ews半導體中是什麼意思

『壹』 半導體電子商務中WPG是什麼意思

這問題無關宗教.是電子半導體學. 半導體材料
半導體材料的電性是位於導體和絕緣版體的中間。可區分為權元素半導體及化合物半導體兩大類,其中元素半導體材料以矽和鍺為代表;化合物半導體材料則以砷化鎵為代表。這些材料的電特性對 於存在的少量雜質元素的濃度非常敏感,影響其電性甚鉅。常見的雜質元素有磷、硼、砷等元素 。
為了改變電導率，特意向半導體摻入雜質。最常用的半導體是元素矽與鍺，它們的晶體點陣都由每個原子與它最鄰近的4個原子共享1個電子而構成。如果這種點陣中有少部分原子為有5個可成價電子的磷、砷等原子所取代，那麼每個雜質原子的多餘電子就用於導電。這種半導體就叫摻磷或摻砷半導體。其中磷或砷的原子就稱為施主 .能提供電子載流子的雜質稱為 " 施主雜質 ".

『貳』 半導體是什麼意思

顧名思義：導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（）．
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。
半導體的分類，按照其製造技術可以分為：分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，單還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
[編輯本段]半導體定義
電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度系數的物質。
半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。
鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
半導體（東北方言）：意指半導體收音機，因收音機中的晶體管由半導體材料製成而得名。
本徵半導體
不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。
[編輯本段]半導體特點
半導體三大特性∶攙雜性、熱敏性和光敏性。
★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。
★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。
共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對最外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。
自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由於熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。
空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。
電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產生定向移動，形成電子電流。
空穴電流：價電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產生定向移動），形成空穴電流。
本徵半導體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。
載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。
導體電的特點：導體導電只有一種載流子，即自由電子導電。
本徵半導體電的特點：本徵半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。
本徵激發：半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本徵激發。
復合：自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現象稱為復合。
動態平衡：在一定的溫度下，本徵激發所產生的自由電子與空穴對，與復合的自由電子與空穴對數目相等，達到動態平衡。
載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本徵半導體中載流子的濃度是一定的，並且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。
結論：本徵半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可製作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。
雜質半導體：通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。
N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。
多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大於空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。
少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。
施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。
N型半導體的導電特性：它是靠自由電子導電，摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能也就越強。
P型半導體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半導體。
多子：P型半導體中，多子為電子。
少子：P型半導體中，少子為空穴。
受主原子：雜質原子中的空位吸收電子，稱受主原子。
P型半導體的導電特性：摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強。
結論：
多子的濃度決定於雜質濃度。
少子的濃度決定於溫度。
PN結的形成：將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上，在它們的交界面就形成PN結。
PN結的特點：具有單向導電性。
擴散運動：物質總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動，這種由於濃度差而產生的運動稱為擴散運動。
空間電荷區：擴散到P區的自由電子與空穴復合，而擴散到N區的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區出現負離子區，N區出現正離子區，它們是不能移動，稱為空間電荷區。
電場形成：空間電荷區形成內電場。
空間電荷加寬，內電場增強，其方向由N區指向P區，阻止擴散運動的進行。
漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。
PN結的形成過程：如圖所示，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上，在無外電場和其它激發作用下，參與擴散運動的多子數目等於參與漂移運動的少子數目，從而達到動態平衡，形成PN結。

『叄』 半導體中insite是什麼意思

電子技術的發展增強來了發動機與自車輛的聯系，幫助使用者方便、高效、出色地完成工作。滿足要求日益嚴格的排放法規不是康明斯電控發動機所致力的唯一目標，服務用戶才是我們的主旨。基於Windows操作系統的發動機監控、診斷軟體－INSITE，為用戶提供了友好的界面和極大的自由度。其強大的功能是您有力的支持，使您盡可展開想像的翅膀，隨心所欲實現自己的夢想。

『肆』 工控中ews，ows是什麼意思

在工控行業中，DCS或者PLC這些過程式控制制系統中常常見到、ows、es、ops、cms、his等字母簡寫，具體含義如下：

ews或es：工程師站（用來進行系統組態的計算機，組態完成後管理員可通過它將編譯好工程下裝到各個 操作員站、伺服器、現場控制站）

ows或ops: 操作員站（在系統運行時，供操作員使用的人機介面設備（也是一台計算機）。操作員通過它提供的人機界面對系統運行狀況進行監視、控制。這種類型的計算機也可被組態為通信站，一些通訊軟體（例如 OPC、ModBus等）在其上運行，以和其它系統或設備交換數據）

his：歷史站（用於提供歷史資料庫、實時資料庫、報表列印、報警和IO服務的計算機）

cms：通訊站（顧名思義，和其它系統或設備交換數據）

以上所述的這些『站』，其實在控制系統的架構中都是計算機，只是賦予每台計算機的任務不同，如果這台計算機上安裝了工程師站軟體那麼它就是工程師站，如果安裝了操作員站軟體它就是操作員站，以此類推。

除此之外，工控行業還有很多字母簡寫，如系統類：FCS、DCS、PLC，網路類：SNET、MNET、工藝類：PT、TE、FT、LT，測點類：AI、AO、DI、DO、PI、SOE等等，限於篇幅這里不再復述。

以上所言為一個從業工控行業十一年的老鳥一字字敲出來的，望請採納！

為了加深理解，附圖DCS系統結構圖。

『伍』 soft cells在半導體器件中是什麼意思

場效應管直接
三極體能基極串聯合適電阻輸入電壓轉化基極電流同控制集電極電流

『陸』 半導體中RMS是什麼意思

RMS

RecipeManagementSystem

配 方管理系統

『柒』 usg 半導體工藝中是什麼意思

外層二氧化硅，防止吸潮 ，抗氧化