硫化鉍納米棒是什麼半導體

㈠ 大師，勞駕：半導體致冷晶棒是什麼東西，作用是什麼，怎麼用,主要用途是什麼

半導體製冷器（TE）也叫熱電製冷器，是一種熱泵，它的優點是沒有滑動部件，應用在一些空間受到限制，可靠性要求高，無致冷劑污染的場合。
半導體製冷器的工作運轉是用直流電流，它既可致冷又可加熱，通過改變直流電流的極性來決定在同一製冷器上實現致冷或加熱，這個效果的產生就是通過熱電的原理，它由兩片陶瓷片組成，其中間有N型和P型的半導體材料（碲化鉍），這個半導體元件在電路上是用串聯形式連結組成。
半導體致冷法的原理以及結構：半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960左右才出現，然而其理論基礎Peltier effect可追溯到19世紀。如圖是由X及Y兩種不同的金屬導線所組成的封閉線路。通上電源之後，冷端的熱量被移到熱端，導致冷端溫度降低，熱端溫度升高，這就是著名的Peltier effect。這現象最早是在1821年，由一位德國科學家Thomas Seeback首先發現，不過他當時做了錯誤的推論，並沒有領悟到背後真正的科學原理。到了1834年，一位法國表匠，同時也是兼職研究這現象的物理學家Jean Peltier，才發現背後真正的原因，這個現象直到近代隨著半導體的發展才有了實際的應用，也就是[致冷器]的發明(注意，這種叫致冷器，還不叫半導體致冷器)
它是由許多N型和P型半導體之顆粒互相排列而成，而N P之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最後由兩片陶瓷片像夾心餅乾一樣夾起來，陶瓷片必須絕緣且導熱良好.N型半導體，任何物質都是由原子組成，原子是由原子核和電子組成。電子以高速度繞原子核轉動，受到原子核吸引，因為受到一定的限制，所以電子只能在有限的軌道上運轉，不能任意離開，而各層軌道上的電子具有不同的能量(電子勢能)。離原子核最遠軌道上的電子，經常可以脫離原子核吸引，而在原子之間運動，叫導體。如果電子不能脫離軌道形成自由電子，故不能參加導電，叫絕緣體。半導體導電能力介於導體與絕緣體之間，叫半導體。半導體重要的特性是在一定數量的某種雜質滲入半導體之後，不但能大大加大導電能力，而且可以根據摻入雜質的種類和數量製造出不同性質、不同用途的半導體。將一種雜質摻入半導體後，會放出自由電子，這種半導體稱為N型半導體。P型半導體，是靠「空穴」來導電。在外電場作用下「空穴」流動方向和電子流動方向相反，即「空穴」由正板流向負極，這是P型半導體原理。載流子現象：N型半導體中的自由電子，P型半導體中的「空穴」，他們都是參與導電，統稱為「載流子」，它是半導體所特有，是由於摻入雜質的結果。
半導體製冷材料：不僅需要N型和P型半導體特性，還要根據摻入的雜質改變半導體的溫差電動勢率，導電率和導熱率使這種特殊半導體能滿足製冷的材料。目前國內常用材料是以碲化鉍為基體的三元固溶體合金，其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3，N型是Bi2Te3—Bi2Se3，採用垂直區熔法提取晶體材料。

㈡ 什麼是半導體納米晶體

半納米晶體指納米尺寸上的晶體材料，或具有晶體結構的納米顆粒。納米晶專體具有很重要的研究價值。屬納米晶體的電學和熱力學性質顯現出很強的尺寸依賴性，從而可以通過細致的製造過程來控制這些性質。納米晶體能夠提供單體的晶體結構，通過研究這些單體的晶體結構可以提供信息來解釋相似材料的宏觀樣品的行為，而不用考慮復雜的晶界和其他晶體缺陷。尺寸小於10納米的半導體納米晶體通常被稱為量子點。
納米晶體製作的光電池具有便宜高效的特點

㈢ 什麼是基於半導體材料，採用微米級甚至納米級加工工藝製造

微電子技術

㈣ 半導體是什麼

半導體
鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力回介於導體和絕答緣體之間，叫做半導體。
半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關系可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。
半導體還有一個最重要的性質，如果在純凈的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。
把一塊半導體的一邊製成P型區，另一邊製成N型區，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結。圖中上部分為P型半導體和N型半導體界面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結的形成過程，示意載流子的擴散作用大於漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。下邊部分為PN結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。

㈤ 現在所知的新材料有哪些比如說納米什麼的。.謝謝..

