同，P型中的空穴濃度大於自由電子濃度，N型自由電子濃度遠大於空穴濃度。

(5)n型半導體為什麼帶正電荷擴展閱讀：

1、半導體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導帶中的電子，以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體，與之相對的，以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。

2、「N」表示負電的意思，取自英文Negative的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

3、「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

㈥ n型半導體本身是帶負電,還是電中性的為什麼

半導體內還有不可移動的電荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了2.在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。

㈦ n型半導體是否帶負電為什麼

p型帶正電，n型帶負電
o(∩_∩)o
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㈧ 為什麼N型半導體是正離子

假設半導體是硅 N型半導體中摻雜的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷當磷占據一個硅原子專的位屬置時，磷元素外圍的5個電子 4個形成共價鍵，還有一個形成自由電子所以N型半導體導電的是電子相反，P型 中摻雜 3 族元素 如B 硼 你可以這樣理解，B 與 Si形成共價鍵需要從外間獲取一個電子，形成一個空穴，所以導電的是空穴 既是正電子。