含微量元素的半導體稱為什麼半導體
『壹』 P型半導體和N型半導體為什麼是呈電中性
晶體管中加入了微量元素，會破壞原晶體內的電位平衡，在晶體內部產生空版穴和電子的對流，但是記住，權這是在半導體內部產生這種對流，進而產生內電場，生成電位差。但對於整個的晶體來說，中和一個電子必佔用一個空穴 ，因此在晶體的內部電子和空穴的數目始終是相等的，不帶電，因此呈電中性。不要把它的導電性和帶電混淆了 呵呵
『貳』 不含雜質具有完整晶體結構的半導體稱為
答案：不含雜質具有完整晶體結構的半導體稱為本徵半導體
不含雜質專且具有完屬整晶體結構的半導體稱為本徵半導體，雜質半導體中參與導電的載流子有自由電子和 空穴 。
本徵半導體完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。但實際半導體不能絕對的純凈，此類半導體稱為雜質半導體。本徵半導體一般是指其導電能力主要由材料的本徵激發決定的純凈半導體。更通俗地講，完全純凈的、不含雜質的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。主要常見代表有硅、鍺這兩種元素的單晶體結構。
『叄』 11.在半導體中摻入任何元素就形成稱雜質半導體正確嗎
在本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使 半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。制備雜質半導體時一般按百萬分之一數量級的比例在本徵半導體中摻雜。
電子-內部結構模型圖
半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為N型半導體和P型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價鍵，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多，很易激發到導帶成為電子載流子，因此對於摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為N型半導體。由於半導體中總是存在本徵激發的電子空穴對，所以在N型半導體中電子是多數載流子，空穴是少數載流子。相應地，能提供空穴載流子的雜質稱為受主(acceptor)雜質，相應能級稱為受主能級，位於禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是受主能級。由於受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發到受主能級上填補這個空位，使受主雜質原子成為負電中心。同時價帶中由於電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本徵半導體情形下產生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為P型半導體。在P型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
『肆』 純凈的半導體稱為什麼，採用一定的工藝摻雜後的半導體稱為什麼
純凈的半導體稱本徵半導體
雜質半導體：通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體
『伍』 為什麼「在純凈的半導體中摻入微量的雜質
只有摻入不同的微量元素才能型成PN節。。。現在所有的半導體器件大部分都是不同的PN節組合，。只是形式的不同。。
『陸』 什麼是本徵半導體，本徵半導體摻入三價元素後的半導體稱為什麼
沒有摻入任何元素的硅、鍺、砷化鎵等為本徵半導體，摻入三價元素後為P型半導體，摻入五價元素後為N型半導體
『柒』 純凈半導體又稱什麼半導體
當然是叫本徵半導體了
『捌』 半導體中的自由電子和空穴的數目相等這樣的半導體稱為什麼半導體
本徵半導體。
（由溫度升高或光線照射引起的）本徵激發產生的兩種載流子（自由電子、空穴）總是成對出現的。
本徵半導體常用於製造熱敏或光敏元件。
『玖』 為什麼n 型半導體又稱電子型半導體
P型半導體：如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素──受主雜質，回例如硼或銦，它們的價答電子帶都只有三個電子，並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中，由於失去了電子而產生了一個正離子，因為這對於其它電子而言是個「空位」，所以通常把它叫做「空穴」，而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的，因而在這種情況下電子是「少數載流子」。
N型半導體：如果摻入的雜質是周期表第V族中的某種元素──施主雜質，例如砷或銻，這些元素的價電子帶都有五個電子，然而，雜質元素價電子的最大能級大於鍺（或硅）的最大能級，因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由於有多餘的負離子引起的，所以稱為「N」型。也有些材料的傳導性是由於材料中有多餘的正離子，但主要還是由於有大量的電子引起的，因而（在N型材料中）電子被稱為「多數載流子」。