常溫下半導體樣品有什麼限制

❶ 常溫下半導體的電阻為零嗎

導電性能介於導體和絕緣體二者之間的是半導體，在特定條件下電阻幾乎為零的是超導體．
半導體不是超導體．半導體主要應用於各種電子設備中．故A、C、D錯誤．
故選B．

❷ 晶元為什麼會有低溫限制

所謂晶元抄，是在半導襲體基片上（一般是硅半導體基片）上通過工藝手段做成的集成電路。而半導體的性能不是一成不變的，而溫度是影響半導體晶元的一個重要因素，隨著溫度的升高或降低，半導體的導電能力，極限電壓，極限電流，和開關特性等都有很大的改變，而這些參數的改變可能造成半導體外部特性。比如，一個晶元在常溫下能承受1.4V的電壓，溫度過高，可能就承受不了，導致半導體的擊穿，造成晶元損壞，溫度過低造成1.4V根本無法打開其內部的半導體開關導致其不能正常工作，所以晶元一定要有溫度的限制，不管是高溫或低溫，

兩外，我只是舉例說明，至於溫度高低對半導體的影響是電流變大或變小，我不大清楚了，你可以查相關的資料。

❸ 半導體主要有哪些特性

半導體的特徵：

一、半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在 之間。

二、半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。

三、如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(如磷)後，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在於半導體原子結構的特殊性。

常用的半導體材料是單晶硅（Si）和單晶鍺（Ge）。所謂單晶，是指整塊晶體中的原子按一定規則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導體稱為本徵半導體。

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一、本徵半導體的原子結構

半導體鍺和硅都是四價元素，其原子結構示意圖如圖Z0102所示。它們的最外層都有4個電子，帶4個單位負電荷。通常把原子核和內層電子看作一個整體，稱為慣性核。

慣性核帶有4個單位正電荷，最外層有4個價電子帶有4個單位負電荷，因此，整個原子為電中性。

二、應用

1、在無線電收音機及電視機中，作為「訊號放大器/整流器」用。

2、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的准確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

3、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應.

❹ 半導體單晶熱處理的溫度要求和目的

①熱處理溫度要求：650±5℃；
②熱處理目的：還原直拉單晶矽片真實電阻率；

1、熱處理後電阻率會有什麼變化
由於氧是在大約1400℃引入硅單晶的，所以在一般器件製造過程的溫度范圍（≤1200℃），以間隙態存在的氧是處於過飽和狀態的，這些氧雜質在器件工藝的熱循環過程中由於固溶度的降低會產生氧沉澱。一般而言，氧濃度越高，氧沉澱越易成核生長，形成的氧沉澱也就越多。反之，氧沉澱就越少。尤其是當氧濃度小於一定值時（＜5×1017個/厘米3），幾乎就觀察不到氧沉澱的形成。
2、熱處理的幾個溫度區間概念：
熱施主：350-550℃，代表溫度450℃.
450℃熱處理後（或同等效果，如單晶在爐子里的冷卻），可觀察到N型樣品的電阻率下降而P型樣品的電阻率增高，有如引入一定數量的施主現象一樣。這是由於在此溫度下，溶解的氧原子迅速形成絡合物（SiO4）所引起的熱生施主，其電阻率與硅中氧含量的四次方成反比。
新施主：550-800℃，代表溫度650℃.
650℃熱處理，在迅速冷卻的條件下（即迅速跨過450℃），可消除熱生施主。即我們可觀察到N型樣品電阻率恢復高；P型樣品電阻率恢復低。
沉澱：800-1200℃，代表溫度1050℃
1050℃熱處理，會帶來氧沉澱，且因沉澱誘生層錯等缺陷。
還原：＞1200℃
＞1200℃熱處理，氧恢復到間隙態。

❺ 為什麼石墨烯不能在常溫下做晶體管能隙和晶體管還有半導體之間有什麼關系

最簡單地講,能隙就好像開關,沒能隙就好像它怎麼都關不掉,能隙太大就好像開關專要費很大勁才能扳動。屬半導體能隙正好,適合當開關。晶體管和場效應管這層可以去看模擬電路/數字電路的書,不過原理一般都說得特別模糊讓人費解。原理上要看固體物理。不過固體物理能帶理論又要看量子力學才能懂。至於好還是不好吃……我是說,好還是不好,看你怎麼用。當成半導體直接當開關來用當然不好……不過總會找到其他用處的。
求採納

❻ 半導體都包括哪些什麼都屬於半導體的范疇

半導體：常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。
主要材料：
元素半導體：內鍺和硅是最容常用的元素半導體；
化合物半導體：包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。
技術科研領域：
(1)集成電路
它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發展到大規模集成的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只晶體管，可在一片矽片上製成一台微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗，並使信息處理速度達到微微秒級。
(2)微波器件
半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。
(3)光電子器件
半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。

❼ 一塊半導體樣品的問題。麻煩好心人解答下。

光電導=有光照時的電導-無光照時的電導
本題光電導=1/50-1/5000=99/5000 （S）

❽ 半導體有哪些

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

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發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

❾ 求半導體樣品的摻雜濃度光照對半導體樣品的電導率會不會有影響

什麼
樣品
?
光照
會使
半導體
中形成
非平衡載流子
,
載流子濃度
增大必使樣品
電導率
增大,由光照引起的半導體電導率增加的效應稱為光電導