半導體025微米是指什麼

❶ 半導體技術

你這個題目范圍太廣，給你兩個半導體大廠商做參考
Intel Pentium

1993年，全面超越486的新一代586 CPU問世，為了擺脫486時代微處理器名稱混亂的困擾，英特爾公司把自己的新一代產品命名為Pentium(奔騰)以區別AMD和Cyrix的產品。AMD和Cyrix也分別推出了K5和6x86微處理器來對付晶元巨人，但是由於奔騰微處理器的性能最佳，英特爾逐漸占據了大部分市場。

Pentium最初級的CPU是Pentium 60和Pentium 66，分別工作在與系統匯流排頻率相同的60MHz和66MHz兩種頻率下，沒有我們現在所說的倍頻設置。

早期的奔騰75MHz～120MHz使用0.5微米的製造工藝，後期120MHz頻率以上的奔騰則改用0.35微米工藝。經典奔騰的性能相當平均，整數運算和浮點運算都不錯。

Intel Pentium MMX

為了提高電腦在多媒體、3D圖形方面的應用能力，許多新指令集應運而生，其中最著名的三種便是英特爾的MMX、SSE和AMD的3D NOW!。 MMX（MultiMedia Extensions，多媒體擴展指令集）是英特爾於1996年發明的一項多媒體指令增強技術，包括57條多媒體指令，這些指令可以一次處理多個數據，MMX技術在軟體的配合下，就可以得到更好的性能。

多能奔騰(Pentium MMX)的正式名稱就是「帶有MMX技術的Pentium」，是在1996年底發布的。從多能奔騰開始，英特爾就對其生產的CPU開始鎖倍頻了，但是MMX的CPU超外頻能力特別強，而且還可以通過提高核心電壓來超倍頻，所以那個時候超頻是一個很時髦的行動。超頻這個詞語也是從那個時候開始流行的。

多能奔騰是繼Pentium後英特爾又一個成功的產品，其生命力也相當頑強。多能奔騰在原Pentium的基礎上進行了重大的改進，增加了片內16KB數據緩存和16KB指令緩存，4路寫緩存以及分支預測單元和返回堆棧技術。特別是新增加的57條MMX多媒體指令，使得多能奔騰即使在運行非MMX優化的程序時，也比同主頻的Pentium CPU要快得多。

這57條MMX指令專門用來處理音頻、視頻等數據。這些指令可以大大縮短CPU在處理多媒體數據時的等待時間，使CPU擁有更強大的數據處理能力。與經典奔騰不同，多能奔騰採用了雙電壓設計，其內核電壓為2.8V，系統I/O電壓仍為原來的3.3V。如果主板不支持雙電壓設計，那麼就無法升級到多能奔騰。

多能奔騰的代號為P55C，是第一個有MMX技術(整量型單元執行)的CPU，擁有16KB數據L1 Cache，16KB指令L1 Cache，兼容SMM，64位匯流排，528MB/s的頻寬，2時鍾等待時間，450萬個晶體管，功耗17瓦。支持的工作頻率有:133MHz、150MHz、166MHz、200MHz、233MHz。

Intel Pentium Pro

曾幾何時，Pentium Pro是高端CPU的代名詞，Pentium Pro所表現的性能在當時讓很多人大吃一驚，但是Pentium Pro是32位數據結構設計的CPU，所以Pentium Pro運行16位應用程序時性能一般，但仍然是32位的贏家，但是後來，MMX的出現使它黯然失色。

Pentium Pro(高能奔騰，686級的CPU)的核心架構代號為P6（也是未來PⅡ、PⅢ所使用的核心架構），這是第一代產品，二級Cache有256KB或512KB，最大有1MB的二級Cache。工作頻率有:133/66MHz(工程樣品)，150/60MHz、166/66MHz、180/60MHz、200/66MHz。

AMD K5

K5是AMD公司第一個獨立生產的x86級CPU，發布時間在1996年。由於K5在開發上遇到了問題，其上市時間比英特爾的Pentium晚了許多，再加上性能不好，這個不成功的產品一度使得AMD的市場份額大量喪失。K5的性能非常一般，整數運算能力不如Cyrix的6x86，但是仍比Pentium略強，浮點運算能力遠遠比不上Pentium，但稍強於Cyrix。綜合來看，K5屬於實力比較平均的那一種產品。K5低廉的價格顯然比其性能更能吸引消費者，低價是這款CPU最大的賣點。

