什麼叫掩蔽作用半導體工藝

Ⅰ 半導體工藝做PM是什麼意思

體育公益當中PM它實際上是一種半導體的一種合成模式，在半導體的合成模式當中，這是最關鍵的一環

Ⅱ 半導體矽片工藝中有一個是 RCA cleaning 是什麼意思

RCA cleaning 就是採用RCA方法來清洗的意思。
RCA是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液中，並能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除矽片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除矽片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，矽片表面的硅幾乎不被腐蝕。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由於H2O2的作用，矽片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，矽片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由於矽片表面的自然氧化層與矽片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在矽片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕矽片表面的同時，H2O 2又在氧化矽片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用於去除矽片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除矽片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分矽片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾污難以去除；然後溶解氧化膜，因為氧化層是「沾污陷阱」，也會引入外延缺陷；最後再去除顆粒、金屬等沾污，同時使矽片表面鈍化。

Ⅲ 半導體工藝中為什麼後烘可以消除駐波

Ethernrt總閃收發數據連接卡原1、電信帶寬問題投訴讓電信門處理2、電腦病毒3、貓壞

Ⅳ 半導體工藝中的「自隔離」技術是什麼意思

譬如在一塊Si片上，同時製作兩個n-MOSFET，由於MOSFET本身結構的特點，毋需專門的隔離，版那麼這兩個n-MOSFET就具有「自權隔離」性能。即是說，各個晶體管的電流在各自的溝道內流通，互相並不相干。

Ⅳ 半導體工藝的四個重要階段是什麼

以追溯各個時代發展半導體工藝的四個重要階段分別是，1. 毫米階段
2. 微米階段
3. 次微米階段
4.納米階段

Ⅵ 什麼是半導體製造工藝中的深槽隔離技術

現在用深槽隔離了嗎？淺槽隔離技術是STI，是指隔離有源區的一個槽，用多晶硅填起來，深槽隔離是不是槽做的更深啊，沒聽過。

Ⅶ 半導體是什麼做什麼用的

自然界的物質按導電能力可分為導體、絕緣體和半導體三類。半導體材料是指室溫下導電性介於導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。1906年製成了碳化硅檢波器。

1947年發明晶體管以後，半導體材料作為一個獨立的材料領域得到了很大的發展，並成為電子工業和高技術領域中不可缺少的材料。特性和參數半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本徵半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質後，由於雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。

不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以製成具有不同功能的半導體器件，如二極體、三極體、晶閘管等。

此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以製造各種敏感元件，用於信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度，對於非晶態半導體材料，則沒有這一參數。半導體材料的特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

半導體材料的種類

常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素製成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處於研究階段。

此外，還有非晶態和液態半導體材料，這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。

所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個「9」以上，最高達11個「9」以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學組成進行提純，稱為物理提純；另一類是把元素先變成化合物進行提純，再將提純後的化合物還原成元素，稱為化學提純。物理提純的方法有真空蒸發、區域精製、拉晶提純等，使用最多的是區域精製。化學提純的主要方法有電解、絡合、萃娶精餾等，使用最多的是精餾。

由於每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結合的工藝流程以獲得合格的材料。絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法製成的。直拉法應用最廣，80％的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的，其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。

水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於制備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用於制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。

工業生產使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用於制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法製成。

半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶（band）寬度不同。絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入傳導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體，只有極少數的載子具有足夠的能量進入傳導帶。因此，對於一個在相同電場下的純質半導體（intrinsicsemiconctor）和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。

純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變，這個過程通常稱為「摻雜」（doping）。依照摻雜所使用的雜質不同，摻雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般的電性。在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-inelectricfield），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。

除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。半導體材料也因為這樣的特性，很適合用來作為電路元件，例如晶體管。晶體管屬於主動式的（有源）半導體元件（activesemiconctordevices），當主動元件和被動式的（無源）半導體元件（passivesemiconctordevices）如電阻器（resistor）或是電容器（capacitor）組合起來時，可以用來設計各式各樣的集成電路產品，例如微處理器。

當電子從傳導帶掉回價帶時，減少的能量可能會以光的形式釋放出來。這種過程是製造發光二極體（light-emittingdiode,LED）以及半導體激光（semiconctorlaser）的基礎，在商業應用上都有舉足輕重的地位。而相反地，半導體也可以吸收光子，透過光電效應而激發出在價帶的電子，產生電訊號。這即是光探測器（photodetector）的來源，在光纖通訊（fiber-opticcommunications）或是太陽能電池（solarcell）的領域是最重要的元件。

半導體有可能是單一元素組成，例如硅。也可以是兩種或是多種元素的化合物（compound），常見的化合物半導體有砷化鎵（galliumarsenide,GaAs）或是磷化鋁銦鎵（,AlGaInP）等。合金（alloy）也是半導體材料的來源之一，如鍺硅（silicongermanium,SiGe）或是砷化鎵鋁（aluminiumgalliumarsenide,AlGaAs）等。

Ⅷ 請問二氧化硅、氮化硅和磷原子在半導體製造中的作用分別是什麼

磷原子是摻雜原子，用於二氧化硅（矽片的熱氧化層）和氮化硅化合物半導體的摻雜。使其成為N型半導體。

Ⅸ 有誰可以介紹一下什麼是半導體的特殊工藝嗎半導體特殊工藝工程師是做什麼的不勝感激

半導體技術抄工程師就襲是一個不錯的職業，從事該職業一般需要具有良好的半導體、薄膜、凝聚態、物理學、精密儀器、測量測控等學歷教育背景和較強的專業技能；並且具有一定的光伏技術工程、研發、生產工藝、實驗室測量等領域的實踐工作經驗。
工作內容
：負責全盤設備（半導體器件製造設備）的維護、製造和流程監督；
負責產品生產線上流程設計；
負責半導體生產設備的組裝、運行、維護，MES系統的過程的設定、控制；
負責日常生產的安排，保證生產的正常運轉。

職業要求：
教育培訓：
微電子、物理、材料、機電一體化等相關專業大專以上學歷。
工作經驗：
有較強的邏輯分析能力和溝通協調能力；熟悉質量管理體系。

薪資行情：
一般月薪范圍在5000-10000元左右。

職業發展路徑：
半導體行業人才匱乏，中高級人員尤其短缺。作為一名合格的半導體工程師，可以去很多企業展現自己的能力。不論是晶元製造廠商，還是高端的超大規模集成電路晶元的製造、研發企業，都需要具有高水平的半導體工程師。

Ⅹ 半導體工藝過程專業術語（中英文簡稱及全稱）及定義

CP: chip probe, 晶圓晶元測試

FT: final test, 成品測試

and so on ...