能隙的半導體是什麼意思

Ⅰ 半導體能帶隙數值 能說明半導體導電能力強弱么

一般來說寬度的大小能夠決定本徵載流子的濃度，從而決定了電阻率，也就是導電能力強弱wuxm0618(站內聯系TA)只能說明本徵材料的導電能力很弱，在有雜質或者缺陷的情況下可能還是有好的導電性能。混沌學徒(站內聯系TA)帶隙越窄越接近金屬吧，越寬就越接近絕緣體回歸2011(站內聯系TA)紫外漫反射邊通過F(R)hv2對hv作圖，通過紫外可以測試半導體的帶隙，這種稱之為光學帶隙，一般論文里都是這樣做的。
而氧化銅確實是一種半導體薄膜。氧化亞銅也是。均可以作為薄膜太陽能電池材料，盡管效率比較低。

Ⅱ 直接帶隙和間接帶隙是怎麼回事

直接帶隙指的是半導體的導帶最小值與價帶最大值對應k空間中同一位置，價帶電子躍遷到導帶不需要聲子的參與，只需要吸收能量。

間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。

兩者的區別是：直接帶隙的半導體導帶上電子是由價帶受激發直接躍遷導致的，而間接帶隙的半導體導帶上的電子是由價帶受激發躍遷至導帶後還要有個弛豫的過程才能到導帶底。這個過程中會有一部分能量以聲子的形式浪費掉，從能量利用的角度上來說，直接帶隙的半導體對光的利用率更好。

ZnO具有直接帶隙半導體材料的這種只需要吸收能量的特點，它是這種躍遷類型是由它這種材料本身決定的。樣品的直接帶隙和間接帶隙是軌道理論判斷的。

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直接帶隙半導體的重要性質：當價帶電子往導帶躍遷時，電子波矢不變，在能帶圖上即是豎直地躍遷，這就意味著電子在躍遷過程中，動量可保持不變——滿足動量守恆定律。相反，如果導帶電子下落到價帶(即電子與空穴復合)時，也可以保持動量不變——直接復合，即電子與空穴只要一相遇就會發生復合(不需要聲子來接受或提供動量)。

因此，直接帶隙半導體中載流子的壽命必將很短；同時，這種直接復合可以把能量幾乎全部以光的形式放出(因為沒有聲子參與，故也沒有把能量交給晶體原子) ——發光效率高(這也就是為什麼發光器件多半採用直接帶隙半導體來製作的根本原因)。

間接帶隙半導體的重要性質：簡單點說，從能帶圖譜可以看出，間接帶隙半導體中的電子在躍遷時K值會發生變化，這意味著電子躍遷前後在K空間的位置不一樣了，這樣會極大的幾率將能量釋放給晶格，轉化為聲子，變成熱能釋放掉。而直接帶隙中的電子躍遷前後只有能量變化，而無位置變化，於是便有更大的幾率將能量以光子的形式釋放出來。

另一方面，對於間接躍遷型，導帶的電子需要動量與價帶空穴復合。因此難以產生基於再結合的發光。想讓間接帶隙材料發光，可以採用摻雜引入發光體，將能量引入發光體使其發光(提高發光效率)。

Ⅲ 什麼叫零帶隙半導體

這說的是石墨烯 半導體有導帶，禁帶，價帶。。。 所謂零帶隙就指的是禁帶寬度為零

Ⅳ 什麼是寬頻隙半導體材料

寬頻隙半導體，一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半專導體，寬頻隙半導體在藍、屬紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發射器件方面應用廣泛。
室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半導體，寬頻隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發射器件方面應用廣泛。

Ⅳ 直接帶隙半導體

直接帶隙半導體抄材料就是導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置.電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量.
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置.形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量.
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置.電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k,k不同,動量就不同,從一個狀態到另一個必須改變動量.

Ⅵ 如何確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的

確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的可以用光致發光光譜。

光效率很大的話差專不多就是直接帶隙，發光效率低屬的話就是間接帶隙。直接帶隙材料吸收光譜應該能比較明顯地區分出本徵吸收帶和吸收邊，變化相對較緩，而間接帶隙材料比較陡峭。

間接帶隙半導體材料（如Si、Ge）導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。

電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。與之相對的直接帶隙半導體則是電子在躍遷至導帶時不需要改變動量。

(6)能隙的半導體是什麼意思擴展閱讀：

光致發光過程包括熒光發光和磷光發光。通常用於半導體檢測和表徵的光致發光光譜指的是光致熒光發光。

光致發光特點：

1、光致發光優點

設備簡單，無破壞性，對樣品尺寸無嚴格要求；解析度高，可做薄層和微區分析。

2、光致發光缺點

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低溫測試，需要液氦降溫，條件比較苛刻；不能反映出非輻射復合的深能級缺陷中心。

Ⅶ 關於半導體中的直接帶隙與間接帶隙

簡單的說直接帶隙半導體就是導帶最低點和價帶最高點在k空間處於同一點的半導體，間接帶隙半導體就是它們不處於同一點的半導體。你可以看一下下面的參考資料

Ⅷ 半導體能隙怎麼測量

有多種方法。例如測量本徵光吸收限——本徵激發的最長波長。又如測量本徵載流子濃度與溫度的關系，在半對數坐標上，該關系是一條直線，由該直線的斜率即可得到禁帶寬度。

Ⅸ 直接帶隙半導體的介紹

直接帶隙半導體（Direct gap semiconctor）的例子：GaAs、InP半導體。相反，Si、Ge是間接帶隙半導體。