半導體晶圓缺口怎麼看

『壹』 請教下這個圖顯示的缺口是什麼缺口，怎麼區分缺口向上還是向下啊。詳細講下怎麼看，謝謝。

該缺口是一個持續性向下跳空的缺口，是一個壓力。目前的已經比較接近壓力位了，有受壓的可能。建議先逢高減持

『貳』 什麼是K線缺口 K線缺口怎麼看

你好，缺口現象在K線圖形里並不罕見，辨別缺口種類，大致可從各類缺口的特徵去判斷
一、竭盡性缺口與普通缺口的區別 相同點：蠍盡性缺口和普通缺口均可能在短期內補回。 不同點：可由位工判斷，竭盡性缺口出現前絕大部分均已先出現其他類型的缺口。
二、普通缺口與突破性缺口的區別 相同點：發生時都有區城密集的價格形態陪襯。
不同點：前者在形態內發生，沒有脫離形態。後者則在股價變動要超越形態時發生（持續性缺口沒有密集形態伴隨，而是在股價急速變動，也就是在行情中途出現）。
三、突破性缺口與持續性缺口的區別 相同點：一般在短時間內不會被封閉。
不同點：
（1）突破性缺口較持續性缺口更不易被封閉。
（2）突破性缺口表明一種股價移動的開始，持續性缺口是快速移動或近於中點的信號（竭盡性缺口則表示已至終點）。兩者憑借它們的位盆和前一個價格形態可以辨認渴盡性缺口不能立刻確認、分辨出來）。
持續性缺口形成時的成交量變化情形為：股價在突破其區城時急速上升。成交量在初期量大，然後在上升中不斷減少。當股價停止原來的趨勢時成交中又迅速增加，於是便形成一個巨大的缺口，這時候又再開始減少。

『叄』 怎麼看缺口

缺口是指當天的收盤價高於或者低於前一天的最高價
這樣就形成了一個缺口

如果當天的收盤價高於前一天的最高價
這樣就形成了一個上漲缺口

如果是指當天的收盤價低於前一天的最高價
這樣就形成了一個下跌缺口

『肆』 半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別是什麼

一、半導體中名詞「」「chip」「die」中文名字和用途

①wafer——晶圓

wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基於這個wafer上生產出來的。晶圓是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。

②chip——晶元

一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash晶元（chip）。晶元一般主要含義是作為一種載體使用，並且集成電路經過很多道復雜的設計工序之後所產生的一種結果。

③die——晶粒

Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學名die，封裝後就成為一個顆粒。晶粒是組成多晶體的外形不規則的小晶體，而每個晶粒有時又有若干個位向稍有差異的亞晶粒所組成。晶粒的平均直徑通常在0.015~0.25mm范圍內，而亞晶粒的平均直徑通常為0.001mm數量級。

二、半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別

①材料來源方面的區別

以硅工藝為例，一般把整片的矽片叫做wafer，通過工藝流程後每一個單元會被劃片，封裝。在封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。

②品質方面的區別

品質合格的die切割下去後，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。這些殘余的die，其實是品質不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝製作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。

③大小方面的區別

封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。cell也是單元，但是比die更加小 cell <die< chip。

(4)半導體晶圓缺口怎麼看擴展閱讀

一、半導體基本介紹

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療儀器等領域有廣泛應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

半導體晶元的製造過程可以分為沙子原料（石英）、硅錠、晶圓、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細致的過程。

