NA是什麼半導體
Ⅰ 半導體化學原料的成份，需要了解。
密封者 聚氨酯PU密封膠
特性
●雙組份常溫反應固化。
●平面專用型（L型）/立面專用型（N型）。
●無溶劑、無毒，可用於飲用水工程。
●具有嵌縫密封防水、粘接、防滲多種功能。
優點
●優異的粘結力，可與水泥、木材、金屬、玻璃等建材粘結。
●彈性好，延伸率大，易彎曲，能承受接縫移動或變形，密封性能好。
●耐老化、耐高低溫、耐化學介質腐蝕。
●施工操作簡單，顏色可根據基材調配。
成分
●A組份，聚醚多元醇，多異氰酸酯
●B組份，固化劑、助劑、填料
推薦用於
●混凝土建築的沉降縫、伸縮縫、施工縫、分割縫處密封防水。
●建築物屋面板、外牆板、樓板、陽台、門窗框接縫密封防水。
●飛機場跑道、高等級公路、橋梁等工程嵌縫密封防水。
●飲用水池、游泳池進出管口的密封防水。
●粘貼各種保溫板、裝飾板、高分子防水卷材等。
清模膠
據日本專利JP 08 283 454報道,一種清除反復模壓半導體用雙苯基環氧樹脂後留在模具表面污垢的清模膠組成為。橡膠主組分,l,8一二氮雜二環(5,4,0)一7-+一碳烯(DBU),1,5一二氮雜二環(4,3,O)一5一壬烯(DBU)和/或DBU與DBN的鹽。 如,乙烯一丙烯橡膠,丁二烯橡膠,白炭黑,『TiO:,4,4一
抱歉，其實這方面我也不太了解，這是我能找到的最多的信息了~~
Ⅱ N,F,Na,Mg,Al,siCl,Ar,K,Br可作半導體材料的元素是
是Si，硅。
半導體的導抄電性能比導體差而比絕緣體強。實際上，半導體與導體、絕緣體的區別在不僅在於導電能力的不同，更重要的是半導體具有獨特的性能（特性）。
在純凈的半導體中適當地摻入一定種類的極微量的雜質，半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體最顯著、最突出的特性。
硅原子的核外電子第一層有2個電子，第二層有8個電子，達到穩定態。最外層有4個電子即為價電子，它對硅原子的導電性等方面起著主導作用。硅晶體中沒有明顯的自由電子，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質。
純硅的電阻率為214×1000歐姆/厘米，幾乎是不導電的。但若摻入百萬分之一的硼元素，電阻率就會減小到0.4歐姆/厘米。因此，人們可以給半導體摻入微量的某種特定的雜質元素，精確控制它的導電能力，用以製作各種各樣的半導體器件。
以上元素中，除了硅外都不具有這種性質，所以都不能作為半導體的材料。
Ⅲ 半導體中如果Nd大於Na，那麼這個半導體是什麼型半導體（室溫）
Nd>Na 屬於n型半導體...
室溫下,本徵載流子濃度ni=c(一個定值)
n=Nd-Na+p
p=ni^2/n
Ⅳ 二極體中為什麼N型半導體標正號P型標負號
途中來正負表明的是自建場的方向。
N型半源導體區域多子為電子，所以ND雜質帶正電（因為提供給了Si電子）
P型半導體區域多子為空穴，所以NA雜質帶電子（吸收了Si提供的電子）
在P型半導體與N型半導體接觸時，會產生勢壘區，因為載流子是可流動的，而且由高濃度向低濃度擴散，所以P型半導體的空穴流向N型半導體，N型半導體的電子流向P型半導體。
所以P型半導體區域留下了不能擴散的雜質NA，N型半導體留下了不能擴散的ND（因為接觸不改變物質形態，所以質子不發生轉移）
所以N區勢壘區帶正電，P型勢壘區帶負電。
途中圓圈中的正負，代表的是雜質帶電性。空心圈代表空穴，藍色實心圈代表電子。勢壘區域
外的半導體屬於中性區，電子與空穴均不離開配對的雜質與Si原子。
Ⅳ 關於半導體摻雜。。。。。。。。。。。。。q(ND + p - NA - n) = 0怎麼看出電中性的
問題一
首先摻雜後的抄半導體中一共有四種帶點體，
帶正電荷的有：1.失去一個電子後帶正電的磷原子，即正電中心，2.正電空穴。
所以正電荷濃度為：ND+P
帶負電荷的有：1.得到一個電子後帶負電荷的彭原子，即負電中心，2.負電子。
所以負電荷濃度為：NA+N
樓主給的公式等價於：ND + P = NA + N
即整個半導體內部的正電荷濃度等於負電荷濃度，所以電中性。
問題二
至於NP=Ni^2,這個問題涉及到半導體內部電子，空穴濃度計算公式和費米能級的問題，需要經過一定推到，由於公式不太好些，我就不寫了，樓主可查看國防工業出版社劉恩科寫的《半導體物理學》第63頁面，推到不難，樓主自己看看吧！
望有助於樓主！
Ⅵ 雜質半導體可以分為哪兩種
N型半導復體、P型半導體。制
1、N型半導體在本徵半導體硅（或鍺）中摻入微量的5價元素，例如磷，則磷原子就取代了硅晶體中少量的硅原子，占據晶格上的某些位置。
2、在本徵半導體硅（或鍺）中，若摻入微量的3價元素，如硼，這時硼原子就取代了晶體中的少量硅原子，占據晶格上的某些位置。
