易沖半導體怎麼樣

1. 光纖激光器和半導體激光器有什麼缺點應用前景怎麼樣

光纖激抄光器的主要優點是:
(1)轉換效率高，激光閾值低。光纖的幾何形狀具有很低的體積和表面積，再加上在單模狀態下激光與泵浦可充分耦合。
(2)器件體積小，靈活。
(3)激光輸出譜線多，單色性好，調諧范圍寬。並且其性能與光偏振方向無關，器件與光纖的耦合損耗小。
未來光纖激光器的發展趨勢主要體現在以下三個方面:
(1)光纖激光器本身性能的提高;如何提高轉換效率和輸出功率，優化光束質量，縮短增益光纖長度。
(2)擴展新的激光波段,
拓寬激光器的可調諧范圍壓窄激光譜寬開發極高峰值的超短脈沖(ps和fs量級)高亮度激光器。
(3)進行整機小型化、實用化、智能化的研究。
半導體激光器易與其他半導體器件集成，但性能與光偏振方向有關，器件與光纖的耦合損耗大。
其波長范圍寬，製作簡單，成本低，易於大量生產。目前其主要應用領域是Gb區域網。在激光測距、激光雷達、激光通信、激光模擬武器、激光警戒、激光制導和跟蹤、引燃引爆、自動控制、檢測儀器等方面也有廣泛應用。

2. 有人了解半導體材料嗎它的就業前景如何有什麼單位可以選擇

介於導體與非導體間之物質（如矽或鍺）,故其導電性居於金屬與絕緣體之間,並隨溫度而增加。半導體材料,呈中度至高度之電阻性（視製造之際所摻雜之物質而定）。純半導體材料( 稱為內質半導體）,導電性低；若於其中添加特定類型之雜質原子（成為外質半導體）,則可大為增加其導電性。施體雜質（5價）可大量增加電子數目,而產生負型半導體；受體雜質（3價）則大量增加電洞數目,而產生正型半導體。此種外質半導體之導電性,端視其中雜質之類型及總量而定。不同導電性之半導體若經集合一起,可形成各種接面； 此即為半導體裝置（供作電子組件使用）之基礎。半導體一詞,亦常意指此類裝置本身（如電晶體、積體電路等）。 補充：良好的半導體有四個價電子,所以加入五價電子的原子會增加電子數（多一個）,而加入三價電子,會多一個電洞（少一個） 。

以非晶態半導體材料為主體製成的固態電子器件。非晶態半導體雖然在整體上分子排列無序，但是仍具有單晶體的微觀結構，因此具有許多特殊的性質。1975年，英國W.G.斯皮爾在輝光放電分解硅烷法制備的非晶硅薄膜中摻雜成功，使非晶硅薄膜的電阻率變化10個數量級，促進非晶態半導體器件的開發和應用。同單晶材料相比，非晶態半導體材料制備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件。非晶硅太陽能電池吸收系數大，轉換效率高，面積大，已應用到計算器、電子表等商品中。非晶硅薄膜場效應管陣列可用作大面積液晶平面顯示屏的定址開關。利用某些硫系非晶態半導體材料的結構轉變來記錄和存儲光電信息的器件已應用於計算機或控制系統中。利用非晶態薄膜的電荷存儲和光電導特性可製成用於靜態圖像光電轉換的靜電復印機感光體和用於動態圖像光電轉換的電視攝像管的靶面。