AMD K6

AMD 自然不甘心Pentium在CPU市場上呼風喚雨，因此它們在1997年又推出了K6。K6這款CPU的設計指標是相當高的，它擁有全新的MMX指令以及64KB L1 Cache（比奔騰MMX多了一倍），整體性能要優於奔騰MMX，接近同主頻PⅡ的水平。K6與K5相比，可以平行地處理更多的指令，並運行在更高的時鍾頻率上。AMD在整數運算方面做得非常成功，K6稍微落後的地方是在運行需要使用到MMX或浮點運算的應用程序方面，比起同樣頻率的Pentium 要差許多。

K6擁有32KB數據L1 Cache,32KB指令L1 Cache,集成了880萬個晶體管,採用0.35微米技術,五層CMOS,C4工藝反裝晶片,內核面積168平方毫米(新產品為68平方毫米),使用Socket7架構。

Cyrix 6x86/MX

Cyrix 也算是一家老資格的CPU開發商了，早在x86時代，它和英特爾，AMD就形成了三雄並立的局面。

自從Cyrix與美國國家半導體公司合並後，使它終於擁有了自己的晶元生產線，成品也日益完善和完備。Cyrix的6x86是投放到市場上與Pentium兼容的微處理器。

IDT WinChip

美國IDT公司（Integrated Device Technology）作為新加入此領域的CPU生產廠商，在1997年推出的第一個微微處理器產品是WinChip（即C6），在整個CPU市場上所佔的份額還不足1%。1998年5月，IDT宣布了它的第二代產品WinChip 2 。

WinChip 2在原有WinChip的基礎上作了一些改進，增加了一個雙指令的MMX單元，增強了浮點運算功能。改進後的WinChip 2比相同頻率的WinChip性能提高約10%，基本達到Intel Pentium微處理器的性能。

Intel PentiumⅡ

1997年～1998年是CPU市場競爭異常激烈的一年，這一時期的CPU晶元異彩紛呈，令人目不暇接。

PentiumⅡ的中文名稱叫「奔騰二代」，它有Klamath、Deschutes、Mendocino、Katmai等幾種不同核心結構的系列產品，其中第一代採用Klamath核心，0.35微米工藝製造，內部集成750萬個晶體管，核心工作電壓為2.8V。

PentiumⅡ微處理器採用了雙重獨立匯流排結構，即其中一條匯流排連通二級緩存，另一條負責主要內存。PentiumⅡ使用了一種脫離晶元的外部高速L2 Cache，容量為512KB，並以CPU主頻的一半速度運行。作為一種補償，英特爾將PentiumⅡ的L1 Cache從16KB增至32KB。另外，為了打敗競爭對手，英特爾第一次在PentiumⅡ中採用了具有專利權保護的Slot 1介面標准和SECC(單邊接觸盒)封裝技術。

1998年4月16日，英特爾第一個支持100MHz額定外頻的、代號為Deschutes的350、400MHz CPU正式推出。採用新核心的PentiumⅡ微處理器不但外頻提升至100MHz，而且它們採用0.25微米工藝製造，其核心工作電壓也由2.8V降至2.0V，L1 Cache和L2 Cache分別是32KB、512KB。支持晶元組主要是Intel的440BX。

在1998年至1999年間，英特爾公司推出了比PentiumⅡ功能更強大的CPU--Xeon（至強微處理器）。該款微處理器採用的核心和PentiumⅡ差不多，0.25微米製造工藝，支持100MHz外頻。Xeon最大可配備2MB Cache，並運行在CPU核心頻率下，它和PentiumⅡ採用的晶元不同，被稱為CSRAM（Custom StaticRAM,定製靜態存儲器）。除此之外，它支持八個CPU系統；使用36位內存地址和PSE模式（PSE36模式），最大800MB/s的內存帶寬。Xeon微處理器主要面向對性能要求更高的伺服器和工作站系統，另外，Xeon的介面形式也有所變化，採用了比Slot 1稍大一些的Slot 2架構(可支持四個微處理器)。

Intel Celeron(賽揚)

英特爾為進一步搶占低端市場，於1998年4月推出了一款廉價的CPU—Celeron（中文名叫賽揚）。最初推出的Celeron有266MHz、300MHz兩個版本，且都採用Covington核心，0.35微米工藝製造，內部集成1900萬個晶體管和32KB一級緩存，工作電壓為2.0V，外頻66MHz。Celeron與PentiumⅡ相比，去掉了片上的L2 Cache,此舉雖然大大降低了成本，但也正因為沒有二級緩存，該微處理器在性能上大打折扣，其整數性能甚至不如Pentium MMX。