(6)NA是什麼半導體擴展閱讀
屬性：
1、電荷中立的條件：如果導帶中的電子濃度為n，價帶中的空穴濃度為p，電離的施主濃度為ND，電離的受主濃度為NA，則滿足以下電荷中性條件。
2、載流子密度：
考慮所有摻雜雜質被離子化的情況。導帶中的電子濃度n，價帶中的空穴濃度p和非退化半導體的本徵載流子密度ni之間具有以下關系。
參考資料來源：網路-雜質半導體
Ⅶ 請問書上對於P型雜雜質半導體是這樣說的：電中性條件為p0=Na+n0，為什麼裡面沒有硅離子硅離子不存在
這里是這樣抄的
P是空穴，包括兩部分，一部分是熱運動形成的空穴P1,一部分是受主雜質和Si作用產生的P2（這部分可以理解為硅離子，即失去電子的硅離子形成的空穴）。
N是電子，包括兩部分，一部分是熱運動產生的N1（等式里的n0），一部分是受主雜質和Si作用產生的（Na，即受主雜質帶的電子）。
總之，在這樣一塊P型半導體里，只有熱運動產生的空穴和電子，以及受主和硅作用產生的空穴和電子，你把它們對應進等式，就明了了。
Ⅷ 請問什麼叫做載流子
在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體物理學中，電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴[1]）被視為載流子。金屬中為電子，半導體中有兩種載流子即電子和空穴。
在電場作用下能作定向運動的帶電粒子。如半導體中的自由電子與空穴，導體中的自由電子，電解液中的正、負離子，放電氣體中的離子等。
"載流子" 在學術文獻中的解釋：
1、不論是N型半導體中的自由電子,還是P型半導體中的空穴,它們都參與導電,統稱為「載流子」.「載流子」導電是半導體所特有的
2、關於氣體導電眾所周知,導體之所以容易導電,是因為「導體中存在大量的可以自由移動的帶電物質微粒,稱為載流子.在外電場的作用下,載流子作定向運動,形成明顯的電流」
在半導體中載運電流的帶電粒子——電子和空穴,又稱自由載流子。在一定溫度下,半導體處於熱平衡狀態,半導體中的導電電子濃度n0和空穴濃度p0都保持一個穩定的數值,這種處於熱平衡狀態下的導電電子和空穴稱為熱平衡載流子。
在本徵半導體中只發生熱激發時,電子數目等於空穴數目,這時熱平衡載流子濃度為
式中m0為電子質量,kg;mn*為電子有效質量,kg; mp*為空穴有效質量,kg;k為玻耳茲曼常數,J/K;Eg為禁帶寬度,eV;ni為本徵載流子濃度,cm-3;T為絕對溫度,K。
對於雜質半導體,N型半導體中的電子和P型半導體中的空穴稱為多數載流子(簡稱多子),而N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子稱為少數載流子(簡稱少子)。在強電離的情況下,N型半導體中多子濃度nn及少子濃度pn分別為
P型半導體中多子濃度pp及少子濃度np分別為
上二式中ND為施主雜質濃度,cm-3;NA為受主雜質濃度,cm-3。
如果對半導體施加外界作用(如用光的或電的方法),破壞了熱平衡條件,使半導體處於與熱平衡狀態相偏離的狀態,則稱為非平衡狀態。處於非平衡狀態的半導體,其載流子比平衡狀態時多出來的那一部分載流子稱為非平衡載流子。在N型半導體中,把非平衡電子稱為非平衡多數載流子,非平衡空穴稱為非平衡少數載流子。對P型半導體則相反。在半導體器件中,非平衡少數載流子往往起著重要的作用。
載流子壽命 life time of carriers
非平衡載流子在復合前的平均生存時間,是非平衡載流子壽命的簡稱。在熱平衡情況下,電子和空穴的產生率等於復合率,兩者的濃度維持平衡。在外界條件作用下(例如光照),將產生附加的非平衡載流子,即電子—空穴對;外界條件撤消後,由於復合率大於產生率,非平衡載流子將逐漸復合消失掉,最後回復到熱平衡態。非平衡載流子濃度隨時間的衰減規律一般服從exp(-t/τ)的關系,常數τ表示非平衡載流子在復合前的平均生存時間,稱為非平衡載流子壽命。在半導體器件中,由於非平衡少數載流子起主導作用,因此τ常稱為非平衡少數載流子壽命,簡稱少子壽命。τ值范圍一般是10-1～103μs。復合過程大致可分為兩種:電子在導帶和價帶之間直接躍遷,引起一對電子—空穴的消失,稱為直接復合;電子—空穴對也可能通過禁帶中的能級(復合中心)進行復合,稱為間接復合。每種半導體的r並不是取固定值,將隨化學成分和晶體結構的不同而大幅度變化,因此,壽命是一種結構靈敏參數。τ值並不總是越大越好。對於Si單晶棒和晶體管的靜態特性來說,希望τ值大些。但是,對於在高頻下使用的開關管,卻往往需要摻雜(擴散金),以增加金雜質復合中心,降低τ值,提高開關速度。近年來,在電力電子器件生產中,常用電子束輻照代替摻金,降低τ值。在Si和GaAs材料、器件和集成電路生產過程中,τ值是必須經常檢測的重要參數。