具有半導體性質的非晶態材料。非晶態半導體是半導體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關於用硫系薄膜製作開關器件的專利發表以後，才引起人們對非晶態半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實現了摻雜效應，使控制電導和製造PN結成為可能，從而為非晶硅材料的應用開辟了廣闊的前景。在理論方面，P.W.安德森和莫脫，N.F.建立了非晶態半導體的電子理論，並因而榮獲1977年的諾貝爾物理學獎。目前無論在理論方面，還是在應用方面，非晶態半導體的研究正在很快地發展著。
分類 目前主要的非晶態半導體有兩大類。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶態半導體。例如As-Se、As-S，通常的制備方法是熔體冷卻或汽相沉積。
四面體鍵非晶態半導體。如非晶Si、Ge、GaAs等，此類材料的非晶態不能用熔體冷卻的辦法來獲得，只能用薄膜淀積的辦法(如蒸發、濺射、輝光放電或化學汽相淀積等)，只要襯底溫度足夠低，淀積的薄膜就是非晶態結構。四面體鍵非晶態半導體材料的性質，與制備的工藝方法和工藝條件密切相關。圖1 不同方法制備非晶硅的光吸收系數 給出了不同制備工藝的非晶硅光吸收系數譜，其中a、b制備工藝是硅烷輝光放電分解，襯底溫度分別為500K和300K，c制備工藝是濺射，d制備工藝為蒸發。非晶硅的導電性質和光電導性質也與制備工藝密切相關。其實，硅烷輝光放電法制備的非晶硅中，含有大量H，有時又稱為非晶的硅氫合金；不同工藝條件，氫含量不同，直接影響到材料的性質。與此相反，硫系玻璃的性質與制備方法關系不大。圖2 汽相淀積濺射薄膜和熔體急冷成塊體AsSeTe的光吸收系數譜 給出了一個典型的實例，用熔體冷卻和濺射的辦法制備的AsSeTe樣品，它們的光吸收系數譜具有相同的曲線。
非晶態半導體的電子結構 非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶(見固體的能帶)。材料的基本能帶結構主要取決於原子附近的狀況，可以用化學鍵模型作定性的解釋。以四面體鍵的非晶Ge、Si為例，Ge、Si中四個價電子經sp雜化，近鄰原子的價電子之間形成共價鍵，其成鍵態對應於價帶；反鍵態對應於導帶。無論是Ge、Si的晶態還是非晶態，基本結合方式是相同的，只是在非晶態中鍵角和鍵長有一定程度的畸變，因而它們的基本能帶結構是相類似的。然而，非晶態半導體中的電子態與晶態比較也有著本質的區別。晶態半導體的結構是周期有序的，或者說具有平移對稱性，電子波函數是布洛赫函數，波矢是與平移對稱性相聯系的量子數，非晶態半導體不存在有周期性， 不再是好的量子數。晶態半導體中電子的運動是比較自由的，電子運動的平均自由程遠大於原子間距；非晶態半導體中結構缺陷的畸變使得電子的平均自由程大大減小，當平均自由程接近原子間距的數量級時，在晶態半導體中建立起來的電子漂移運動的概念就變得沒有意義了。非晶態半導體能帶邊態密度的變化不像晶態那樣陡，而是拖有不同程度的帶尾(如圖3 非晶態半導體的態密度與能量的關系 所示)。非晶態半導體能帶中的電子態分為兩類：一類稱為擴展態，另一類為局域態。處在擴展態的每個電子，為整個固體所共有，可以在固體整個尺度內找到；它在外場中運動類似於晶體中的電子；處在局域態的每個電子基本局限在某一區域，它的狀態波函數只能在圍繞某一點的一個不大尺度內顯著不為零，它們需要靠聲子的協助，進行跳躍式導電。在一個能帶中，帶中心部分為擴展態，帶尾部分為局域態，它們之間有一分界處，如圖4 非晶態半導體的擴展態、局域態和遷移率邊 中的和，這個分界處稱為遷移率邊。1960年莫脫首先提出了遷移率邊的概念。如果把遷移率看成是電子態能量的函數，莫脫認為在分界處和存在有遷移率的突變。局域態中的電子是跳躍式導電的，依靠與點陣振動交換能量，從一個局域態跳到另一個局域態，因而當溫度趨向0K時，局域態電子遷移率趨於零。擴展態中電子導電類似於晶體中的電子，當趨於0K時，遷移率趨向有限值。莫脫進一步認為遷移率邊對應於電子平均自由程接近於原子間距的情況，並定義這種情況下的電導率為最小金屬化電導率。然而，目前圍繞著遷移率邊和最小金屬化電導率仍有爭論。