為彌補缺乏二級緩存的Celeron微處理器性能上的不足，進一步在低端市場上打擊競爭對手，英特爾在Celeron266、300推出後不久，又發布了採用Mendocino核心的新Celeron微處理器—Celeron300A、333、366。與舊Celeron不同的是，新Celeron採用0.25微米工藝製造，同時它採用Slot 1架構及SEPP封裝形式，內建32KB L1 Cache、128KB L2 Cache，且以CPU相同的核心頻率工作，從而大大提高了L2 Cache的工作效率。

AMD K6－2

AMD於1998年4月正式推出了K6－2微處理器。它採用0.25微米工藝製造，晶元面積減小到了68平方毫米，晶體管數目也增加到930萬個。另外，K6－2具有64KB L1 Cache，二級緩存集成在主板上，容量從512KB到2MB之間，速度與系統匯流排頻率同步，工作電壓為2.2V，支持Socket 7架構。

K6－2是一個K6晶元加上100MHz匯流排頻率和支持3D Now！浮點指令的「結合物」。3D Now！技術是對x86體系的重大突破，它大大加強了處理3D圖形和多媒體所需要的密集浮點運算性能。此外，K6－2支持超標量MMX技術，支持100MHz匯流排頻率，這意味著系統與L2緩存和內存的傳輸率提高近50%，從而大大提高了整個系統的表現。

Cyrix MⅡ

作為Cyrix公司獨自研發的最後一款微處理器，Cyrix MⅡ是於1998年3月開始生產的。除了具有6x86本身的特性外,該微處理器還支持MMX指令，其核心電壓為2.9V，具有256位元組指令;3.5X倍頻;核心內集成650萬個晶體管,功耗20.6瓦；64KB一級緩存。

Rise mp6

Rise公司是一家成立於1993年11月的美國公司，主要生產x86兼容的CPU，在1998年推出了mP6 CPU。mp6不僅價格便宜，而且性能優異，有著很好的多媒體性能和強大的浮點運算。mp6使用Socket 7/Super 7兼容插座，只有16KB的一級緩存。

Intel PentiumⅢ

1999年春節剛過，英特爾公司就發布了採用Katmai核心的新一代微處理器—PentiumⅢ。該微處理器除採用0.25微米工藝製造，內部集成950萬個晶體管，Slot 1架構之外，它還具有以下新特點：系統匯流排頻率為100MHz；採用第六代CPU核心—P6微架構，針對32位應用程序進行優化，雙重獨立匯流排；一級緩存為32KB(16KB指令緩存加16KB數據緩存)，二級緩存大小為512KB，以CPU核心速度的一半運行；採用SECC2封裝形式；新增加了能夠增強音頻、視頻和3D圖形效果的SSE(Streaming SIMD Extensions,數據流單指令多數據擴展）指令集，共70條新指令。PentiumⅢ的起始主頻速度為450MHz。

和PentiumⅡ Xeon一樣，英特爾同樣也推出了面向伺服器和工作站系統的高性能CPU—PentiumⅢ Xeon至強微處理器。除前期的PentiumⅡ Xeon500、550採用0.25微米技術外，該款微處理器是採用0.18微米工藝製造，Slot 2架構和SECC封裝形式，內置32KB一級緩存和512KB二級緩存，工作電壓為1.6V。

Intel CeleronⅡ

為進一步鞏固低端市場優勢，英特爾於2000年3月29日推出了採用Coppermine核心CeleronⅡ。該款微處理器同樣採用0.18微米工藝製造，核心集成1900萬個晶體管，採用FC－PGA封裝形式，它和賽揚Mendocino一樣內建128KB和CPU同步運行的L2 Cache，故其內核也稱為Coppermine 128。CeleronⅡ不支持多微處理器系統。但是，CeleronⅡ的外頻仍然只有66MHz，這在很大程度上限制了其性能的發揮。

AMD K6－Ⅲ

AMD於1999年2月推出了代號為「Sharptooth」(利齒)的K6－Ⅲ，它是該公司最後一款支持Super 7架構和CPGA封裝形式的CPU，採用0.25微米製造工藝、內核面積是135平方毫米，集成了2130萬個晶體管，工作電壓為2.2V/2.4V。

