淺能級雜質在半導體中起什麼作用

① 雜質在半導體中的行為主要有哪些

按照雜質在半導體材料中的行為可分為施主雜質、受主雜質和電中性雜版質。按照雜質電離能權的大小可分為淺能級雜質和深能級雜質。淺能級雜質對半導體材料導電性質影響大，而深能級雜質對少數載流子的復合影響更顯著。氧、氮、碳在半導體材料中的行為比較復雜，所起的作用與金屬雜質不同，以硅和砷化鎵為例敘述雜質的行為。
1可能影響半導體的單向導電性2造成電路短路3燒壞用電器答案補充
半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為N型半導體和P型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。

② 問一下，淺能級雜質在半導體中的作用是什麼

淺能級雜質，由於它的電離能很小，在常溫下就全部電離，所以在半導體中內可利用雜質電容離提供電子n型製成半導體或空穴製成p型半導體；而深能級雜質有三個基本特點：一是不容易電離（對其價電子的束縛比較緊，電離能大），對載流子濃度影響不大。二是一般會產生多重能級，甚至既產生施主能級也產生受主能級。三是能起到復合中心作用（深能級一般在禁帶中央附近，但是若深能級在費米能級附近則表現為陷阱效應），使少數載流子壽命降低。

③ 半導體材料中雜質能級位置的不同，可以起到不同的作用，說說什麼位置的

半導體材料中雜質能級位置的不同，可以起到不同的作用，說說什麼版位置的
淺能級雜權質電離能的計算; 3. 雜質補償作用 4. 深能級雜質的特點和作用 §2-2 化合物半導體中的雜質能級 1、等電子雜質; 2、Ⅳ族元素起兩性雜質作用

④ 淺能級雜質的介紹

淺能級雜質就是指在半導體中、其價電子受到束縛較弱的那些雜質原子，往往就是能夠提供載流子——電子或空穴的施主、受主雜質；它們在半導體中形成的施主能級接近導帶，受主能級接近價帶，因此稱其為淺能級雜質。

⑤ 淺能級雜質的Ⅲ-Ⅴ族半導體中的淺能級雜質

a）在GaAs、GaP等Ⅲ-Ⅴ族半導體中，Ⅵ族元素是施主雜質，替代晶格上的Ⅴ族原子。它們在GaAs中的電離能分別為S[0.00587eV]、Se[0.00579eV]、Te[0.03eV]、O[有一個淺能級和一個0.75eV的深施主能級]；在GaP中的電離能分別為S[0.107eV]、Se[0.105eV]、Te[0.093eV]、O[只有一個0.897eV的深能級]。在GaAs和
GaP中常用的施主雜質是Se和Te 。
b）Ⅱ族元素是受主雜質，替代晶格上的Ⅲ族原子。它們在GaAs中的電離能分別為Be[0.028eV]、Mg[0.0288eV]、Zn [0.0307eV]、Cd[0.0347eV]、Hg[0.012eV]；在GaP中的電離能分別為Be[0.057eV]、Mg[0.060eV]、Zn[0.070eV]、Cd[0.102eV]。GaAs和GaP中常用的受主雜質是Zn、Cd和Mg。
c）Ⅳ族元素 (C、Si、Ge、Sn、Pb等) 屬於兩性雜質，一般形成淺能級。當它們替代晶格上的Ⅲ族原子時表現為施主，替代晶格上的Ⅴ族原子時表現為受主；如果是混亂地替代Ⅲ族和替代Ⅴ族原子，則總效果是起施主還是起受主作用，將與摻雜濃度和濃度條件有關。
雜質Si在GaAs中通常是取代Ga而起施主作用 (EC－0.002eV)，但當Si濃度>1018cm-3時，將取代As而主要起受主作用 (Ev+0.03eV)；另外, Si還產生兩個與絡合物有關的能級( [SiGa-SiAs]或[SiGa-VGa]絡合物產生的(Ev+0.10eV)能級, [As-空位] 絡合物產生的(Ev+0.22eV)能級)。Ge、Sn在GaAs中當取代Ga時都產生 (EC－0.006eV) 的淺施主能級, 當取代As時都產生受主能級 (Ge的為[Ev+0.03eV], Sn的為[Ev+0.20eV])，Ge絡合物還產生一個(Ev+0.07eV)的受主能級。一般, Si 、Ge、Sn常用作為GaAs的淺
施主雜質。
Ⅳ族元素Si在GaP中取代Ga時將起施主作用[EC－0.082eV]，取代As時將起受主作用[Ev+0.203eV]。C在GaP中將產生一個受主能級[Ev+0.041eV]。Ge在GaP中將產生一個受主能級[Ev+0.30eV]。Sn在GaP中將產生一個施主能級[EC－0.065eV]。