缺陷 非晶態半導體與晶態相比較，其中存在大量的缺陷。這些缺陷在禁帶之中引入一系列局域能級，它們對非晶態半導體的電學和光學性質有著重要的影響。四面體鍵非晶態半導體和硫系玻璃，這兩類非晶態半導體的缺陷有著顯著的差別。
非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外層有四個價電子，正常情況應與近鄰的四個硅原子形成四個共價鍵。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周圍四個近鄰原子不足，而產生一些懸掛鍵，在中性懸掛鍵上有一個未成鍵的電子。懸掛鍵還有兩種可能的帶電狀態：釋放未成鍵的電子成為正電中心，這是施主態；接受第二個電子成為負電中心，這是受主態。它們對應的能級在禁帶之中，分別稱為施主和受主能級。因為受主態表示懸掛鍵上有兩個電子占據的情況，兩個電子間的庫侖排斥作用，使得受主能級位置高於施主能級，稱為正相關能。因此在一般情況下，懸掛鍵保持只有一個電子占據的中性狀態，在實驗中觀察到懸掛鍵上未配對電子的自旋共振。1975年斯皮爾等人利用硅烷輝光放電的方法，首先實現非晶硅的摻雜效應，就是因為用這種辦法制備的非晶硅中含有大量的氫，氫與懸掛鍵結合大大減少了缺陷態的數目。這些缺陷同時是有效的復合中心。為了提高非平衡載流子的壽命，也必須降低缺陷態密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成為目前材料制備中的關鍵問題之一。
硫系玻璃中缺陷的形式不是簡單的懸掛鍵，而是「換價對」。最初，人們發現硫系玻璃與非晶硅不同，觀察不到缺陷態上電子的自旋共振，針對這表面上的反常現象，莫脫等人根據安德森的負相關能的設想，提出了MDS模型。當缺陷態上占據兩個電子時，會引起點陣的畸變，若由於畸變降低的能量超過電子間庫侖排斥作用能，則表現出有負的相關能，這就意味著受主能級位於施主能級之下。用 D、D、D 分別代表缺陷上不佔有、佔有一個、佔有兩個電子的狀態，負相關能意味著：
2D —→ D+D
是放熱的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配對電子，所以沒有電子的自旋共振。不少人對D、D、D缺陷的結構作了分析。以非晶態硒為例，硒有六個價電子，可以形成兩個共價鍵，通常呈鏈狀結構，另外有兩個未成鍵的 p電子稱為孤對電子。在鏈的端點處相當於有一個中性懸掛鍵，這個懸掛鍵很可能發生畸變，與鄰近的孤對電子成鍵並放出一個電子(形成D)，放出的電子與另一懸掛鍵結合成一對孤對電子(形成D)，如圖 5 硫系玻璃的換價對 所示。因此又稱這種D、D為換價對。由於庫侖吸引作用，使得D、D通常是成對地緊密靠在一起，形成緊密換價對。硫系玻璃中成鍵方式只要有很小變化就可以形成一組緊密換價對，如圖6 換價對的自增強效應 所示，它只需很小的能量，有自增強效應，因而這種缺陷的濃度通常是很高的。利用換價對模型可以解釋硫屬非晶態半導體的光致發光光譜、光致電子自旋共振等一系列實驗現象。
應用 非晶態半導體在技術領域中的應用存在著很大的潛力，非晶硫早已廣泛應用在復印技術中，由S.R.奧夫辛斯基首創的 As-Te-Ge-Si系玻璃半導體製作的電可改寫主讀存儲器已有商品生產，利用光脈沖使碲微晶薄膜玻璃化這種性質製作的光存儲器正在研製之中。對於非晶硅的應用目前研究最多的是太陽能電池。非晶硅比晶體硅制備工藝簡單，易於做成大面積，非晶硅對於太陽光的吸收效率高，器件只需大約1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一種廉價的太陽能電池，現已受到能源專家的重視。最近已有人試驗把非晶硅場效應晶體管用於液晶顯示和集成電路

