半導體Metal是什麼
A. metal什麼意思
metal
[英] ['met(ə)l][美] ['met(ə)l]
（1）釋義：
動詞.(〔英國〕 -ll-)用金屬包，用碎石鋪(路面)
名詞.金屬
網路.金屬製品，金屬的，合金
變形.復數：metals，過去分詞：metaled，現在分詞：metaling
（2）搭配：
metal plate，use metal，precious metal，sell metal
B. metal是什麼意思
metal
met.al
[`mZtl;
ˋmєtl]
《源自拉丁文「礦物」的意思》
名詞
1 (U) 金屬
made of ~
金屬制的
a worker in ~s
金屬工 (匠)
base [imperfect] ~s
賤金屬
(銅、鐵、鉛等)
heavy [light] ~s
重 [輕] 金屬
noble [perfect] ~s
貴金屬
(金、銀等)
2 [~s](英)鐵軌
leave [run off, jump] the ~s <
火車> 出軌
3 (U) (鋪路用的) 碎石料 (road metal)
4 (U)本性,本質,本來面目
(cf. mettle)
He is made of true ~.
他本性老實
5(U)
a. 熔化的玻璃
b. (熔化中的) 鑄鐵
6(C)『化學』金屬元素
及物動詞
(met.aled,(英)-alled;
met.al.ing,(英)-al.ling)
1 用金屬包 [覆蓋] …
2 用碎石鋪<路>
a ~ed road
鋪碎石的路,碎石路
C. 半導體metal工藝是什麼意思
在晶元製作中的metal工藝，指CMS製程;
D. 魅藍E和魅藍metal有什麼區別
魅藍E和魅藍MAX的區別：1、魅藍E是5.5寸屏幕，魅藍MAX是6寸屏幕；2、魅藍E只有32GB版本，魅藍MAX是64GB版本；3、魅藍E是3100mAh的電池，魅藍MAX是4100mAh的電池。
E. Non-metal和metalloid有什麼區別
non-metal 英['nɒnm'etl]美['nɒnm'etl] 非金屬
metalloid 英[ˈmetlɔɪd] n.類金屬 adj.類似金屬性的 非金屬; 准金屬；半金屬
區別：
non-metal ：沒有金專屬的物理和化學性質,如氧屬或硫.
metalloid：具有一些金屬化學特性,能與金屬結合生成合金的非金屬元素，例如：砷、碳元素
F. 半正半導體名詞解釋
根據能帶理論，根據價帶與導帶之間的間隔從窄到寬，固體可以依次分為金屬、半金屬、半導體和絕緣體。對於半導體和絕緣體，導帶和價帶之間的間隔相對較大，使得費米能級附近電子的態密度等於零，稱為帶隙。
先說半導體，這個概念沒什麼疑議，即價帶和導帶之間存在帶隙，一般在1～3eV，通過熱激發或者施加外電場可以使電子從價帶躍遷至導帶。
半金屬，在英文中對應兩個側重點不同的詞，semimetal和half-metal。
半金屬（semimetal）是指價帶和導帶之間相隔很窄的材料。由於導帶和價帶之間的間隔十分小，使得費米能級附近電子的態密度接近於零。
半金屬（half-metal）是指對於自旋為某一方向的電子表現為導體，但是對於自旋為另一方向的電子表現為半導體或絕緣體的材料。所有半金屬都是鐵磁性或亞鐵磁性的，但是大多數鐵磁性或亞鐵磁性的材料都不是半金屬。許多已知的半金屬都屬於氧化物、硫化物或赫斯勒合金。
有人建議把half-metal翻譯成「半極性金屬」（或「半極金屬」）以示與semimetal的區別，但文獻中大多依舊兩種都稱作半金屬。
G. 什麼是半導體中的新技術：high-k metal-gate (HKMG)
在65nm時代，漏電一直是降低處理器良品率、阻礙性能提升和減少功耗的重要因素。而隨著處理器採用了45nm工藝，相應的核心面積會減少，導致單位面積的能量密度大幅增高，漏電問題將更加凸顯，如果不很好解決，功耗反而會隨之增大。而傳統的二氧化硅柵極介電質的工藝已遇到瓶頸，無法滿足45nm處理器的要求，因此為了能夠很好的解決漏電問題，Intel採用了鉿基High-K(高K)柵電介質+Metal Gate(金屬柵)電極疊層技術。
相比傳統工藝，High-K金屬柵極工藝可使漏電減少10倍之多，使功耗也能得到很好的控制。而且，如果在相同功耗下，理論上性能可提升20％左右。正是得益於這種新技術，Intel的45nm工藝在令晶體管密度提升近2倍，增加處理器的晶體管總數或縮小處理器體積的同時，還能提供更高的性能和更低的功耗，令產品更具競爭力。
此外，我們要知道High-K柵電介質技術，相比以往的氮氧化合物/多晶硅柵堆疊技術成本會有所增加，而Intel為了保持工藝技術上的領先，不惜高成本採用了High-K柵電介質技術，我們也可以看出Intel對45nm處理器能否取得成功相當重視。而由於High-k閘極電介質和現有硅閘極並不兼容，Intel全新45nm晶體管設計也必須開發新金屬閘極材料，目前新金屬的細節仍屬商業機密，Intel現階段尚未說明其金屬材料的組合。
H. 在半導體技術中 MET&DR 中文代表什麼意義
MET：應該是 metal 或者 metalize 的縮寫，是金屬化的意思
DR：可能是 dry的縮寫，是乾燥的意思
半導體製程中，MET多應用於晶圓製造廠，DR的話，則很多process都會應用到
I. 晶元製造中的術語：Poly/Metal是什麼意思
這么多年都沒人回復，囧~~
就是1層晶體管，5層或者7層金屬連線的意思~~~