半導體的光吸收有哪些過程

㈠ 半導體的光吸收躍遷

由於半導體吸收了光的能量使得本來處於價帶的電子獲得足夠的能量躍遷到導帶。從而使半導體的電阻急劇變小。

㈡ 半導體對光的吸收有哪幾種過程，哪些過程具有確定的長波吸收限

電光吸收幾乎瞬需要能量積累程
光電效應
光照射某些物質內部內電光激發形電流即光容電
光電效應具實驗規律：
1．每種金屬產光電效應都存極限頻率（或稱截止頻率）即照射光頻率能低於某臨界值相應波稱做極限波（或稱紅限波）入射光頻率低於極限頻率論強光都使電逸
2．光電效應產光電速度與光頻率關與光強關
3．光電效應瞬性實驗發現要光頻率高於金屬極限頻率光亮度論強弱光產都幾乎瞬即幾乎照金屬立即產光電流響應間超十負九秒（1ns）
4.入射光強度影響光電流強弱即影響單位間內由單位面積逸光電數目光顏色變情況入射光越強飽電流越即定顏色光入射光越強定間內發射電數目越

㈢ 半導體光吸收的類型以及各自的物理過程.請解釋的詳細點.謝謝.

截圖是《發光學與發光材料》提到的關於光吸收的部分內容,希望對你有點幫助

㈣ 半導體中有哪些基本的光吸收過程每一個過程中電子是怎樣躍遷的第一問可以不答，我有的是第二問。

光入射到半導體來後，光子源能和晶格作用，並將其能力轉換為焦耳熱；也能夠和雜質、施主或受主及半導體內部缺陷作用。可是光子最容易的還是和價電子作用。
光子能量E=hν，當光子能量小於半導體禁帶寬度的時候，光會穿透物質，此時半導體表現為透明狀。當光子能量大於半導體禁帶寬度時，光子能和價電子作用，把電子激發到導帶。在價帶留一個空穴，在導帶產生一個電子。光子大於半導體禁帶寬度的能量轉換為電子或空穴的動能，在半導體中將以焦耳熱的形式散失掉。

㈤ 半導體中有哪些基本的光吸收過程

這個和電子能帶之間的能量差異有關
假如某種原子兩個電子軌道的能量差剛好是E而這個光譜的能量hV正好和E相等那麼這個光譜就能被該原子吸收
電子吸收光譜hV的能量後就脫離原子核的束縛跑到其他的軌道上.

㈥ 半導體中有哪些基本的光吸收過程每一個過程中電子是怎樣躍遷的

這個和電子能帶之間的能量差異有關
假如某種原子兩個電子軌道的能量差剛好是E而這個光譜的能量hV正好和E相等那麼這個光譜就能被該原子吸收
電子吸收光譜hV的能量後就脫離原子核的束縛跑到其他的軌道上。

㈦ 光與半導體物質的三個基本的作用過程

光與半導體物質的三個基本的作用過程
沒錯，普通光源自發輻射為主。
激光回以受激輻答射為主，因為泵浦激光介質，使處於集居數反轉狀態，諧振腔起到反饋和選模作用， 泵浦、激光介質、諧振腔這三大因素，使得激光能夠實現以受激輻射為主的、光子簡並度極高的工作狀態。

㈧ 物體是怎樣吸收光的，請盡量運用半導體材性質方面的知識回答

如果是光復伏半導體制材料是這樣的機理：當光照射半導體時，光的能量讓處於價帶的電子吸收能量，當電子所吸收的能力超過禁帶寬度時，電子就會躍遷至導帶，而在價帶留下空穴，價帶的空穴和導帶的電子就成為了載流子，由於載流子的增多，就導致半導體的導電性發生改變，當載流子在導帶和價帶里運動時就會產生電流，這就是半導體材料吸光後產生電流的機理。也就是光伏效應很多太陽能半導體的原理就是這樣的，單晶硅就是其中一種。

㈨ 半導體光吸收的類型以及各自的物理過程。請解釋的詳細點。謝謝。

截圖是《發光學與發光材料》提到的關於光吸收的部分內容，希望對你有點幫助

㈩ 關於半導體的，光的吸收和發光的例子。用電子的活動來說明

半導體吸收光：在光照射下，價帶電子吸收光而獲得能量，並從價帶躍遷到導帶（回產生電子-空穴對答）。光電池就是利用吸收光來產生電動勢的。

半導體發光：當有電流通過發光二極體時，即產生非平衡載流子（非平衡的導帶電子和價帶空穴），然後非平衡的導帶電子躍遷到價帶與空穴復合、並發光。這就是pn發光管的發光機理。