金屬電阻應變片與半導體應變片的區別有哪些

『壹』 金屬電阻應變片和半導體應變片的原理各是什麼各自優缺點

都說了金屬來電阻應變片，他的作用源原理為外力使得金屬變形從而改變內阻使輸出的參數進行變化，這種應變片工作時變形量偏大，線性度好，對低密度物體進行測量比較准確。
半導體也叫壓電晶體應變片，這種材料幾何性質發生變化的時候會在晶體的軸上產生電勢，這種應變片變形量小，產生的參數線性度差要經過運算後進行使用，但它是無源信號源，適合測量高密度小變形量的物體。

『貳』 金屬應變片與半導體應變片的工作原理有何區別,各有何優缺點

金屬應變來片電阻變化主源要尤其結構尺寸變化所致，而半導體是利用半導體的物理效應即壓阻效應工作的，
金屬應變片的優點1.結構簡單頻率特性好，2，價格低廉品種多樣，3可在高(低)溫、高速、高壓、強烈振動、強磁場及核輻射和化學腐蝕等惡劣條件下正常工作，缺點：具有非線性，輸出信號微弱，抗干擾能力較差，因此信號線需要採取屏蔽措施；只能測量一點或應變柵范圍內的平均應變，不能顯示應力場中應力梯度的變化等；不能用於過高溫度場合下的測量。
半導體應變片的優點：1，靈敏度高，工作頻帶寬，機械遲滯小，分辨力高，
缺點;溫度穩定性差，靈敏度離散性大，非線性誤差大

『叄』 試列舉金屬絲電阻應變片與半導體應變片的相同點和不同點

木頭人 8級 2009-09-13
相同的都是 在一定條件下可以改變自身的物理性質 但是他們的材料組成回不同 靈敏度不同 金屬是答自身的特性 半導體是許多不同物質在一起改變了自身的特性
追問：
相同點：在一定條件下能改變自身的物理性質.
不同點：材料不同,靈敏度不同.
最後一句看不懂.
回答：
半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類.
鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）.除上述晶態半導體外,還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等
也就是說有的半導體是幾種金屬混合在一起的 但是表現出來的就不是單個的特性了 而是相互影響的表現出他們在一起的特性

『肆』 金屬電阻應變片與半導體材料的電阻應變效應有什麼不同

金屬電阻應變片的工作原理是金屬在受力的情況下，截面會發生變化，回從而電阻發生變化答，通過這個原理，配合應變測試儀和軟體，可以測量出被測試物的變形量。

半導體應變片是利用半導體結構形變導致載流子密度變化製成的形變感測器。

金屬電阻應變片的特點是抗批量強度高，應變系數穩定，但是應變系數相比半導體應變片較小，因此應變測試時應變值比較小，對小應變測試，精度沒有半導體應變片高。而半導體應變片的優點是靈敏度高，但是受外界因素影響較大

『伍』 金屬電阻應變片與半導體材料應變片在工作原理上有何區別

前者是利用導體形變引起阻值變化，後者是利用半導體電阻率變化引起版阻值變化。金屬電阻絲應變權片穩定性和溫度特性好，但靈敏度系數小。
半導體應變片應變靈敏度大；體積小；能製成具有一定應變電阻的元件，但溫度穩定性和可重復性不如金屬應變片。

『陸』 電阻應變片與半導體應變片的工作原理有何區別

電阻應抄變片的工作原理是金屬在受襲力的情況下，截面會發生變化，從而電阻發生變化，通過這個原理，配合應變測試儀和軟體，可以測量出被測試物的變形量。
半導體應變片是利用半導體結構形變導致載流子密度變化製成的形變感測器。
電阻應變片的特點是抗批量強度高，應變系數穩定，但是應變系數相比半導體應變片較小，因此應變測試時應變值比較小，對小應變測試，精度沒有半導體應變片高。而半導體應變片的優點是靈敏度高，但是受外界因素影響較大。
本人專門從事應變測試工作，有問題的話可以和本人探討。

『柒』 試比較金屬絲電阻應變片與半導體應變片的相同點與不同點

滿意答案

木頭人 8級 2009-09-13
相同的都是 在一定條件下可以改變自身的物理性質 但是他們的材內料組成不同 靈敏度不同 金屬是自容身的特性 半導體是許多不同物質在一起改變了自身的特性

追問：
相同點：在一定條件下能改變自身的物理性質。
不同點：材料不同，靈敏度不同。
最後一句看不懂。。。。。。
回答：
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。
鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等
也就是說有的半導體是幾種金屬混合在一起的 但是表現出來的就不是單個的特性了 而是相互影響的表現出他們在一起的特性