p型半導體為什麼是負離子

『壹』 PN結中P型區,只是少了空穴而已.怎麼會有負離子存在呢

P區的空穴被N區過來電子填了，就帶負電了，你可這樣理解，兩個區本來都是電中性，後來一群電子從N區跑到P區，電子本身是負電荷，N區少了電子帶了正電，P區多了電子電荷帶了負電

『貳』 p型半導體中的雜質原子為什麼會成為不可移動的負離子而不是正離子

如果是單一雜質，那麼它能使半導體變成P型，就證明它是受主，受主就多電子。專
比如B在Si中，屬Si4個電子，B3個電子，但是摻雜後，B多了一個電子。
如果是多種雜質，就有了雜質補償效應，看是受主多還是施主多，然後判斷相應的型

『叄』 p型半導體中的雜質原子為什麼會成為不可移動的負離子

如果是單一雜質,那麼它能使半導體變成P型,就證明它是受主,受主就多電子.
比如B在Si中回,Si4個電子,B3個電子,但是摻雜答後,B多了一個電子.
如果是多種雜質,就有了雜質補償效應,看是受主多還是施主多,然後判斷相應的型

『肆』 本徵半導體摻入三價元素硼為什麼會形成P型半導體+3價為什麼還是負離子

你看圖，在圈裡的黑點都是電子，形成了固定的化學鍵，不能亂動，所以無法回作為載流子。
白點空穴，答就是那個白點沒電子，所以白點沒有形成固定的化學鍵，可以移動，作為載流子形成電流。
空穴是載流子的時候就是p型半導體，positive，因為空穴是帶正電的。
+3價是最外層電荷數，和陰離子沒關系，因為中性的硼最外層3個電子，現在有4個，比原來多1個，所以是陰離子。
比如食鹽NaCl，Cl-也是陰離子，最外層電荷+7，現在形成食鹽後，最外層有8個電子，比原來多一個，所以是陰離子。

『伍』 為什麼P型半導體是電中性

是由於半導體和摻入的微量元素都是電中性的，而摻雜過程中既不喪失電荷又不從外界得到電荷，只是在半導體中出現了大量可運動的電子或空穴，並沒有破壞整個半導體內正負電荷的平衡狀態。

P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

(5)p型半導體為什麼是負離子擴展閱讀：

一、特點

半導體中有兩種載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴。 如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導體就稱為P型半導體。

「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。

因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

二、形成原理

要產生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。

對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子。

氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱後，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。

『陸』 問個問題，P型半導體為什麼是電中性而PN結為什麼不是電中性呢 P型半導體是正離子和負離子的正負電荷量相等

PN結的陰陽離子是分開的

『柒』 本徵半導體摻入三價元素硼為什麼會形成P型半導體+3價為什麼還是負離子

你看圖，在圈裡的黑點都是電子，形成了固定的化學鍵，不能亂動，所以無法作為載流專子。
白點空穴，就屬是那個白點沒電子，所以白點沒有形成固定的化學鍵，可以移動，作為載流子形成電流。
空穴是載流子的時候就是p型半導體，positive，因為空穴是帶正電的。
+3價是最外層電荷數，和陰離子沒關系，因為中性的硼最外層3個電子，現在有4個，比原來多1個，所以是陰離子。
比如食鹽NaCl，Cl-也是陰離子，最外層電荷+7，現在形成食鹽後，最外層有8個電子，比原來多一個，所以是陰離子。

『捌』 為什麼N型半導體中不導電的是正離子而P型半導體是負離子

假設半導體是硅
N型半導體中摻雜的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷
當磷占據一個硅原子的位置時，磷元素外圍的5個電子 4個形成共價鍵，還有一個形成自由電子
所以N型半導體導電的是電子
相反，P型 中摻雜 3 族元素 如B 硼 你可以這樣理解，B 與 Si形成共價鍵需要從外間獲取一個電子，形成一個空穴，所以導電的是空穴 既是正電子。

『玖』 PN結，為什麼p接正極，n接負極p不是留下負離子，不是要接負極

在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。

由於擴散運動形成了上圖中的PN結。就是紅色虛線內側一帶。這個PN結形成的內電場的方向是向左。這個電場的效果是阻止擴散的進行。使PN二個半導體之間不再有電荷的定向移動。

如果外加一電場，P接正極、N接負極，則N區的多數載流子--電子就可以越過PN結，相當於這里增加了一個空穴，也常說是空穴越過了PN結從P區到達N區。在外加電場的作用下，這種漂移運動不斷進行，就形成了正向電流。

(9)p型半導體為什麼是負離子擴展閱讀：

在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子，空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子，自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。

擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。

『拾』 p型半導體中的雜質原子為什麼會成為不可移動的負離子而不是正離子

如果是單一雜質,那麼它能使半導體變成P型,就證明它是受主,受主就多電子.
比如版B在Si中,Si4個電子,B3個電子,但是摻雜權後,B多了一個電子.
如果是多種雜質,就有了雜質補償效應,看是受主多還是施主多,然後判斷相應的型