3. 請問有誰清楚「泛半導體產業」這個概念具體怎麼解釋

我認為
泛半導體產業是指包括集成電路、平板顯示、LED、太陽能電池、分立器件以及半導體設備材料產業的一個統稱。

4. 易沖半導體官網為什麼是英文的

易沖半導體官網是英文的，這沒有為什麼呀，系統就是這樣，也沒辦法

5. 如何用al wireless charging pad 對ipad mini4 充電

al wireless charging pad目前只能對iPhone、AirPods等設備的無線充電。

ipad mini4 不支持無線充電。

mophie是蘋果長期合作夥伴，近期推出了一款雙無線充電板新品mophie al wireless charging pad。產品經過嚴格審核，上架蘋果全球Apple Store直營店及蘋果官網銷售，供世界各地果粉消費者選購。

詳細資料。

3PEAK TP2432雙運放，用於保護檢測功能。

詳細資料。

拆解全家福。

三、充電頭網拆解總結

mophie 雙無線充電板外觀設計簡潔，內置獨立的雙路無線充電，可同時為兩部手機或者支持Qi無線充電的配件充電，USB輸出則可為私有無線充電協議的Apple Watch充電，間接達到AirPower那種給蘋果全家桶同時充電的效果。其採用易沖高集成SOC無線充電方案，集成度高，BOM成本低，便於快速開發和生產；定頻調壓架構則使得穩定性和效率均有保障。

了解易沖EC8014A更多信息，請點擊這里

#Mophie#無線充電

廣告

本文系作者 @oncletao原創發布在 充電頭網。未經許可，禁止轉載。

0

oncletao

上一篇

兼容多種快充協議高性價比之選，京造20000mAh PD移動電源評測（J21P）

下一篇

中國小伙研發新型發電機，美國眾籌破千萬，顛覆傳統行業

登錄

還沒有評論，快來搶沙發吧！

暢言雲評

站長點擊我去廣告>

充電頭網正在使用暢言雲評

熱評話題

• 充電雜談No3：快充協議是如何工作的？ – 充

• 拆解報告：iQOO 55W FlashCharge2.0超級閃充

• 拆解報告：RAVPOWER 15000mAh 18W雙向快充移

• 脫胎換骨還是換湯不換葯？蘋果20W PD快充深

• 蘋果不單獨售賣的快充線做工如何，三種不同

• 努比亞、征拓、飛頻在2020果粉嘉年華發布數

• LMPDA推出2米雷電3數據線，支持40Gbps數據傳

• 三星下一代充電器EP-TA865曝光，65W快充確定

• 蘋果iPhone升級iOS 14後再封殺7.5W無線充？

• 技嘉發布27英寸KVM電競顯示器，搭載USB-C全

6. 如何正確選擇電路當中的TVS二極體

工作電壓5V tvs 二極體XESD5VD923U完美替換ESD9C5,SES5VD923-2U,ESD9C5.0ST5G,價格;0.06/pcs

VRRM；為能夠連續施加於二極體的峰值反向電壓，如IN4007 為1000V；
VR：為能夠施加於二極體的反向最大直流電壓，如IN4007 為1000V；
VRSM：為能夠施加於二極體的非連續峰值反向電壓，如IN4007 為1200V；
VRWM：為工作峰值反向電壓，如IN4007 為1000V；

7. 美國第六代多昵爾低溫等離子消融術怎麼樣

因為多昵爾技術的治療彈頭只有10微米至1毫米左右，有的比頭發絲還要細，所以又稱「頭發絲技術」。
低溫等離子技術是在鼻內窺鏡下，運用等離子低溫消融系統瞬間對引起鼻炎的增生組織進行消融，可保持局部黏膜組織結構的安全性，並能有效減輕術後水腫與疼痛。

