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半導體器件包括哪些

發布時間: 2021-01-09 07:11:05

1. 大功率半導體器件有哪些

你問的是大功率MOS管嗎?IR公司非常多。網站:http://www.irf.com/indexsw.html(有內中容文)

2. 半導體器件具有

答:一、半導體器件有晶體二極體、雙極型晶體管和場效應晶體管。

1、晶體二極體回答

晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。

2、雙極型晶體管

它是由兩個PN結構成,其中一個PN結稱為發射結,另一個稱為集電結。

3、場效應晶體管

它依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應),使具有放大信號的功能。

二、半導體器件用途

半導體器件可用作在整流器、振盪器、發光器、放大器上。

3. 常用半導體器件有哪幾種

整流二極體 開關二極體 穩壓二極體 肖特基二極體 幾乎都可以在任何電路中找到
這是最基本 最常用 最不可或缺的半導體器件系列

4. 半導體器件有哪些分類

現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其製造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類,一般來說這些還會被再分成小類。此外,IC除了在製造技術上的分類以外,還有以應用領域、設計方法等進行分類,最近雖然不常用,但還有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
半導體器件的種類:
一、分立器件
1、 二極體
A、一般整流用
B、高速整流用:
①FRD(Aast Recovery Diode:高速恢復二極體)
②HED(Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體)
③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體)
C、定壓二極體(齊納二極體)
D、高頻二極體
①變容二極體
②PIN二極體
③穿透二極體
④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體
2、 晶體管
①雙極晶體管
②FET(Fidld Effect Transistor:場效應管)
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)
3、 晶閘管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅
②GTO(Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管)
③LTT(Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管)

二、光電半導體
1、LED(Light Emitting Diode:發光二極體)
2、激光半導體
3、受光器件
①光電二極體(Photo Diode)/太陽能電池(Sola Cell)
②光電晶體管(Photo Transistor)
③CCD圖像感測器(Charge Coupled Device:電荷耦合器)
④CMOS圖像感測器(complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體)
4、光耦(photo Relay)
①光繼電器(photo Relay)
②光斷路器(photo Interrupter)
5、光通訊用器件

三、邏輯IC
1、通用邏輯IC
2、微處理器(Micro Processor)
①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)
②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)
3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)
4、AASIC(Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC)
①柵陳列(Gate-Array Device)
②SC(Standard Cell:標准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)
5、MPR(Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI)
6、系統LSI(System LSI)

四、模擬IC(以及模擬數字混成IC)
1、電源用IC
2、運算放大器(OP具Amp)
3、AD、DA轉換器(AD DA Converter)
4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)

五、存儲器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)
3、快閃式存儲器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)

5. 半導體及電子元器件有什麼區別,怎麼區分

我們平復時說的半導制體,其實是指半導體元器件(或集成電路),也就是由半導體材料製造的電子元器件(或集成電路),目前,常用的半導體材料包括三種:硅、鍺、砷化鎵。

所以,你問「半導體及電子元器件有什麼區別」,是錯誤的說法,但是,我們可以說:半導體元器件或半導體集成電路是電子元器件的一個分類……

6. 半導體器件有哪些器件

整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。

7. 什麼是半導體功率器件

功率半導體器件,嘿嘿,本人的本行。功率半導體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導體器件。給個數量吧,電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流能力最高可達幾千A。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
早期的功率半導體器件:大功率二極體、晶閘管等等,主要用於工業和電力系統(正因如此,早期才被稱為電力電子器件)
後來,隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發展,現在功率半導體器件已經非常廣泛啦, 在計算機、通行、消費電子、汽車電子 為代表的4C行業(computer、communication、consumer electronics、cartronics),功率半導體器件可以說是越來越火,現在不是要節能環保嗎,低碳生活,那就需要對能量的處理進行合理的管理,power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV 嗎,所以就需要對電壓電流的運用進行有效的控制,這就與功率器件密不可分! 功率管理集成電路(Power Management IC,也被稱為電源管理IC)已經成為功率半導體器件的熱點,發展非常迅速噢!

功率半導體器件,在大多數情況下,是被作為開關使用(switch),開關,簡單的說,就是用來控制電流的 通過 和 截斷。 那麼,一個理想的開關,應該具有兩個基本的特性:
1,電流通過的時候,這個理想開關兩端的電壓降是零
2,電流截斷的時候,這個理想開關兩端可以承受的電壓可以是任意大小,也就是0~無窮大
因此,功率半導體器件的研究和發展,就是圍繞著這個目標不斷前進的。現在的功率半導體器件,已經具有很好的性能了,在要求的電壓電流處理范圍內,可以接近一個比較理想的開關。

好了,扯了這么多,舉幾個功率半導體器件的例子吧,剛才已經說了,功率二極體,晶閘管,還有功率BJT(就是功率雙極型晶體管)這些都是第一代產品了,比較老的了,第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導體器件,如VDMOS、LDMOS,以及IGBT。
VDMOS 即(vertical double-diffusion MOSFET)是縱向器件,多用於分立器件;LDMOS 即(Lateral double-diffusion MOSFET),是橫向器件,其三個電極均在矽片表面,易於集成,多用於功率集成電路領域。 IGBT 即 (Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管),可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊,國內才剛剛起步,大量需要IGBT的高技術人才,這個有錢途的。
扯了好多啊,先就這么多吧,要細說的話,可以說一天。希望我的回答對你有幫助,一字一句都是原創,望採納

8. 半導體器件型號由哪些部分組成

五個部分意義如下: 第一部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。專2-二極體屬、3-三極體 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極體時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管(f3MHz,Pc<1W)、D -低頻大功率管(f<3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管(f3MHz,Pc1W)、T-半導體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用數字表示序號 第五部分:用漢語拼音字母表示規格號

9. 半導體器件都包括哪些

半導體器件(semiconctor device)通復常制,這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。

為了與集成電路相區別,有時也稱為分立器件。

絕大部分二端器件(即晶體二極體)的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構,已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。

三端器件一 般是有源器件,典型代表是各種晶體管(又稱晶體三極體)。

順便說一下半導體行業的企業,如Macom科技公司。

MACOM是半導體行業的支柱型企業,有著60多年的發展歷程。是一家高性能模擬射頻、微波和光學半導體產品領域的領先供應商,在射頻、微波、光電領域均享有很高知名度。

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