n型半導體的金屬氧化物有哪些

1. N型金屬氧化物有哪些

重要的氧化物半抄導體材料有襲Cu2O、ZnO、SnO2、Fe2O3、TiO2、ZrO2、CoO、WO3、In2O3、Al2O3、Fe3O4等。
目前最常用的氣敏半導體材料有ZnO、CdO、SnO。和Fe2O3等

2. 哪裡可以找到金屬氧化物的能級圖

Stannic oxide 分子式(Formula)： SnO2 分子量(Molecular Weight)： 150.69 CAS No.： 18282-10-5 質量指標(Specification) 外觀（Appearance）： 白色、淡黃色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末 含量（Purity）： 99.60%-99.99%) 物化性質(Physical Properties) 化學成分：SnO2：99.85%；Cu：0.0014% SnO2同時是一種優秀的透明導電材料。它是第一個投入商用的透明導電材料，為了提高其導電性和穩定性，常進行摻雜使用，如SnO2：Sb、SnO2：F等。SnO2和其摻雜都具有正方金紅石結構（tetragonal rutile），如圖所示。紅色為O，黑色為Sn，SnO2由兩個Sn和四個O原子組成，晶格常數為a=b=0.4737nm，c=0.3186nm，c/a=0.637。O^2-=0.140nm,Sn^4+=0.071nm。
SnO2是n型寬能隙半導體，禁帶寬度為3.5-4.0eV，可見光及紅外透射率為80%，等離子邊位於3.2μm處，折射率>2,消光系數趨於0.SnO2附著力強，與玻璃和陶瓷的結合力可達20MPa，莫氏硬度為7—8，化學穩定性好，可經受化學刻蝕。SnO2作為導電膜，其載流子主要來自晶體缺陷，即O空位和摻雜雜質提供的電子。
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3. 半導體有什麼特性

半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。

半導版體材料除了用於製造大規模權集成電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。

半導體是指導電性能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電性能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。

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半導體的四種分類方法

1、按化學成分：分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

2、按製造技術：分為集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

3、按應用領域、設計方法分類：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。

4、按所處理的信號：可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

4. 如何從理論上判斷一種半導體氧化物是N型還是P型

半導體氧化物種類繁多，結構也不一樣。 簡單的說未經摻雜的半導體氧化物的多版數載流子主要決定權於本徵缺陷類型，但是本徵缺陷類型的確定需要在一定進行室溫的第一原理計算和模擬--這一般是唯一脫離實驗的確定方法。 但更重要的是氧化物半導體只有極少數的二六族氧化物，和金屬酸鹽類，鈣鈦礦類compound可以相對明確的進行這種計算，其餘的復雜compound一般氧的含量都不是確定的，氧佔位也不確定，而且其他成分也不是固定的。總的看沒有理論上的萬靈葯。 結合試驗確定是比較普遍的。

5. 半導體材料有哪些

用的最多的是Si材料，主要用於電子器件、微電子器件
用於光通信的有GaAs系、InP系的材料。

6. 互補金屬氧化物是什麼

互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。
參考資料： http://group.zol.com.cn/3/28_28453.html

7. 氧化鋅的半導體機制是什麼呢（它為什麼是n型半導體）

寬頻隙透明氧化物來本徵半源導體，導帶是未填充的金屬陽離子能級，價帶是填充電子的氧離子能級。氧化鋅本徵半導體的載流子濃度較低，但是由於氧原子空位、間隙鋅離子的存在，表現為n型半導體。通過不同類型的參雜，可以成為n型或p型半導體。

8. 互補金屬氧化物半導體的產品介紹

互補金屬抄氧化物半導體（CMOS，complementary metal-oxide semiconctor）是襲製造今天的電腦微晶元所採用的晶體管中使用的半導體技術。半導體由硅和鍺製成，這些原料有幾分導電性，但並不良好。這些材料摻入雜質就成為全面的導體，它們或帶有負電荷（N型晶體管），或攜帶正電荷（P型晶體管）。在CMOS技術中，兩種類型的晶體管互補組成門電路，可以實施有效的電路控制。沒有需要時，CMOS晶體管幾乎不需要能量。在電流方向快速變化時，晶體管將變熱。這些特性限制了處理器操作的速度。