簡介

等離子設備與治療實況
等離子設備與治療實況(5張)
低溫等離子消融術全稱為「美國DNR數字式低溫等離子消融術」，DNR英文直譯為多昵爾，所以簡稱為「多昵爾低溫消融術」。該技術來源於美國軍方的高能軍用等離子技術，原先主要用於有關核能與宇宙帶電粒子研究。因為多昵爾技術的治療彈頭只有10微米至1毫米左右，有的比頭發絲還要細，所以又稱「頭發絲技術」。
多昵爾低溫消融術是目前最先進的醫療儀器，也是最新的第四代物理治療技術，由於其臨床表現突出，在美國本土及歐洲等發達國家都已全面代替了開刀，激光，微波等傳統治療，醫學界專家一致認為數字化等離子治療技術，代表了當今的最高水平。
多昵爾低溫消融術的基本原理是低溫消融，即利用低溫等離子射頻的能量，以較低的溫度（40-70度）來進行組織的切除，從而避免對組織的損傷，並且能夠大大減輕病人的痛苦和縮短康復周期，低溫等離子消融系統近年來已經在國外耳鼻喉科領域得到了廣泛應用，其臨床效果也得到世界權威的認可。
多昵爾數字化低溫等離子治療儀不是普通的設備，該技術與微波相比，無輻射，血液中能工作，溫度更低，治療效果更好與射頻相比，頻率、溫度更低，工作更穩定，有離子液化效果;與電刀相比，血液中能切割，冷刀切割效果，無熱源損傷;與激光相比，能弧形切割，無光反射，周邊損傷小，切割強，是目前國際最具領先的治療耳鼻喉疾病的高科技設備。
低溫等離子

低溫等離子
低溫等離子體技術是一門已相對成熟和蓬勃發展著的應用學科，它已在傳統和高技術領域得到了廣泛的應用。其中等離子體表面改性技術以其特有的優點，解決了合成高分子材料無法完全滿足作為生物醫用材料所需要的生物相容性和高度的生物功能要求這一難題。通過等離子體處理後，能夠在高分子材料表面固定生物活性分子，達到作為生物醫用材料的目的。
低溫等離子是繼固態、液態、氣態之後的物質第四態，當外加電壓達到氣體的著火電壓時，氣體分子被擊穿，產生包括電子、各種離子、原子和自由基在內的混合體。放電過程中雖然電子溫度很高，但重粒子溫度很低，整個體系呈現低溫狀態，所以稱為低溫等離子體。
工作原理

該技術是在鼻內窺鏡下，運用從國外引進的等離子低溫消融系統瞬間對引起鼻炎

的增生組織進行消融，可保持局部黏膜組織結構的安全性，並能有效減輕術後水腫與疼痛。消融時間很短，約15-20分鍾的功夫，術後症狀即得到緩解，一般術後不會再復發，可有效治療過敏性鼻炎、慢性鼻炎、鼾症、咽炎等。
在治療過程中，多昵爾的治療彈頭會先利用數字智能識別功能先採集病變組織的基本數據，然後根據計算機的指令使組織局部形成一個擁有離子、電子和核心粒子的不帶電的離子化物質的空間（在這個空間內擁有幾乎相同數量的自由電子和陽極電子的離子，我們就稱之為等離子），這時，高度吸收能量的非平衡等離子會在計算機的程序控制下，使病變組織產生低溫分解效應及RL（感抗）熱效應，即使組織蛋白質迅速凝固及血管收縮和封閉，達到治療耳鼻咽喉疾病的目的。在治療的過程中幾乎不會損傷患者耳鼻咽喉部位的粘膜和纖毛上皮，因此，術後，患者要比接受過傳統耳鼻咽喉手術的患者恢復更加良好。
因為多昵爾的治療彈頭雖然細但十分強韌，醫生可以根據需要對彈頭進行任意的修剪和彎折，在先進的德國Storz鼻內窺鏡系統配合下，彈頭可以輕易地到達耳鼻咽喉任何部位的病灶，所以，多昵爾低溫消融術可以用於幾乎所有耳鼻咽喉疾病的治療。
美國多昵爾數字式低溫等離子消融術是目前國際上先進鼻咽炎治療設備，等離子低溫消融治療系統，是治療鼻部疾病幾近完美的微創療法。在低溫的作用下它既將鼻甲肥大病變部分進行消融，又不傷害正常的鼻甲粘膜組織，來達到治療目的。低溫等離子消融治療系統的作用原理是使電極和組織間形成等離子薄層，層中離子被電場加速，並將能量傳遞給組織，在低溫下（40°C―70°C）打開細胞間分子結合鍵，使靶組織中的細胞分解為碳水化合物和氧化物造成病變組織液化消融，稱為等離子（不是熱效應），從而達到靶組織體積減容的效果。
低溫等離子治療系統是利用數字智能識別功能先採集治療組織數據，然後根據計算機的指令，使組織瞬間產生蒸汽，在數字高頻交變電場的作用下，這些組織將迅速被激發並產生電離作用，在低溫的情況下使病變組織迅速消融及血管收縮、封閉。由於工作溫度超低，消融深度可以精確控制，而且採用比人體頭發絲還細小的切割彈頭，所以手術過程對周圍組織的損傷很小。該技術在治療鼻炎時能確保黏膜完整，安全無痛苦，避免鼻病復發；而且採用一次性治療探頭，防止醫源交叉感染；整個治療過程僅20分鍾左右，非常適合事務繁忙、白領、學生和對疼痛敏感的人士。
2優點
編輯