納米材料按結構可以分為零維，一維，以及二維結構。零維主要是指納米顆粒內，如貴金屬納米粒容子、半導體膠體量子點材料；一維包括納米線、納米棒、納米管；二維材料主要是指超薄膜、多層膜，如石墨烯。此外在納米材料中還有另一類尺度劃分在1~10nm的准零維納米材料，稱為量子點。

㈥ 半導體工藝技術中的納米是指什麼的單位

納米工藝是講兩晶體間的距離.距離越小就代半導體越小。這樣就越容易發熱
納米器件：給信息技術帶來革命
納米科技的另一主要研究領域是設計、制備新型納米結構和納米器件。就像30年前，微電子器件取代真空電子管器件給信息技術帶來革命一樣，納米結構將再次給信息技術帶來革命。
把自由運動的電子囚禁在一個小的納米顆粒內，或者在一根非常細的短金屬線內，線的寬度只有幾個納米，會發生十分奇妙的事情。由於顆粒內的電子運動受到限制，原來可以在費米動量以下連續具有任意動量的電子狀態，變成只能具有某動量值，也就是電子動量或能量被量子化了。自由電子能量量子化的最直接的結果表現在：當在金屬顆粒的兩端加上合適電壓，金屬顆粒導電；而電壓不合適時，金屬顆粒不導電。這樣一來，原來在宏觀世界內奉為經典的歐姆定律在納米世界內就不再成立了。還有一種奇怪的現象，當金屬顆粒具有了負電性，它的庫侖力足以排斥下一個電子從外電路進入金屬顆粒內，從而切斷了電流的連續性。這使得人們想到是否可以發展用一個電子來控制的電子器件，即所謂單電子器件。單電子器件的尺寸很小，把它們集成起來做成電腦晶元，電腦的容量和計算速度不知要提高多少倍。然而，事情可不是人們想像的那麼簡單。實際上，被囚禁的電子可不那麼"老實"，按照量子力學的規律，有時它可以穿過"監獄"的"牆壁"逃逸出來，這會使晶元的動作不可控制，同時還需要新的設計使單電子器件變成集成電路。所以盡管電子器件已經在實驗室里得以實現，但是真要用在工業上還需要時間。
被囚禁在小尺寸內的電子的另一種貢獻，是會使材料發出強的光。"量子點列激光器"或"級聯激光器"的尺寸極小，但發光的強度很高，用很低的電壓就可以驅動它們發生藍光或綠光，用來讀寫光碟可使光碟的存貯密度提高幾倍。如果用"囚禁"原子的小顆粒量子點來存貯數據，製成量子磁碟，存貯度可提高成千上萬倍，會給信息存貯的技術帶來一場革命。
納米是尺寸或大小的度量單位,是一米的十億分之一（千米→米→厘米→毫米→微米→納米）, 4倍原子大小，萬分之一頭發粗細。納米技術是是指製造體積不超過數百個納米的物體，其寬度相當於幾十個原子聚集在一起。

㈦ 半導體收音機中的中波棒採用的是什麼

半導體收音機中的中波棒採用的是：
軟磁鐵氧體是由三氧化二鐵和一種專或幾種其他金屬氧化物屬（例如：氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇、氧化鍶等）配製燒結而成。之所以稱之為軟磁，是因為當充磁磁場消失後，殘留磁場很小或幾乎沒有。通常用作扼流圈，或中頻變壓器的磁芯。這和永磁鐵氧體是完全不同的

㈧ 單晶硅棒是什麼

名 稱： 單晶硅
英文名： Monocrystalline silicon
分子式： Si
硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用於製作半導體元件。
用途： 是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等
單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。由於太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發、商業化生產、市場開拓方面都獲得了長足發展，成為世界快速、穩定發展的新興產業之一。
單晶硅建設項目具有巨大的市場和廣闊的發展空間。在地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉。
近年來，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關高技術產業的發展，成為當代信息技術產業的支柱，並使信息產業成為全球經濟發展中增長最快的先導產業。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開發利用的高科技資源，正引起越來越多的關注和重視。

㈨ 納米半導體ZnS的帶隙（能隙）是多少上下值各是多少

ZnS是一種直接抄帶隙的半襲導體材料，具有閃鋅礦和纖鋅礦兩種結構，禁帶寬度為3.6～3.8eV，它具有良好的光電性能，廣泛應用於各種光學和光電器件中，如薄膜電致發光顯示器件、發光二極體、紫外光探測器件、太陽能電池等。傳統的化合物薄膜太陽能電池，一般採用化學浴法制備的CdS薄膜作為緩沖層材料，並且已經獲得了較高的電池轉換效率。後來人們逐漸意識到CdS是一種對環境和人體有害的材料，要研究制備無污染的太陽能電池就該尋找新的材料作為替代。在以後的研究中人們慢慢發現ZnS是替代CdS的良好的材料。首先，ZnS不含任何有毒元素，滿足了人們環保的要求；其次，ZnS(3.6～3.8eV)的禁帶寬度比CdS(2.4eV)大得多，用它作緩沖層材料可以使更多的短波區的光照射到吸收層上，有利於獲得藍光區的光譜響應，提高太陽能電池的轉換效率。Cu(InGa)Se2／ZnS結構電池轉換效率已經達到18.6％，而CuInS2／ZnS結構電池轉換效率也已達到了10.7％。（CuInS2是I-III-vI）族化合物中最理想的吸收層材料，其理論光電轉換效率為27％--32％）希望你能滿意！

㈩ 半導體中，晶錠 晶棒有什麼區別

晶棒是指整個的單晶硅，因為單晶硅棒的製作是用直拉法 區熔法製作完成的，其成品均為棒狀，故稱為晶棒，也有將單晶硅稱作晶錠的，但很少。大多數晶錠是指多晶硅塊。