摻雜半導體多子主要是什麼原因

1. 微電子器件基礎里的多子少子指的是什麼

多子和少子都是只來摻雜源半導體裡面的載流子
不摻雜的半導體成為本徵半導體
裡面的電子空穴是平衡的
也是一樣多的
摻了N型材料（一般是五族的P）的稱為N型半導體
多子就是電子
摻了P型材料（一般是三族的硼）的稱為P型半導體
多子就是空穴

2. 介紹下半導體的摻雜問題

不是所有的摻雜都是有效的，因為硅與磷硼的摻雜會有些失敗的部分專，磷硼沒有締屬結成四價鍵，而是三價，這時候還是不會導電，也不會有pn節。其實半導體摻雜是化學反應，不是簡單的混合，這種技術只有歐美有。當晶體管越來越小時，普通摻雜成功率越來越低，學學原子晶體，對半導體的認識會有收獲。此外，氮元素電負性太大，與硅摻雜無法形成四價，只能是三價鍵，不可以導電的。

3. 在摻雜半導體中,多子的濃度主要取決於

D A

4. 在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於 而少數截流子的濃度則與（ ）有很大關系

在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度；在全內電離時,多數截流子濃度≈容摻雜濃度,並且基本上與溫度無關.
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）.

5. 問個半導體多子少子的問題

多子主要是靠半導體本身特性決定，即主要靠參雜濃度決定。溫度升高雖然會使多回子掙脫原子束縛，但多子數答量已經很多了，這一點脫離對多子數目影響不大
少子顧名思義，在半導體中不佔主導地位，那麼參雜濃度對其影響就不大了，而溫度的上升卻可以使更多的少子脫離原子的束縛，因而少子數量主要由溫度決定

6. 摻雜雜質半導體中影響多數和少數載流子數量的最主要原因是什麼急！！！！

主要原因是雜質在禁帶里占的位置和雜質濃度。

7. 雜質半導體的多子濃度取決於

首先明確，摻雜何種雜質、雜質的電離情況、溫度及濃度。比如單一專摻雜，Si中摻雜P，其電離能為0.044，一屬般室溫下就能全部電離，呈現N型，載流子濃度可認為雜質濃度。但是非單一摻雜，比如摻雜P和B，分別為施主雜質和受主雜質，兩者先要進行補償，載流子濃度就等於兩者濃度差值。如果雜質濃度過高，無法全部電離。雜質的能級較深，也無法全部電離。

8. 半導體溫度穩定性差的原因，另外是受多子還是少子影響

溫度穩定性差的原因：

1、少數載流子濃度與溫度有關。（隨著溫度的升高而變窄）

2、禁帶寬度與溫度有關。（隨著溫度的升高而呈指數式增加）

主要是受多子影響。半導體禁帶寬度小，受熱後外層成鍵電子容易躍遷到激發態成為參與導電的載流子，導電性能提高，所以溫度穩定性差。所以多子起主要作用。

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。

半導體的重要性是非常巨大的，今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

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半導體應用

光伏應用

半導體材料光生伏特效應是太陽能電池運行的基本原理。現階段半導體材料的光伏應用已經成為一大熱門 ，是目前世界上增長最快、發展最好的清潔能源市場。

太陽能電池的主要製作材料是半導體材料，判斷太陽能電池的優劣主要的標準是光電轉化率，光電轉化率越高 ，說明太陽能電池的工作效率越高。根據應用的半導體材料的不同 ，太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。

照明應用

LED是建立在半導體晶體管上的半導體發光二極體，採用LED技術半導體光源體積小，可以實現平面封裝，工作時發熱量低、節能高效，產品壽命長、反應速度快，而且綠色環保無污染，還能開發成輕薄短小的產品 ，一經問世 ，就迅速普及，成為新一代的優質照明光源，

目前已經廣泛的運用在我們的生活中。如交通指示燈、電子產品的背光源、城市夜景美化光源、室內照明等各個領域 ，都有應用。

大功率電源轉換

交流電和直流電的相互轉換對於電器的使用十分重要 ，是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高 ，禁帶寬度寬，熱導性高，因此SiC半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合，電源裝換裝置就是其中之一。

碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的又一表現使得現在被廣泛使用到深井鑽探，發電裝置中國的逆變器，電氣混動汽車的能量轉化器，輕軌列車牽引動力轉換等領域。由於SiC本身的優勢以及現階段行業對於輕量化、高轉換效率的半導體材料需要，SiC將會取代Si，成為應用最廣泛的半導體材料。

9. 在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於

在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度內；在全電離時，多數截流子濃容度≈摻雜濃度，並且基本上與溫度無關。
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）。

詳見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。

10. 由於雜質半導體主要靠多子導電,其溫度特性要遠好於本徵半導體,這是為什麼

你說的導電性能好是指電阻率低.電阻率主要決定於材料中載流子的濃度和遷移率版,兩者均與雜質濃度和溫度有關系權.
當不進行摻雜時,為純半導體材料（本徵半導體）,其導電是需要特殊外界條件的（比如溫度）,本徵半導體的電阻率隨溫度增加單調下降.
對於雜質半導體：
摻雜雜質使其導電性能變好主要是由於摻雜特定雜志和雜質電力提供載流子,載流子濃度增加從而電阻率降低,導電性能變好.但其也與溫度有很大關系
溫度很低時,本徵激發忽略,主要由雜質電離提供載流子,它隨溫度升高而增加；散射主要由電離雜質決定,遷移率隨溫度升高增大,所以電阻率下降.
溫度繼續升高,雜質全部電離,本徵激發還不顯著時,載流子基本不變,晶格振動是主要影響因素,遷移率隨溫度升高而降低,所以電阻率隨溫度升高而增大.
繼續升高到本徵激發很快增加時,本徵激發稱為主要影響因素,表現出同本證半導體相同的特徵.