微創

多昵爾數字式等離子技術，又稱「頭發絲」技術，它的治療彈頭分別只有10微米至1毫米左右，有的比頭發絲還要細，正因為多昵爾的治療彈頭如此之細，所以對患者的損傷也極小，醫生們用它對患者進行精確的點狀治療，術中幾乎不出血，術後患者的疼痛、水腫也非常輕微。
整個治療只需在下鼻甲前端刺一個小孔，最大浸透深度為2mm，對鼻甲粘膜的纖毛功能影響較小，對鼻甲周圍正常組織損傷的可能性也較小。因此,術後很少有痂皮，鼻腔粘連等並發症發生的機率較低。同時，該治療系統還具有自動控制功能，當組織變性時電阻增大到一定程度，系統會自動停止工作，並發出報警聲。
精確

多昵爾數字式等離子技術採用全程數字化控制溫度，其治療溫度可精確到0.05℃，治療全程溫度控制在39-70℃，切割面損傷更小，不會像微波、激光、模擬等離子一樣燒傷粘膜，破壞纖毛上皮，患者術後恢復更好。數字化的功率調節有利於選擇合適的功率。我們在內窺鏡輔助下，能充分而精確地縮小肥厚的鼻甲組織，對仍有肥厚的部分還可適當補充。
方便

運用多昵爾數字式等離子技術治療耳鼻咽喉疾病只需局部麻醉，10~15分鍾即可完成手術，門診手術即可。術後無出血、無疼痛、無水腫，無需住院，也不影響正常飲食，非常適合事務繁忙的人士及對疼痛耐受力低的兒童。不影響工作和學習。
安全

多昵爾數字式等離子治療系統是繼激光、微波後第四代高檔數字治療系統，是等離子技術專業治療機，純凈無輻射，更安全。多昵爾採用的獨特一次性彈頭，還可避免術中醫源性的疾病交叉感染。
止血效果好，術中出血一般為1-5ml，視野清晰，有利於操作的准確。
3特點
編輯

概況

在個性化治療時代，只有技術的升級，才能滿足消費者越來越高的就醫要求。如今，市場上的等離子設備大多是第二代模擬等離子設備，這些設備通常採用一個固定參數治療多種疾病。由於參數不夠全面，不能准確地達到治療目的。而第四代的低溫數字式等離子治療系統具有強大的數字化功率控制的管理功能，這是模擬機無法實現的。它能針對患者的具體情況指定不同的治療參數，採取個性化的治療方法，具有全程數字化控制溫度的特點，32位二進制代碼控制溫度可精確到0.05℃。而且該設備的功率由計算機控制，會根據治療區的情況適宜調整，以防止過度凝固和切割。
特徵

1.環保技術：等離子體作用過程是氣-固相乾式反應，不消耗水資源、無需添加化學葯劑，對環境無污染。
2.廣適性：不分處理對象的基材類型，均可進行處理，如金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料都能很好地處理；
3.溫度低：接近常溫，特別適於高分子材料，比電暈和火焰方法有較長保存時間和較高表面張力。
4.功能強：僅涉及高分子材料淺表面（10-1000A），可在保持材料自身特性的同時，賦予其一種或多種新的功能；
5.低成本：裝置簡單，易操作維修，可連續運行，往往幾瓶氣體就可以代替數千公斤清洗液，因此清洗成本會大大低於濕法清洗。
6.全過程可控工藝：所有參數可由電腦設置和數據記錄，進行質量控制。
7.處理物幾何形狀無限制：大或小，簡單或復雜，部件或紡織品，均可處理。
適應症