❷ 相機17um或25um什麼意思

半導體晶元的制備精度，做的越小則像素密度越大。

❸ 什麼是基於半導體材料，採用微米級甚至納米級加工工藝製造

微電子技術

❹ 半導體歷史發展有哪些

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

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人物貢獻:

1、英國科學家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在電磁學方面擁有許多貢獻，但較不為人所知的，則是他在1833年發現的其中一種半導體材料。

硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低，當時只覺得這件事有些奇特，並沒有激起太大的火花；

然而，今天我們已經知道，隨著溫度的提升，晶格震動越厲害，使得電阻增加，但對半導體而言，溫度上升使自由載子的濃度增加，反而有助於導電，這也是半導體一個非常重要的物理性質。

2、德國的布勞恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。

但直到1906年，美國電機發明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才發明了第一個固態電子元件：無線電波偵測器(cat』s whisker)，它使用金屬與硅或硫化鉛相接觸所產生的整流功能，來偵測無線電波。

在整流理論方面，德國的蕭特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，於「德國物理學報」發表了一篇有關整流理論的重要論文，做了許多推論，他認為金屬與半導體間有能障(potential barrier)的存在，其主要貢獻就在於精確計算出這個能障的形狀與寬度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在這方面做出了重要的貢獻，其定理是將電子波函數加上了周期性的項，首開能帶理論的先河。

另一方面，德國人佩爾斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 於1929年，則指出一個幾乎完全填滿的能帶，其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋，這就是電洞概念的濫觴；

他後來提出的微擾理論，解釋了能隙(Energy gap)存在。

❺ 半導體中的STI是什麼意思

shallow trench isolation
淺溝道隔離來
特點：
能實現高密度自的隔離，適合於深亞微米器件和DRAM等高密度存儲電路。
一般在器件製作之前進行，熱預算小。
STI技術工藝步驟：首先，類似LOCOS，依次生長SiO2淀積Si3N4塗敷光刻膠，光刻去掉場區的SiO2和Si3N4。其次，利用離子刻蝕在場區形成淺的溝槽。然後，進行場區注入，再用CVD淀積SiO2填充溝槽。最後，用化學機械拋光技術去掉表面的氧化層，使矽片表面平整化。
工藝復雜，需要回刻或者CMP

❻ 世界上十大半導體公司是哪些,分別屬於哪些國家

世界上十大半導體公司分別為：

1、美國英特爾（Intel）公司，以生產晶元聞名於世。

2、韓國的三星(Samsung)電子公司成立於1969年，初期主要生產家用電子產品，如電視機和錄像機等。

3、美國的德州儀器(TI)公司是一家全球性的半導體公司，是世界領先的數字信號處理和模擬技術的設計商、供應商，是推動電子數字化進程的引擎。

4、日本的東芝(Toshiba)在國際市場上盛名遠揚，家喻戶曉。

5、中國台灣的台積電(TSMC)成立於1987年，是全球最大的專業集成電路製造服務公司。身為專業集成電路製造服務業的創始者與領導者，TSMC在提供先進晶圓製程技術與最佳的製造效率上已建立聲譽。

6、義大利和法國的意法半導體會(ST)是全球性的獨立半導體製造商。公司設計、生產、銷售一系列半導體IC和分立器件，用於遠程通訊系統、計算機系統、消費電子產品、汽車和工業自動化控制系統。

7、日本的瑞薩科技(Renesas)在2003 年4 月1 日正式成立，以領先的科技實現人類的夢想。

8、韓國的海力士(Hynix)1983年開始運作，目前已經發展成為世界級電子公司，擁有員工約22,000人，1999年總資產達20萬億。

9、日本的索尼(Sony)半導體分部是索尼電子公司1995年3月在美國加州聖約瑟市建立的一個分部，該分部使索尼公司能夠對變幻莫測、競爭激烈的美國半導體市場迅速做出反應，為索尼電子公司發展高附加值的通訊、音頻/視頻、計算機應用產品提供後備支持。

10、美國的高通(Qualcomm）公司開發、銷售一系列高性能FPGA半導體產品和軟體開發工具。

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半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。

