半導體擊穿電壓和什麼有關

1. 電容器的擊穿電壓與哪些因素有關系

電容器擊穿電壓電指電容器介質所能承受的最大電壓，這和介質的厚度、寬度以及介電常數息息相關。 電容的擊穿電壓不是計算出來的，它是以電容介質的擊穿電壓為依據經過試驗得出的。是一個理論值再經過試驗確定的結果。

2. 半導體被擊穿後導致不能使用，是為什麼

半導體器件一般都是硅材料製成的，常見的如二極體，三極體，MOS管，IGBT等，控制器件的回最基本結構是PN結，以及硅絕答緣層，這些結構的尺寸都非常小，耐電壓和電流的能力都有限制，所謂擊穿就是半導體內部的一些結被電熱擊穿，失去原有的特性，因為是物理損傷，微觀上是硅晶體結構局部燒毀，所以無法恢復。
比如二極體的擊穿，正常是正向導通，反向截止，一旦擊穿，就失去這樣的特性，特性變為電阻性的，嚴重的直接短路。

3. pn 結擊穿主要包含哪些主要擊穿機理對應不同機理擊穿電壓大 小范圍

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，目前常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決於 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有最高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的製造過程一般會在 PN 結的邊緣引進球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低於平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際製造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等於理想的平行平面結擊穿電壓。
當 PN 結的反向偏壓較高時，會發生由於碰撞電離引發的電擊穿，即雪崩擊穿。存在於半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加，直到與半導體晶格發生碰撞，碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞，如果平均每個電子（或空穴）在經過耗盡區的過程中可以產生大於 1 對的電子空穴對，那麼該過程可以不斷被加強，最終達到耗盡區載流子數目激增，PN 結發生雪崩擊穿。

4. 什麼是擊穿電壓與絕緣層厚度關系

當然是擊穿電壓的值大，比如某0.4千伏的常規導線，其絕緣強度是750伏，那麼要擊穿該導線，擊穿電壓就必須要超過750伏。

5. 什麼叫擊穿電壓

使電介質擊穿的電壓抄。電介質在足夠強的電場作用下將失去其介電性能成為導體,稱為電介質擊穿,所對應的電壓稱為擊穿電壓。電介質擊穿時的電場強度叫擊穿場強。不同電介質在相同溫度下,其擊穿場強不同。當電容器介質和兩極板的距離d一定後,由U1-U2=Ed知,擊穿場強決定了擊穿電壓。擊穿場強通常又稱為電介質的介電強度。提高電容器的耐壓能力起關鍵作用的是電介質的介電強度。附表為各種電介質的相對介電常量εr和介電強度。

6. 什麼是擊穿電壓其影響因素有哪些

電壓擊穿指的是電介質在足夠強的電場作用下將失去其介電性能成為導體，稱為電介質擊穿，所對應的電壓稱為擊穿電壓。通過這一項實驗，能得出電壓擊穿樣品時的電壓，而這個電壓是該樣品的上限值。當設計產品時，通過耐高電壓測試得到的上限值，就可以知道該材料的抗壓性能，然而，影響擊穿電壓的因素有很多，又分為試樣本身狀態方面和試驗條件方面的。
——影響因素——
1、試樣本身的狀態影響擊穿電壓的因素比較典型的有：
a.試樣的厚度：試樣的厚度不平均，每個點的擊穿電壓的大小就會不一樣，厚度大的地方擊穿電壓往往會比薄的地方大。
b.試樣的表面狀況：試樣是否存在著孔隙，也會影響擊穿電壓的測量。若樣品存在著有孔隙，樣品中的孔隙，可能會使得電場畸變，測量出的擊穿電壓，會比實際的電壓要大。
c.機械應力：當樣品受到太多的機械應力時，介質承受著機械應力，當樣品承受的機械應力過大時，可能會導致樣品表面有微微的開裂，從而使得測得的擊穿電壓偏小。
d.樣品的前處理：同種類型的樣品，預處理時的條件不同，也可能使得測得的擊穿電壓與實際值有偏差，所以，遇到需要預處理的樣品時，保證同組的樣品，要在相同的環境下進行預處理。

2、因試樣的試驗條件不同對，引起擊穿電壓測量的誤差的因素有：
a.作用時間：電壓作用的時間，如果不夠長，測量的結果一般會與實際值存在著偏差。因為，當電壓作用在樣品上時，需要一定的時間，來擊穿這個樣。如果作用的時間不夠長，即使，達到了實際的擊穿電壓值，樣品可能也不會被擊穿。
b.升壓速率：升壓速率過快，儀器可能採集不到樣品本身的擊穿電壓。例如，一個樣品本身的擊穿電壓是8KV，而設置的升壓速率是3KV/min,這種情況也會導致結果出現誤差。
c.電壓的頻率：在高頻工作時，有一部分的能量轉成了熱能(介質發熱)，加速了樣品的擊穿，測量所得的值可能會比實際值要偏小。
d.環境的影響：對於擊穿電壓的測量，還有來自環境的影響(濕度、溫度)，就像第三點提到的那樣，溫度過高，加速了電壓擊穿樣品，導致樣品的實際與測量值存在著偏差；濕度過大，可能會導致樣品受潮。樣品受潮之後，樣品內部含有的水分較多，而水是比樣品更容易導電的，所測得的擊穿電壓就會比實際值要小。
以上敘述的是影響擊穿電壓的因素的一部分，為了減小這些因素帶來的誤差，我們要保證樣品的表面光滑，樣品的厚度盡量的平

7. 電容的擊穿電壓與什麼有關

電容的擊穿電壓與製作電容的絕緣材料有關。

8. 在高電壓下氣隙的擊穿電壓和電擊表面的什麼有關

在高電壓下氣隙的擊穿電壓和電極表面的形狀有關，也就是與表面的曲率半徑有關，表面越尖，放電電壓越低。

9. 半導體的導電性能與哪些因素有關

半導體
導電性能介於導體與絕緣體之間的材料,叫做半導體．
例如：鍺、硅版、砷化鎵等．權
半導體在科學技術,工農業生產和生活中有著廣泛的應用．（例如：電視、半導體收音機、電子計算機等）
半導體的一些電學特性
①壓敏性：有的半導體在受到壓力後電阻發生較大的變化．
用途：製成壓敏元件,接入電路,測出電流變化,以確定壓力的變化．
②熱敏性：有的半導體在受熱後電阻隨溫度升高而迅速減小．
用途：製成熱敏電阻,用來測量很小范圍內的溫度變化．
③光敏性,有的半導體在光照下電阻大為減小．
用途：製成光敏電阻,用於對光照反映靈敏的自動控制設備中．

10. 影響sf6擊穿電壓的因素有哪些

sf6氣體內電極之間的擊穿電壓和電場均勻程度有很大關系，均勻電場內擊穿電壓很高。
擊穿電壓還和帶電顆粒、氣體壓力、純度、含水量等有關系。