1.鼻炎（包括慢性鼻炎、過敏性鼻炎）
2.扁桃體炎
3.中耳炎
4.打鼾（打呼嚕）
5.扁桃體肥大
6.腺樣體肥大
7.咽喉疾病
8.扁桃體周圍膿腫
9.鼻息肉
10.扁桃體角化症
操作方法

Reflex55刀頭。1%的卡因鼻腔表面麻醉及咽腔鼻咽部噴霧麻醉後。以兩細管分別自兩鼻腔插入後鼻孔經鼻咽口腔引出牽拉軟齶，此時可在間接鼻咽鏡下暴露隱藏深在的腺樣體。操作前設定輸出功率於5擋，以Reflex55刀頭蘸生理鹽水後，呈散點式多次插入腺樣體，每點治療時間持續10 秒，點插入深度小於腺樣體厚度，點間距大於0.8cm，共4~6點。治療後即見腺樣體明顯縮小，表面散在白色點，無出血不需填塞。
術後保健

1、術後通過定期到醫院維護鼻腔,可以大大減少復發的機率。到醫院來維護鼻腔的具體時間由醫生根據患者的術腔恢復情況來安排。
2、注意保暖,不要著涼,保證充足的睡眠,適當的鍛煉,增強體質.
3、術後盡量少吃或者不吃辛辣的食物。
4、術後用葯請遵醫囑；3--4月，要注意到醫院復診，一般一年1--2次就可以了
展望與前景

目前，國內有不少單位正在利用等離子體表面處理技術積極開展生物醫用材料的表面改性及表面膜合成研究，以解決抗凝血、生物相容性、高分子聚合物表面親水性、抗鈣化及細胞吸附生長、抑制等關鍵技術問題。中國科學院上海硅酸鹽研究所利用等離子體噴塗技術，在生長ZrO等塗層改善人工骨的研究方面取得了重要進展，他們正在使生物醫學材料表面處理走向實用化。中國科學院上海冶金研究所、西南交通大學等單位合作，利用IBAD(離子束輔助沉積)技術在熱解碳上生長非晶和晶態金紅石型氧化鈦薄膜，用於改善材料的抗凝血性。體外試驗及動物體內樣品試驗表明，用IBAD生長氧化鈦塗層的熱解碳的血液相容性顯著優於臨床應用的熱解碳人工心瓣。東華大學理學院准備利用脈沖等離子體材料表面修飾最新技術，在膠原材料表面塗覆有利於神經營養因子CNTF共價固定並具有特定物理形態的功能膜。利用CNTF營養因子對細胞吸附生長的促進作用，促進常規細胞及CNTF轉基因細胞在其上的吸附生長分化。這對研究篩選適於常規細胞及轉基因細胞發揮正常生理功能的生物活性表面塗層及技術，擴大現有生物材料的應用范圍，深人研究這類因子對細胞吸附及生長的影響，及細胞與生物材料表面的反應機制，構建新一代具特定修復、再生功能的智能生物材料，都具有重要的意義。
隨著全球人口老齡化和運動創傷的增多，人們對生物醫用材料提出了非常大的需求，因此各國對生物材料的研究與開發都投人了大量的人力、物力和財力目前已有許多內植器官、人工組織和體外輔助裝置等都在開發研究和臨床應用中。低溫等離子體表面處理技術以其特有的優點正被許多科學工作者用於生物材料的表面改性及表面膜台成研究。但是這些研究大多處於開發階段或動物實驗階段，離實用化還有一段路程。對醫用高分子材料的抗凝血性、生物組織相容性的提高仍是今後醫用高分子材料研究中的一個首要問題這些研究需要化學、物理化學、生物化學、生物學、物理學和醫學等多方面專家的共同努力。
等離子技術評價

