半導體用什麼材料做的

Ⅰ 半導體產品都用什麼材料做包裝

半導體產品非常多種，可以說包裝設計和材料是百萬種類以上，從金屬、陶瓷、塑料、木材等等都有。

Ⅱ 什麼是半導體 為什麼晶元要用半導體做

材料的電阻率界於金屬與絕緣材料之間的材料。

Ⅲ 晶元是什麼用什麼材料做的有什麼特點和用途

晶元指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。
晶元，英文為Chip；晶元組為Chipset。晶元一般是指集成電路的載體，也是集成電路經過設計、製造、封裝、測試後的結果，通常是一個可以立即使用的獨立的整體。「晶元」和「集成電路」這兩個詞經常混著使用，比如在大家平常討論話題中，集成電路設計和晶元設計說的是一個意思，晶元行業、集成電路行業、IC行業往往也是一個意思。實際上，這兩個詞有聯系，也有區別。集成電路實體往往要以晶元的形式存在，因為狹義的集成電路，是強調電路本身，比如簡單到只有五個元件連接在一起形成的相移振盪器，當它還在圖紙上呈現的時候，我們也可以叫它集成電路，當我們要拿這個小集成電路來應用的時候，那它必須以獨立的一塊實物，或者嵌入到更大的集成電路中，依託晶元來發揮他的作用；集成電路更著重電路的設計和布局布線，晶元更強調電路的集成、生產和封裝。而廣義的集成電路，當涉及到行業（區別於其他行業）時，也可以包含晶元相關的各種含義。
晶元內部都是半導體材料，大部份都是硅材料，裡面的電容，電阻，二極體，三極體都是用半導體做出來的。半導體是介於像銅那樣易於電流通過的導體和像橡膠那樣的不導通電流的絕緣體之間的物質。
以非晶態半導體材料為主體製成的固態電子器件。非晶態半導體雖然在整體上分子排列無序，但是仍具有單晶體的微觀結構，因此具有許多特殊的性質。
晶元組(Chipset)是主板的核心組成部分，按照在主板上的排列位置的不同，通常分為北橋晶元和南橋晶元。北橋晶元提供對CPU的類型和主頻、內存的類型和最大容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC糾錯等支持。南橋晶元則提供對KBC(鍵盤控制器)、RTC(實時時鍾控制器)、USB(通用串列匯流排)、Ultra DMA/33(66)EIDE數據傳輸方式和ACPI(高級能源管理)等的支持。其中北橋晶元起著主導性的作用，也稱為主橋(Host Bridge)。

Ⅳ 半導體材料有哪些

在可預見的將來，單晶硅仍是電子工業的首選材料，但砷化鎵這位半導體家族新秀已迅速成長為僅次於硅的重要半導體電子材料。砷化鎵在當代光電子產業中發揮著重要的作用，其產品的50%應用在軍事、航天方面，30%用於通信方面，其餘的用於計算機和測試儀器。

砷化鎵材料的特殊結構使其具備吸引人的優良特性。根據量子力學原理，電子的有效質量越小，它的運動速度就越快，而砷化鎵中電子的有效質量是自由電子質量的1/15，只有硅電子的1/3。用砷化鎵製成的晶體管的開關速度，比硅晶體管快1～4倍，用這樣的晶體管可以製造出速度更快、功能更強的計算機。因為砷化鎵的電子運動速度很高，用它可以制備工作頻率高達1010赫茲的微波器件，在衛星數據傳輸、通信、軍用電子等方面具有關鍵性作用。實際上，以砷化鎵為代表的Ⅲ—Ⅳ族半導體，其最大特點是其光電特性，即在光照或外加電場的情況下，電子激發釋放出光能。它的光發射效率比其他半導體材料高，用它不僅可以製作發光二極體、光探測器，還能製作半導體激光器，廣泛應用於光通信、光計算機和空間技術，開發前景令人鼓舞。

與任何半導體材料一樣，砷化鎵材料對於雜質元素十分敏感，必須精細純化。和硅、鍺等元素半導體不同的是它還要確保准確的化學配比，否則將影響材料的電學性質。

基於以上原因，砷化鎵單晶的制備工藝復雜，成本高昂。我國曾在人造衛星上利用微重力條件進行砷化鎵單晶的生長，取得了成功。此外，薄膜外延生長技術，可以精確控制單晶薄膜的厚度和電阻率，在制備半導體材料和器件中越來越受到重視。

短短十幾年，僅美國研究和開發的砷化鎵產品已逾千種。根據90年代末國際砷化鎵集成電路會議的預測，砷化鎵集成電路的市場銷售額將每年翻一番，形成數十億美元的規模。砷化鎵及其代表的Ⅲ—Ⅳ族化合物半導體家族均身懷絕技，有待於進一步開發。

Ⅳ 半導體的主要材料是什麼

半導體：常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料專。
主要材料：
元素半屬導體：鍺和硅是最常用的元素半導體；
化合物半導體：包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。
技術科研領域：
(1)集成電路
它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發展到大規模集成的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只晶體管，可在一片矽片上製成一台微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗，並使信息處理速度達到微微秒級。
(2)微波器件
半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。
(3)光電子器件
半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。

Ⅵ 半導體由什麼材料製成

導電性能介於導體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導體。在電子器件中，常內用的半導體材料有：元素半導體，容如硅（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或製成其它化合物半導體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。

Ⅶ 誰知道半導體什麼材料最好

當今半導體材料並沒有完美的，常見的硅是最成熟產量最大也是可以成規模生產的專，但材料本身決定了它的屬一些性能的極限。像碳化硅主要可以工作在惡劣條件下，砷化家氮化家可以做一些高頻，高亞大功率器件，磷化銦可以做超高頻的器件，最新的還有石墨烯等等。但後幾種大部分還在研發階段，即便一些已經得到應用也是范圍很小，像航空航天，還有手機基站用的是砷化嫁。所以沒有最好的，只有適合的

Ⅷ 目前半導體應用最廣泛的材料是什麼

「半導體:常溫下導電復性能介於導體(conctor)與絕制緣體(insulator)之間的材料。 主要材料: 元素半導體:鍺和硅是最常用的元素半導體; 化合物半導體:包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物)...」