晶閘管由什麼半導體組成

⑴ 什麼是晶閘管

晶閘管，是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通內用電容器公司開發出世界上第一款晶閘管產品，並於1958年將其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

⑵ 什麼是晶閘管

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管專的門極屬G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。
晶閘管的工作條件：
1. 晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處於關斷狀態。
2. 晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。
3. 晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通後，門極失去作用。
4. 晶閘管在導通情況下，當主迴路電壓（或電流）減小到接近於零時，晶閘管關斷。

⑶ 普通晶閘管管心有幾層雜質半導體組成

普通晶閘管管心有4.0層雜質半導體組成.

⑷ 由半導體材料構成的一個什麼三端結構

晶閘管內部由半導體材料構成一個(四層)三端結構, 共形成(三個)PN結,引出(陽極

⑸ 晶閘管是一種什麼結構的半導體器件

晶閘管是一種具有PNPN四層結構的半導體器件，其不足：不能實現柵關斷，有閂鎖效應

⑹ 晶閘管的構成材料又哪些

晶閘管一般都是用單晶硅製造，它的另一個名字叫可控硅，由此可見。

⑺ 晶閘管的工作原理

晶閘管（thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上第一晶閘管產品，並於1958年使其商業化；晶閘管是pnpn四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為「v」、「vt」表示（舊標准中用字母「scr」表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管的種類

晶閘管有多種分類方法。
（一）按關斷、導通及控制方式分類
晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（gto）、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。
（二）按引腳和極性分類
晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。
（三）按封裝形式分類
晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
（四）按電流容量分類
晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多採用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多採用塑封或陶瓷封裝。
（五）按關斷速度分類
晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。

晶閘管的工作原理

晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極g和陰極k與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。
晶閘管的工作條件：
1.
晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處於關斷狀態。
2.
晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。
3.
晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通後，門極失去作用。
4.
晶閘管在導通情況下，當主迴路電壓（或電流）減小到接近於零時，晶閘管關斷

⑻ 晶閘管的工作原理是什麼

晶閘管的工作原理：

在晶閘管的陽極與陰極之間加反向電壓時，有兩個PN結處於反向偏置，在陽極與陰極之間加正向電壓時，中間的那個PN結處於反向偏置，所以，晶閘管都不會到導通(稱為阻斷)。

晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

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晶閘管的主要參數：

1、斷態重復峰值電壓UDRM

在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。

2、反向重復峰值電壓URRM

在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V。

通常把UDRM與UDRM中較小的一個數值標作器件型號上的額定電壓。由於瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3輩，作為安全系數。

3、額定通態平均電流(額定正向平均電流)IT

在環境溫度不大於40oC和標准散熱即全導通的條件下，晶閘管元件可以連續通過的工頻正弦半波電流(在

一個周期內)的平均值，稱為額定通態平均電流IT，簡稱額定電流。

⑼ 半導體器件型號由哪些部分組成

五個部分意義如下： 第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。專2-二極體屬、3-三極體 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f3MHz,Pc<1W)、D -低頻大功率管（f<3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用數字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規格號