由美國傑西公司發明的新技術—等離子體低溫消融術，現在已廣泛應用於脊柱外科、耳鼻咽喉科。具有創傷小 出血少、不住院、等特點在耳鼻咽喉科已應用於扁桃體肥大、下鼻甲肥大、鼾症、手術效果好、出血少，它的原理是等離子刀頭產生等離子體，等離子體能氣化病灶組織,使病灶組織氣化成CO2、O2 等，氣體從而達到消除病灶組織的功效。

8. led燈怎麼樣，要如何選購led燈

什麼是LED燈呢？LED 是英文 light emitting diode （發光二極體）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料晶元，用銀膠或白膠固化到支架上，然後用銀線或金線連接晶元和電路板，然後四周用環氧樹脂密封，起到保護內部芯線的作用，最後安裝外殼，所以 LED 燈的抗震性能好。LED 燈怎麼樣，我想在你心裡應該知道答案了吧！那麼要如何選購呢？ 1，節能。 白光LED的能耗僅為白熾燈的1/10，節能燈的1/4. 2，長壽。壽命可達10萬小時以上，對普通家庭照明可謂"一勞永逸". 3，可以工作在高速狀態.節能燈如果頻繁的啟動或關斷燈絲就會發黑很快的壞掉. 4，固態封裝，屬於冷光源類型。所以它很方便運輸和安裝，可以被裝置在任何微型和封閉的設備中，不怕振動，基本上用不著考慮散熱。 5，LED技術正日新月異的在進步，它的發光效率正在取得驚人的突破，價格也在不斷的降低。一個白光LED進入家庭的時代正在迅速到來。 6，環保。沒有汞的有害物質。LED燈泡的組裝部件可以非常容易的拆裝，不用廠家回收都可以通過其它人回收。 7，透鏡與燈罩一體化設計。透鏡同時具備聚光與防護作用，避免了光的重復浪費，讓產品更加簡潔美觀； 8， 配光技術使LED點光源擴展為面光源，增大發光面，消除眩光，升華視覺效果，消除視覺疲勞； 9，大功率LED平面集群封裝，及散熱器與燈座一體化設計。充分保障了LED散熱要求及使用壽命，從根本上滿足了LED燈具結構及造型的任意設計，極具LED燈具的鮮明特色； 10，節能顯著。採用超高亮大功率LED光源，配合高效率電源，比傳統白熾燈節電80%以上，相同功率下亮度是白熾燈的10倍； 11，超長壽命50，000小時以上，是傳統鎢絲燈的50倍以上。LED採用高可靠的先進封裝工藝—共晶焊，充分保障LED的超長壽命； 12，無頻閃。純直流工作，消除了傳統光源頻閃引起的視覺疲勞； 13，綠色環保。不含鉛、汞等污染元素，對環境沒有任何污染； 14，耐沖擊，抗雷力強，無紫外線（UV）和紅外線（IR）輻射。無燈絲及玻璃外殼，沒有傳統燈管碎裂問題，對人體無傷害、無輻射。 15，低熱電壓下工作，安全可靠。表面溫度≤60℃（環境溫度Ta=25℃時）； 16，寬電壓范圍，全球通用。85V~ 264VAC全電壓范圍恆流，保證壽命及亮度不受電壓波動影響； 17，採用PWM恆流技術，效率高，熱量低，恆流精度高； 18，降低線路損耗，對電網無污染。功率因數≥0.9，諧波失真≤20%，EMI符合全球指標，降低了供電線路的電能損耗和避免了對電網的高頻干擾污染； 19，通用標准燈頭，可直接替換現有鹵素燈、白熾燈、熒光燈。 LED燈的使用壽命比較長，LED為固體冷光源，環氧樹脂封裝，抗震動，燈體內也沒有松動的部分，不存在燈絲發光易燒、熱沉積、光衰等缺點，使用壽命可達6萬~10萬小時，是傳統光源使用壽命的10倍以上。LED性能穩定，可在-30~+50oC環境下正常工作。看了這些介紹之後你有沒有立刻要購買的心動呢？