半導體蝕刻怎麼樣

Ⅰ 光刻 \濕刻＼干法刻蝕有何不同

呵呵，我以前在半導體做了兩年啊！懂一點點吧！
以前我在的是蝕刻區！半導體制蝕刻(Etching)

(三)蝕刻(Etching)
蝕刻的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個蝕刻，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部份。整個蝕刻的時間，等於是擴散與化學反應兩部份所費時間的總和。二者之中孰者費時較長，整個蝕刻之快慢也卡在該者，故有所謂「reaction limited」與「diffusion limited」兩類蝕刻之分。
1、濕蝕刻
最普遍、也是設備成本最低的蝕刻方法，其設備如圖2-10所示。其影響被蝕刻物之蝕刻速率 (etching rate) 的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 (stirring) 之有無。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49%的HF蝕刻SiO2，當然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢！ 濕蝕刻的配方選用是一項化學的專業，對於一般不是這方面的研究人員，必須向該化學專業的同儕請教。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity)，意指進行蝕刻時，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質 (如蝕刻掩膜；etching mask， 或承載被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系統，應該只對被加工薄膜有腐蝕作用，而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。
(1)等向性蝕刻 (isotropic etching)
大部份的濕蝕刻液均是等向性，換言之，對蝕刻接觸點之任何方向腐蝕速度並無明顯差異。故一旦定義好蝕刻掩膜的圖案，暴露出來的區域，便是往下腐蝕的所在；只要蝕刻配方具高選擇性，便應當止於所該止之深度。
然而有鑒於任何被蝕薄膜皆有其厚度，當其被蝕出某深度時，蝕刻掩膜圖案邊緣的部位漸與蝕刻液接觸，故蝕刻液也開始對蝕刻掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象 (undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕蝕刻技術因之而無法應用在類似「次微米」線寬的精密製程技術！
(2)非等向性蝕刻 (anisotropic etching)
先前題到之濕蝕刻「選擇性」觀念，是以不同材料之受蝕快慢程度來說明。然而自1970年代起，在諸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，發表了許多有關鹼性或有機溶液腐蝕單晶硅的文章，其特點是不同的硅晶面腐蝕速率相差極大，尤其是<111>方向，足足比<100>或是<110>方向的腐蝕速率小一到兩個數量級！因此，腐蝕速率最慢的晶面，往往便是腐蝕後留下的特定面。
這部份將在體型微細加工時再詳述。
2、干蝕刻
干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導體工業所採用的技術。其利用電漿 (plasma) 來進行半導體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001 Torr 的環境下，才有可能被激發出來；而干蝕刻採用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成蝕刻的目的。
干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學反應」(chemical reaction) 兩部份蝕刻機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏「化學反應」效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與晶元表面材質反應。
干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其最重要的優點，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高蝕刻率兩種優點，換言之，本技術中所謂「活性離子蝕刻」(reactive ion etch；RIE) 已足敷「次微米」線寬製程技術的要求，而正被大量使用中。

Ⅱ 蝕刻是什麼

蝕刻是將材料使用抄化學反應襲或物理撞擊作用而移除的技術。
蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而干蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶元表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶元表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的復合作用。
在航空、機械、化學工業中，蝕刻技術廣泛地被使用於減輕重量(Weight Rection)儀器鑲板，名牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

Ⅲ 金屬蝕刻怎麼樣

金屬蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。金屬蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻(dryetching)兩類。

金屬蝕刻的原理

通常所指金屬蝕刻也稱光化學金屬蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光製版、顯影後，將要金屬蝕刻區域的保護膜去除，在金屬蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來製造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用於減輕重量(WeightRection)儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發展，亦可以用於航空、機械、化學工業中電子薄片零件精密金屬蝕刻產品的加工，特別在半導體製程上，金屬蝕刻更是不可或缺的技術。金屬蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。金屬蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻(dryetching)兩類通常所指金屬蝕刻也稱光化學金屬蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光製版、顯影後，將要金屬蝕刻區域的保護膜去除，在金屬蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

曝光法：開料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→烘乾→塗布→烘乾→曝光→顯影→蝕刻→脫膜→OK

網印法：開料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→絲網印→蝕刻→脫膜→OK

Ⅳ 蝕刻加工用什麼材料好

蝕刻加工最常用的是SUS304不銹鋼，金屬材料中屬銅的側蝕刻量最少，易蝕刻，但銅材易氧化。不銹鋼材質有200，300，400系例，都是比較適合蝕刻的。

Ⅳ 南通同方半導體生產線上刻蝕站工作對人身體有什麼傷害求專業人士回答

阿薩發放

Ⅵ 半導體製造-干法蝕刻-via/trench

對不起，我也是做半導體工藝的，刻蝕我 了解很多，但via真是頭次聽說，我也很感興趣

Ⅶ 中國的光刻機與刻蝕機已經達到世界先進水平，為什麼有些人還說中國晶元業依舊前路艱辛

據媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米製程生產線。5納米，相當於頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路晶元上的最小線寬。台積電計劃2019年進行5納米製程試產，預計2020年量產。

中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國晶元業的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經通過台積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的「中科院SP超分辨光刻機」其實最多隻能算是一個「原型機」，和ASML的光刻機不能相提並論，也不能用來製造晶元，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了么？ASML的EUV光刻機我們已經下單等待交貨了，是不是到貨以後中國就可以生產7nm甚至是5nm的晶元了不要把問題想簡單了，以為晶元也只有光刻機和刻蝕機。晶元製造的技術、經驗、工藝以及人才是一個系統性的工程，台積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的晶元。

Ⅷ 做金屬蝕刻的朋友，我想咨詢一下，怎樣才能做到蝕刻出來的產品底紋夠白

蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。
蝕刻技術可回以分為『答濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。
通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photocemical etching），指通過曝光製版、顯影後，將要蝕刻區域的保護摸去處，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
最早可用來製造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用於減輕重量(Weight Rection)儀器鑲板，名牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工；經過不斷改良和工藝設備發展，亦可以用於航空、機械、化學工業中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
比如Moto V3的鍵盤，文字和符號均為採用鏤空蝕刻工藝成型。

Ⅸ 有知道半導體晶圓製造的腐蝕工藝工程師的嗎，對身體有害嗎，有前途嗎

我不知道這個行業的事情

不過目前我在實驗室里搞這些玩意。。關於腐蝕工藝，內你會用到很多高強容度的酸鹼，有一定危害~目前腐蝕工藝裡面傷害最大的是HF，氫氟酸。這玩意算是氣體，用的時候一般是做成溶液的，如果沾到手上就很麻煩，一開始沒什麼感覺，疼的時候就太晚了。。最嚴重的時候是要截肢的。不過一般來說是有保護措施的，一般是：裡面一層無塵服，口罩，橡膠手套；外面一層專門的防酸手套，防濺的外套，防酸或者防鹼的頭盔。

一般液體腐蝕工藝會用到HF，NaOH，HNO3等等，有毒氣體除了HF倒沒啥~

如果是乾燥腐蝕工藝（Dry Etch）就更沒事了，都是用機器做的，一般是用離子腐蝕

所以結論是，做好個人防護就沒有事情~沒什麼太大害處~

前途這個，我不好說~抱歉鳥~