⑥ 半導體中雜質的作用

半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑借的就是其能藉由在其晶格中植入雜質改變其電性，這個過程稱之為摻雜（doping）。摻雜進入本質半導體（intrinsic semiconctor）的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。而摻雜過的半導體則稱為外質半導體（extrinsic semiconctor）。
哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物（dopant）需視兩者的原子特性而定。一般而言，摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施體（donor）與受體（acceptor）。施體原子帶來的價電子（valence electrons）大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施體電子。和本質半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至傳導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。雖然施體電子獲得能量會躍遷至傳導帶，但並不會和本質半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。因此這種因為摻雜而獲得多餘電子提供傳導的半導體稱為n型半導體（n-type semiconctor），n代表帶負電荷的電子。

和施體相對的，受體原子進入半導體晶格後，因為其價電子數目比半導體原子的價電子數量少，等效上會帶來一個的空位，這個多出的空位即可視為電洞。受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconctor），p代表帶正電荷的電洞。

以一個硅的本質半導體來說明摻雜的影響。硅有四個價電子，常用於硅的摻雜物有三價與五價的元素。當只有三個價電子的三價元素如硼（boron）摻雜至硅半導體中時，硼扮演的即是受體的角色，摻雜了硼的硅半導體就是p型半導體。反過來說，如果五價元素如磷（phosphorus）摻雜至硅半導體時，磷扮演施體的角色，摻雜磷的硅半導體成為n型半導體。

一個半導體材料有可能先後摻雜施體與受體，而如何決定此外質半導體為n型或p型必須視摻雜後的半導體中，受體帶來的電洞濃度較高或是施體帶來的電子濃度較高，亦即何者為此外質半導體的「多數載子」（majority carrier）。和多數載子相對的是少數載子（minority carrier）。對於半導體元件的操作原理分析而言，少數載子在半導體中的行為有著非常重要的地位。

⑦ 深能級和淺能級對半導體有什麼影響

深能級一般是重金屬雜質或者缺陷所產生的，主要是起著復合中心的作用，減短少數載流子壽命。淺能級基本上都是施主或者受主，主要是起著提供載流子的作用。

⑧ 深能級雜質和淺能級雜質對半導體有何影響。

深能級雜質（重金屬雜質）主要是產生復合中心，減短非平衡載流子壽命；淺能級回雜質（答施主和受主雜質）主要是提供載流子。這兩種雜質都將散射載流子，可使遷移率下降。詳見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。

⑨ 深能級雜質和淺能級雜質對半導體有何影響

淺能級指能量復很靠近導帶底的電子制束縛態，或能量很接近價帶頂的空穴束縛態。淺能級中的電子或空穴，在稍高的溫度（如室溫）就基本上電離而成為在導帶中的自由電子和價帶中的自由空穴，起導電作用。
深能級是指靠近導帶的空穴束縛態，或能量很接近價帶頂的電子束縛態。半導體中的深能級所包括的范圍十分廣闊，可以是單個的雜質原子或缺陷，也可以是雜質和缺陷的絡合體。它們往往可以連續接受幾個電子，在禁帶中形成多重能級，各對應於不同的電荷態。

⑩ 淺能級雜質的Ⅱ-Ⅵ族半導體中的淺能級雜質

在CdTe、ZnS等半導體中，Ⅲ族元素取代晶體的Ⅱ族原子，和Ⅶ族元素取代晶體的Ⅵ族原子時，都將起施主作用；例如, CdTe中的In、Al、Cl都是施主 (電離能為0.014eV)。Ⅰ族元素取代晶體的Ⅱ族原子，和Ⅴ族元素取代晶體的Ⅵ族原子時, 都將起受主作用；例如, CdTe中的Li、Na、P都是受主 (電離能為0.03eV)。