『伍』 補缺口是什麼意思，有沒有缺口怎麼看

。「什麼叫做補缺口」？？？缺口在形態學里是非常重要的，大多數情況下K線運行過程中都是有重合部位的，很少出現兩根K線中間沒有任何連接的情況，但是一旦出現就是一個信號，資金在裡面運動的信號。K線的原產國日本投資者，一般把缺口叫成窗口，讓你發現資金多空變化的窗口。這圖就是大多數情況下的正常走勢，每2根相鄰K線不管是上下引線或者是實體柱體總有重合的地方。而突然出現不重合相距一定距離的情況就把這兩根中間不重合的部分叫缺口。無量漲停板缺口最大（開盤到收盤一直維持漲停狀態，K線之間的缺口基本為10%）。其實出現缺口就是資金動向的集中體現，一般機構在一個震盪斜向上洗盤的過程中洗盤末期，機構要進入快速拉升期，就會出現資金的興奮缺口，機構主動填超過頭一天的最高價格的價格（可能是幾分錢也可能是幾角錢甚至剛才說的漲停10%的超高價格買入，凸顯出機構拉升股價的急切慾望），相反，已經經過大幅度拉升在高位長期橫盤震盪大量出貨的股可能會因為機構已經出貨差不多了，搶著用更低的價格賣出就會形成向下的價格缺口。這是機構去意已決的信號，不惜用比前一個交易日低非常低的價格主動賣出剩下籌碼。是不是每個缺口都要補？？？很多人經常口頭談到有缺口必補，把這當成一種經驗之談了，不過我在實戰中發現的規律確是，缺口不一定要補，我經常把缺口是否回補當成該股機構操盤是否兇狠的一個標志，那種形成向上缺口的股票，如果一直不補形成的缺口再次拉起上行，這類股一定要小心往往在短期內可能存在大幅度拉升行情機構兇猛。短線利潤一般較大。而那種老是補了缺口又繼續洗盤的股，都是操盤比較磨人的股。可能漲得比較慢，洗盤時間比較長，性急的投資者，被洗出來概率非常大。而缺口的運用還要結合其他技術分析來進行不是單一的，比如一支股以前一直是小幅度震盪走高有一種慢慢加速的趨勢（機構處於慢慢吸籌狀態），突然有一天放量上攻形成向上的跳空缺口（吸籌完畢進入主升浪階段）而且缺口不補又繼續拉起創新高，這種一般都有短期獲較多利潤的機會，甚至可能是大牛股。要重點關注。該股機構建倉完畢，從底部放量形成第一個缺口開始一個月拉了100%收益可觀。下面是反面例子，當經過前期爆拉300%後，在高位放量出貨並形成向下的跳空缺口，機構出貨意願堅決，之後該股調整8個月。進去就是挨套這么久，而同時當時大盤漲了近8個月，買錯了股或者不走人就錯過了其他牛股。橫向黃色直線就是兩根k線之間的一個小缺口，缺口雖然小但是導致調整8個月。體現了機構堅決出貨的意圖。不補有什麼後果呢？？？不補就繼續拉升的股我一般定義為，潛在的牛股！而補了就開始洗盤的股，大多數情況下短時間內的利潤增長概率遠遠小於上面我說的那種股。而做股票的人需要不斷完善自己的技術，缺口只是裡面的很小的技術。當你把缺口這個小技術放到大的K線分析形態分析中去，放到機構建倉，洗盤，拉升，出貨等幾個周期中去看，你才會發現一個小小的缺口就能夠揭露機構的意圖。做空還是做多。而缺口還有一種情況叫衰竭向上缺口，如果某支股前面短時間的拉升已經很瘋狂了（比如剛才舉例的一個月拉100%的那支股），在已經大幅度拉升後而在高位再次形成的向上缺口你就要留意是否短時間內的強拉行情要結束了，最後高位形成缺口是機構想給散戶造成該股還會繼續瘋狂拉升的假象，可能這個衰竭缺口形成後沒多久該股那種瘋狂上升趨勢就結束了，雖然你這個高位缺口後還漲了13%左右，但是該股後市就再難出現這種瘋狂的走勢了，該股就變成盤整走高了，該股這一個月拉升的漲幅達到100%，後面該股又慢慢震盪移動走高，8個月漲了40%。差距明顯。在運用缺口時一定要把缺口放到大的圖形中去，出現在吸籌完畢後的第一次拉升區還是在大幅度拉升後的高位形成性質是完全不一樣的。而大幅度拉升後的高位的向下出貨缺口和經過長時間下跌後在底部形成的向下缺口又是完全不一樣的性質。可能那是機構最後一次對散戶的恐嚇行為，機構可能要開始建倉了。（要結合大盤分析確認是否已經臨近底部）股市是活的，不要照搬書上的教學，遇到問題要靈活處理。順勢而為永遠是正確的。以上純屬個人觀點請謹慎採納朋友。 補缺口有幾種情況，一是機構太弱，拉出缺口後資金跟不上無法維持不補缺口強勢拉升，而且補了缺口後繼續下跌。還有一種是機構故意洗盤。我發現部分機構還故意把缺口補了，但是補了後馬上就強勢拉起拉出主浪。這有最後一洗的嫌疑，遇到這種股也是好股。那種補了就跌得一塌糊塗的一般就不用考慮了。

『陸』 Protel99se晶元的缺口怎麼畫

你是畫原理圖庫文件吧，其實原理圖只是個指示作用，不必非得和實物畫的一樣，只要晶元引腳排序沒錯就行。你可以在引腳開始為止畫個小圈指示，或者引腳起始位置不畫成直角畫成45度拐角也行。如果是畫PCB封裝，上面就有畫圓弧的工具。不要糾結了，兄弟。

『柒』 請問這個缺口怎麼畫

在引腳開始為止畫個小圈指示，或者引腳起始位置不畫成直角畫成45度拐角。 集成電路（英語：integrated circuit, IC）、或稱微電路（microcircuit）、 微晶元（microchip）、晶元（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並通常製造在半導體晶圓表面上。前述將電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。本文是關於單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。集成電路（英語：integrated circuit, IC）、或稱微電路（microcircuit）、 微晶元（microchip）、晶元（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並通常製造在半導體晶圓表面上。前述將電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。本文是關於單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。

『捌』 請問都有哪些檢測半導體晶元遺落在哪個位置的方法謝謝大家

半導體晶元檢測方法適用於半導體晶圓的檢測領域。
包括：獲取半導體晶圓表面的原始圖版像並對所述原權始圖像進行自相關處理以獲得晶元的寬度和長度；根據晶元的寬度和長度提取晶元在半導體晶圓表面的位置及晶元間縫隙的位置；對半導體晶圓表面的晶元進行高倍率的圖像拍攝，然後對每一幅高倍率圖像進行晶元檢測。所述方法及系統實現了對半導體晶圓表面的晶元位置、晶元間縫隙位置及晶元表面缺陷的快速有效檢測。

『玖』 晶圓是怎麼測量的

對集成電路來說復：一般來說4寸晶圓制的厚度為0.520mm,6寸晶圓的厚度為
0.670mm左右。晶圓必須要減薄，否則對劃片刀的損耗很大，而且要劃兩刀。我們做DIP封裝，4寸晶圓要減薄到0.300mm；6寸晶圓要減薄到0.320mm左右，誤差0.020mm。
量測儀器片厚用千分尺就行了，膜厚一般用熱波儀器量測，通過量測不同分布的多點厚度，求平均得出膜厚，一般同時反映膜的均勻性，並可見模擬等高線