功率半導體材料有哪些

① 大功率傳導冷卻半導體激光器熱沉用的什麼材料

小功率的來激光器裡面的激光二極源管（TO封裝的）用的是鐵熱沉（表面鍍金），而大功率的激光二極體（或者是激光二極體模塊）則都用紫銅（表面鍍金），鍍金是為了更耐腐蝕，而且金對激光的反射能力很強（接近100%），可避免熱沉吸收更多的激光而導致發熱更嚴重。

② 什麼是半導體功率器件

電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用於電力設備的電能變換和控制電路方面大功率版的電權子器件。

功率半導體器件通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上。

功率器件幾乎用於所有的電子製造業,包括計算機領域的筆記本、PC、伺服器、顯示器以及各種外設;網路通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備。

(2)功率半導體材料有哪些擴展閱讀

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。

80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。

80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點，在性能上又有新的發展。

③ 可控半導體功率開關器件有哪些類型

可控的功率半導體器件有：

功率MOSFET: 包括VDMOST和LDMOST
IGBT: 也包括縱向IGBT和橫向IGBT，雙極器件
普通的可控硅或者稱為晶閘管難以實現關斷，但是也有門極可關斷晶閘管GTO

④ 半導體材料有哪些

半導體材料是一類具有半導體性能、可用來製作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來製作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。正是利用半導體材料的這些性質，才製造出功能多樣的半導體器件。半導體材料是半導體工業的基礎，它的發展對半導體技術的發展有極大的影響。 圖1、 半導體材料圖半導體材料分類半導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類。1、化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。它的種類很多，重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中砷化鎵是製造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由於其抗輻射能力強、耐高溫和化學穩定性好，在航天技術領域有著廣泛的應用。3.無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開關和記憶特性和很強的抗輻射能力，主要用來製造閾值開關、記憶開關和固體顯示器件。2、元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代，鍺在半導體中佔主導地位，但 鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到60年代後期逐漸被硅材料取代。用硅製造的半導體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件。因此，硅已成為應用最多的一種增導體材料，目前的集成電路大多數是用硅材料製造的。3、有機增導體材料已知的有機半導體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應用 。半導體材料的特性參數對於材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。 圖2、半導體元件 半導體材料特性 半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本徵半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質後，由於雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以製成具有不同功能的半導體器件，如二極體、三極體、晶閘管等。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以製造各種敏感元件，用於信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。

⑤ 新型功率半導體器件都有什麼

剛考了這門課。復您說的功率半導制體的常用名叫做電力電子器件，隸屬於半導體物理學和電力電子學。電力電子器件從電力二極體(不控)，晶閘管（半控），發展到全控器件PMOSFET，BJT ，IGBT等，這些全控器件想必是您所要的新型功率器件。此外在這些器件基礎上，經過復合優化，又有大量新生器件種類，但應用還不多。具體請參見陳堅老師的電力電子學，王兆安老師的電力電子技術電力電子器件相關章節。都是用得復習時自己總結的筆記，不知可否把分給我。

⑥ 大功率半導體器件有哪些

你問的是大功率MOS管嗎？IR公司非常多。網站：http://www.irf.com/indexsw.html（有內中容文）

⑦ 什麼是半導體功率器件

功率半導體器件，嘿嘿，本人的本行。功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件。給個數量吧，電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
早期的功率半導體器件：大功率二極體、晶閘管等等，主要用於工業和電力系統（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）
後來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發展，現在功率半導體器件已經非常廣泛啦， 在計算機、通行、消費電子、汽車電子 為代表的4C行業（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導體器件可以說是越來越火，現在不是要節能環保嗎，低碳生活，那就需要對能量的處理進行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV 嗎，所以就需要對電壓電流的運用進行有效的控制，這就與功率器件密不可分！ 功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱為電源管理IC）已經成為功率半導體器件的熱點，發展非常迅速噢！

功率半導體器件，在大多數情況下，是被作為開關使用（switch），開關，簡單的說，就是用來控制電流的 通過 和 截斷。 那麼，一個理想的開關，應該具有兩個基本的特性：
1，電流通過的時候，這個理想開關兩端的電壓降是零
2，電流截斷的時候，這個理想開關兩端可以承受的電壓可以是任意大小，也就是0~無窮大
因此，功率半導體器件的研究和發展，就是圍繞著這個目標不斷前進的。現在的功率半導體器件，已經具有很好的性能了，在要求的電壓電流處理范圍內，可以接近一個比較理想的開關。

好了，扯了這么多，舉幾個功率半導體器件的例子吧，剛才已經說了，功率二極體，晶閘管，還有功率BJT（就是功率雙極型晶體管）這些都是第一代產品了，比較老的了，第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。
VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是縱向器件，多用於分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是橫向器件，其三個電極均在矽片表面，易於集成，多用於功率集成電路領域。 IGBT 即 （Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊，國內才剛剛起步，大量需要IGBT的高技術人才，這個有錢途的。
扯了好多啊，先就這么多吧，要細說的話，可以說一天。希望我的回答對你有幫助，一字一句都是原創，望採納

⑧ 晶體三極體按工作頻率分為哪兩類按半導體材料分為哪兩類按功率分為哪兩類

按工作頻率分為高頻管和低頻管（其實現在早已不這么簡單了）
按半導體材料分為硅三極體和鍺三極體（其實現在還有很多新材料元件，鍺管卻基本淘汰了）
按功率分為大功率管和小功率管（其實現在從微功率一直到電力模塊都有，但只好按教材說）
呵呵

⑨ 國內主要功率半導體生產商有哪些華微電子能排第幾

國內主要功率半導體生產商有挺多，但是能夠有排名的就那麼幾家，華微電子就是其中一家實力比較強的，是我國功率半導體龍頭企業，也是一直踐行國產替代戰略的企業之一。