半導體四價元素有什麼

Ⅰ 參雜半導體分類為什麼分別參雜幾價元素兩種參雜半導體的多和少分別為

畫的顏色的話，當然是看到他導體能夠啊，導體的質量的多少，還有最終的一個韻律的方法

Ⅱ 錫 鉛 為什麼不是半導體，他們都是四價元素啊。誰能給個專業的分析

同學不是四價的問題 這個是看元素價帶和導帶間的間隙決定的 呵呵
不是一兩句能說清的
在金專屬屬元素和非金屬元素分界線的那一道線上，都是半導體，具體的為：
硼、硅、鍺、砷、銻、碲、釙
這個 你具體要學固體物理學 才能徹底弄清楚
希望可以幫到你。

Ⅲ 所有四價元素都可做半導體嗎

不是，例如：C

Ⅳ 半導體中四價元素和五價元素的區別是什麼

半導體中四價元素和五價元素的區別是什麼
以一個硅的本質半導體來說明摻雜的影響回.硅有四個價電子,常用於硅的摻雜答物有三價與五價的元素.當只有三個價電子的三價元素如硼（boron）摻雜至硅半導體中時,硼扮演的即是受體的角色,摻雜了硼的硅半導體就是p型半導體.

Ⅳ 半導體主要有哪些特性

半導體的特徵：

一、半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在 之間。

二、半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。

三、如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(如磷)後，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在於半導體原子結構的特殊性。

常用的半導體材料是單晶硅（Si）和單晶鍺（Ge）。所謂單晶，是指整塊晶體中的原子按一定規則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導體稱為本徵半導體。

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一、本徵半導體的原子結構

半導體鍺和硅都是四價元素，其原子結構示意圖如圖Z0102所示。它們的最外層都有4個電子，帶4個單位負電荷。通常把原子核和內層電子看作一個整體，稱為慣性核。

慣性核帶有4個單位正電荷，最外層有4個價電子帶有4個單位負電荷，因此，整個原子為電中性。

二、應用

1、在無線電收音機及電視機中，作為「訊號放大器/整流器」用。

2、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的准確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

3、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應.

Ⅵ 為什麼半導體要摻雜三價或者五價的元素

單晶硅（四價復）時，沒個硅原子制和其周圍的硅原子組成8電子穩定結構。
當三、五族元素摻入到單晶硅後，不管是替位（摻雜原子代替某個硅原子）還是間隙（較小的雜質原子可摻入到硅原子間隙之中），他們的特點都是離8電子穩定結構差1個電子 (三價的是少一個電子，就是在穩定結構之外形成空穴--姑且認為是反電子[希望你能明白，事實上是少1個電子，數學上表示就是多-1個電子，負1個電子就相當於正1個正電子，這里叫空穴，意思是留著可以填充電子的空位=。=]；五價的是多一個電子，就是在穩定結構之外形成一個電子啦--其實就是多出來的)。

恰恰就是因為通過摻雜有了電子和空穴才使得本來絕緣的si具有導電性，具體是怎麼導電的，這里就不再贅述了，因為這也不是你的問題。

言歸正傳，如果是四價元素作為雜質的話，即使它不是si，但由於其最外層電子結構和硅一樣，依然會構成8電子穩定結構，不能導電（因為沒有空穴和電子）。對於六價，理論上是可以的，但是由於他的外層電子是六個，只可以同時和兩個si（前面都是四個）公用電子對，結構不穩定，而且這種物質的導電性能如何也不得而知~

Ⅶ 什麼是四價元素

就是原子核最外層有四個可以參與化學反應的價電子的元素。

Ⅷ 本徵半導體為何只摻雜3價或者5價的元素而不用其它價

半導體材料一般是鍺或者硅，他們最外層電子是4，一次是四價元素，這些硅原回子或者鍺原子答之間形成共價鍵，而加入三價元素後，形成共價鍵時由於要形成四個共價鍵，而三價元素外只有三個電子，故形成一個空位，其他自由電子來補充，形成空穴，形成p型半導體，其中導電的是那些帶正電的空穴。
同理，加入五價元素後，由於只需要四個原子形成共價鍵，多出一個電子，形成N型半導體，因此N型半導體中導電的為電子。
而其他價的元素與四價元素結構相差很多，其它價元素性質活潑，不能與四價元素形成共價鍵。

Ⅸ 半導體有些什麼性質(效應)

沒有半導體你就提不了這個問了
在半導體中雜質 半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位於禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是雜質能級，通常位於禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由於缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本徵半導體情形要小得多。半導體摻雜後其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發或光激發都會使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理製成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱N型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故N型半導體中可存在少量導電空穴，P型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色
PN結 P型半導體與N型半導體相互接觸時，其交界區域稱為PN結。P區中的自由空穴和N區中的自由電子要向對方區域擴散，造成正負電荷在 PN 結兩側的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當由於載流子數密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，P區和N區之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由於P 區中的空穴向N區擴散後與N區中的電子復合，而N區中的電子向P區擴散後與P 區中的空穴復合，這使電偶極層中自由載流子數減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成PN結的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。
PN結具有單向導電性，半導體整流管就是利用PN結的這一特性製成的。PN結的另一重要性質是受到光照後能產生電動勢，稱光生伏打效應，可利用來製造光電池。半導體三極體、可控硅、PN結光敏器件和發光二極體等半導體器件均利用了PN結的特性。
基於PN結,就有了晶體管,才有了集成電路,電子產品中的各種晶元都是集成電路