無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種

❼ 什麼是半導體激光器

固態物質中，允許大量電子自由自在地在它裡面流動的叫導體；只允許極少數電子通過的叫絕緣體；導電性低於導體又高於絕緣體的叫半導體。激光工作物質採用半導體的激光器叫半導體激光器。盡管半導體本身也是一種固體，而且發光機理就本質上講與固體激光器沒有多大差別。但由於半導體物質結構不同，產生激光的受激輻射躍遷的高能級和低能級分別是「導帶」和「價帶」，輻射是電子與「空穴」復合的結果，具有其特殊性，所以沒有將它列入固體激光器。

半導體激光工作物質有幾十種，較為成熟的是砷化鎵（GaAs）、摻鋁砷化鎵等。激勵方式有光泵浦、電子轟擊、電注入式等。

半導體激光器體積小、重量輕、壽命長、結構簡單，因此，特別適於在飛機、軍艦、車輛和宇宙飛船上使用。有些半導體激光器可以通過外加的電場、磁場、溫度、壓力等改變激光的波長，即所謂的調諧，可以很方便地對輸出光束進行調制；半導體激光器的波長范圍為0.32～34微米，較寬廣。它能將電能直接轉換為激光能，效率已達10％以上。所有這些都使它受到重視，所以發展迅速，目前已廣泛應用於激光通信、測距、雷達、模擬、警戒、引燃引爆和自動控制等方面。

半導體激光器最大的缺點是：激光性能受溫度影響大，比如砷化鎵激光，當溫度從絕對溫度77°K變到室溫時，激光波長從0.84變到0.91微米。另外，效率雖高，但因體積小，總功率並不高，室溫下連續輸出不過幾十毫瓦，脈沖輸出只有幾瓦到幾十瓦。光束的發散角，一般在幾度到20度之間，所以在方向性、單色性和相乾性等方面較差。

❽ 半導體工藝的四個重要階段是什麼

以追溯各個時代發展半導體工藝的四個重要階段分別是，1. 毫米階段
2. 微米階段
3. 次微米階段
4.納米階段

❾ 半導體工藝技術中的納米是指什麼的單位

納米工藝是講兩晶體間的距離.距離越小就代半導體越小。這樣就越容易發熱
納米器件：給信息技術帶來革命
納米科技的另一主要研究領域是設計、制備新型納米結構和納米器件。就像30年前，微電子器件取代真空電子管器件給信息技術帶來革命一樣，納米結構將再次給信息技術帶來革命。
把自由運動的電子囚禁在一個小的納米顆粒內，或者在一根非常細的短金屬線內，線的寬度只有幾個納米，會發生十分奇妙的事情。由於顆粒內的電子運動受到限制，原來可以在費米動量以下連續具有任意動量的電子狀態，變成只能具有某動量值，也就是電子動量或能量被量子化了。自由電子能量量子化的最直接的結果表現在：當在金屬顆粒的兩端加上合適電壓，金屬顆粒導電；而電壓不合適時，金屬顆粒不導電。這樣一來，原來在宏觀世界內奉為經典的歐姆定律在納米世界內就不再成立了。還有一種奇怪的現象，當金屬顆粒具有了負電性，它的庫侖力足以排斥下一個電子從外電路進入金屬顆粒內，從而切斷了電流的連續性。這使得人們想到是否可以發展用一個電子來控制的電子器件，即所謂單電子器件。單電子器件的尺寸很小，把它們集成起來做成電腦晶元，電腦的容量和計算速度不知要提高多少倍。然而，事情可不是人們想像的那麼簡單。實際上，被囚禁的電子可不那麼"老實"，按照量子力學的規律，有時它可以穿過"監獄"的"牆壁"逃逸出來，這會使晶元的動作不可控制，同時還需要新的設計使單電子器件變成集成電路。所以盡管電子器件已經在實驗室里得以實現，但是真要用在工業上還需要時間。
被囚禁在小尺寸內的電子的另一種貢獻，是會使材料發出強的光。"量子點列激光器"或"級聯激光器"的尺寸極小，但發光的強度很高，用很低的電壓就可以驅動它們發生藍光或綠光，用來讀寫光碟可使光碟的存貯密度提高幾倍。如果用"囚禁"原子的小顆粒量子點來存貯數據，製成量子磁碟，存貯度可提高成千上萬倍，會給信息存貯的技術帶來一場革命。
納米是尺寸或大小的度量單位,是一米的十億分之一（千米→米→厘米→毫米→微米→納米）, 4倍原子大小，萬分之一頭發粗細。納米技術是是指製造體積不超過數百個納米的物體，其寬度相當於幾十個原子聚集在一起。