為什麼n型半導體加正壓

① 為什麼N型半導體是正離子

假設半導體是硅 N型半導體中摻雜的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷當磷占據一個硅原子專的位屬置時，磷元素外圍的5個電子 4個形成共價鍵，還有一個形成自由電子所以N型半導體導電的是電子相反，P型 中摻雜 3 族元素 如B 硼 你可以這樣理解，B 與 Si形成共價鍵需要從外間獲取一個電子，形成一個空穴，所以導電的是空穴 既是正電子。

② 為什麼N型半導體中不導電的是正離子而P型半導體是負離子

假設半導體是硅
N型半導體中摻雜的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷
當磷占據一個硅原子的位置時，磷元素外圍的5個電子 4個形成共價鍵，還有一個形成自由電子
所以N型半導體導電的是電子
相反，P型 中摻雜 3 族元素 如B 硼 你可以這樣理解，B 與 Si形成共價鍵需要從外間獲取一個電子，形成一個空穴，所以導電的是空穴 既是正電子。

③ n型半導體帶電嗎為什麼4.半導體分哪幾種各有什麼特點

不帶電。n型半導體是指在本徵半導體中加入五價元素，每一個五價元素原子與四個四價半導體元素原子形成四對共用電子對（每一對電子對由半導體元素原子與該五價元素原子各提供一個電子），這樣五價元素原子因四對八個共用電子而達到最外層電子穩定，於是多出來的一個電子（因為形成共用電子對時五價元素原子只貢獻了4個電子）就成為自由電子，這就是n型半導體的多數載流子。但是盡管如此，n型半導體還是不帶電。因為加入五價元素後所有原子的質子數與所有原子的電子數仍然相等，在加入五價元素後，在載流子的形成過程中不存在系統對外電子的失去或得到。因此整個系統還是靜電平衡，因此，不帶電。半導體一般分為本徵半導體和雜質半導體。雜質半導體根據摻入元素價態的不同又分為n型半導體（摻入五價元素）與p型半導體（摻入三價元素）。本徵半導體導電性能很差，其中電子和空穴都參與導電，而電子和空穴都是熱激發形成的。因此本徵半導體的導電性具有溫度敏感性。雜質半導體導電性能要好於本徵半導體。同時雜質半導體主要是多子（多數載流子）導電。這是因為五價或三價元素摻入的過程使多子數量遠多於少子數量。其中n型半導體多子為自由電子，p型半導體多子為空穴。因為雜質半導體多子數量主要和摻入雜質數量有關，因此其多子幾乎不受溫度影響。但其導電性對溫度也比較敏感，這是因為質半導體中的少子還是受熱激發產生的，因此也受溫度影響。

④ 二極體中為什麼N型半導體標正號P型標負號

途中來正負表明的是自建場的方向。
N型半源導體區域多子為電子，所以ND雜質帶正電（因為提供給了Si電子）
P型半導體區域多子為空穴，所以NA雜質帶電子（吸收了Si提供的電子）
在P型半導體與N型半導體接觸時，會產生勢壘區，因為載流子是可流動的，而且由高濃度向低濃度擴散，所以P型半導體的空穴流向N型半導體，N型半導體的電子流向P型半導體。
所以P型半導體區域留下了不能擴散的雜質NA，N型半導體留下了不能擴散的ND（因為接觸不改變物質形態，所以質子不發生轉移）
所以N區勢壘區帶正電，P型勢壘區帶負電。
途中圓圈中的正負，代表的是雜質帶電性。空心圈代表空穴，藍色實心圈代表電子。勢壘區域
外的半導體屬於中性區，電子與空穴均不離開配對的雜質與Si原子。

⑤ 為什麼半導體中PN結的P區是負離子，N區的是正離子

在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。

由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。

開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。

(5)為什麼n型半導體加正壓擴展閱讀：

在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位。

在一定溫度下，電子- 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子- 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。

溫度一定，本徵半導體中載流子的濃度是一定的，並且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。

⑥ 本徵半導體為什麼加五價磷就能變成N型半導體

樓主您好。本徵半導體中，空穴和電子數目相等，是完全不含雜質且無晶格缺陷專的純凈半導體，實際的半屬導體由於缺陷、摻雜等各種原因，根據導電機制不同劃分為n型和p型半導體；而本徵半導體的摻雜有這么幾個原則：摻雜高價元素（施主雜質），可以提供更多的電子，導致本徵半導體中的電子-空穴對平衡移動，空穴減少，成為n型半導體。而摻雜低價元素(受主雜質)，導致半導體中電子數目減少，相應空穴數目增多，成為p型半導體。總結來說，與本徵半導體本身的價態有關，如果在Si半導體中，樓主提到的五價元素摻雜可以使Si成為n型半導體；摻雜三價元素會成為p型半導體。

⑦ n型半導體是否帶負電為什麼

n型半導體是裡面加了一些帶自由電子的原子參雜，是穩態的，這些電子雖然比空穴多，但是受核子的束縛。

⑧ 為什麼N型半導體中電子為多子

沒有正離子這個說法。。電子脫落出來那個位置叫空穴，，因為，，在n型半導體回中是由電子導電答的，，所以電子是多子。。。
自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由於熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。
空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。
這是物理，，不是化學反應，是材料本身的一種性質，，

⑨ N型半導體本身是帶負電還是電中性的

半導體復內還有不可移動的電制荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了；在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。

半導體是中性物。在激發態才是P型半導體，也叫空穴半導體，在硅中摻雜了3價的鋁元素，與周圍硅4價形成共價結合，缺一個電子，形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。

N型半導體，也叫電子半導體，在硅中摻雜5價磷，和硅4價，結合共價後，多一個自由電子。當PN結組合形成二極體結構，就利用PN結的特性。

(9)為什麼n型半導體加正壓擴展閱讀：

n型半導體是裡面加了一些帶自由電子的原子參雜，是穩態的，這些電子雖然比空穴多，但是受核子的束縛。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑩ 為什麼要叫N型半導體

科技名來詞定義
中文自名稱：N型半導體 英文名稱：N-type semiconctor
定義：導電的電子密度超過流動的空穴密度的非本徵半導體。
N型半導體 也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。 在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為是主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。
參考：http://ke..com/view/49365.htm