生產半導體需要哪些材料

Ⅰ 半導體怎樣自己製作

只想告訴你：年輕人，想多了
製作半導體材料需要一套完整的加工生產線，都是幾億才版能權堆出來的。
首先你要把沙子還原成粗硅，然後在提純變成多晶硅，最後用直拉法製作硅棒，再切片製作出晶圓。你所說的半導體製造的前半部分就是這些了。
如果要製作器件還要摻雜，光刻就更貴了，總之半導體行業就是燒錢的。

Ⅱ 製造簡單的半導體收音機要哪些材料

DIY收音機是學習模電知識絕佳的機會.不知道你的收音機需要什麼波段的內,AM,SW,FM?我以AM調幅收音機為例簡單容介紹下吧.

調幅收音機一般有兩部分:中頻放大部分和低頻(音頻)放大部分

中頻->如果你對模擬電子比較熟悉的話,可以用三極體,電阻,電容來搭這個中頻部分,中頻部分的核心就是一個LC諧振迴路加放大和檢波,LC你可以用分立元件來搭,放大和檢波電路如果用個專用晶元會更容易,TA7642,MK-484,ZN414就是這類元件,內部由9隻三極體、16隻電阻器和4個電容器組成，功能包括一級高阻輸入緩沖、三級高頻放大和一級檢波，採用TO-92型塑封包裝.

低頻->這部分電路可以根據個人情況來選取,比中頻簡單的多,低放功放既可以選用分立器件的也可以選用集成的,集成功放常用的有TDA2822（M）、LM386等.

附上張圖供你參考吧,希望能幫上忙!

Ⅲ 半導體的生產流程

流片、封裝和測試三大工序，當然每個大工序裡面還有幾十個小的工序，你需要詳細了解就要買書看了。具體還要看是哪種電路，模擬和數字不太一樣，根據可靠性要求不同每道工序又會有差別等等。

Ⅳ 晶元是用什麼材料用什麼工具製造的

如果說因為2018年的中興事件，讓大家知道發展中國芯是迫在眉睫的事情，那麼2019年的華為事件，更是讓大家意識到了晶元被卡是一件多麼嚴峻的事情。

而2020年的晶元禁令升級明白，其實中國芯要發展，可不僅僅是解決晶元本身的問題，而是要差不多要解決整個產業鏈的問題，從材料到設備、再到軟體，都要解決，才能不被卡脖子。

而仔細分析整個晶元產業鏈，其實我們發現最重要的是兩座大山，解決好了這兩座大山，基本上就解決了所有的問題了。

第一座大山是原材料，就拿生產晶元的硅來講，需要9個9純度的硅，目前國內擁有這種技術的不多，主要靠進口，並且是從日本進口，日本企業的份額高達75%+，再拿光刻膠來講，也主要從日本進口。

其實不只是硅、光刻膠這些材料，在整個半導體材料領域，日本都是占統治地位，按照網上的說法，半導體領域一共19種核心材料，日本有14種份額超50%。

雖然日本沒有卡中國的脖子，但去年可是卡過韓國的，難保以後會不會拿這個來作文章，所以還是自己掌握比較好。

第二座大山則是設備、軟體等。軟體就如EDA等工業軟體，美國處於統治地位，matlab、CAD等等這些軟體，得看美國的。

同時像光刻機雖然荷蘭最強，但也得看美國的，另外全球10大半導體設備廠商中，美國有4家，佔了全球50%左右的份額，尤其在沉積、刻蝕、離子注入、CMP、勻膠顯影等領域，美國技術領先。

而今年的晶元禁令升級，美國更是要求全球所有合作美國設備的晶元廠商，向華為提供產品時，需要美國的許可證，憑的就是美國在半導體設備上的統治地位。

Ⅳ 什麼樣的石頭是製造半導體的主要材料

就是普通砂子。工藝流程：首先是硅提純，將沙石原料放入一個溫度約為2000 ℃，並且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應（碳與氧結合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純，因為半導體材料的電學特性對雜質的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態的氯化氫進行氯化反應，生成液態的硅烷，然後通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%，成為電子級硅。
接下來是單晶硅生長，最常用的方法叫直拉法。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，並用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉，把一顆籽晶浸入其中，並且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻後就生長成了與籽晶內部晶格方向相同的單晶硅棒。用直拉法生長後，單晶棒將按適當的尺寸進行切割，然後進行研磨，將凹凸的切痕磨掉，再用化學機械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡，晶圓片製造就完成了。

Ⅵ 從事半導體製造行業需要哪些基礎知識

在學樣里學好專業課就行了,另外外文一定要好.智商也重要!平時練練腦筋急轉彎.上上論壇icksy.com.cn

Ⅶ 半導體晶元的半導體晶元的製造材料

為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此專包括摻雜物的屬純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體器件而言，材料晶格的缺陷（晶體缺陷）通常是影響元件性能的主因。
目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為柴可拉斯基法（鋼鐵場常見工法）。這種工藝將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。