為什麼耗盡區在半導體裡面

⑴ 耗盡層外的半導體為何是電中性的

pn結中，以耗盡層外的n型半導體側為例，半導體中的自由電子（負電）與電離施主（正電）濃度是一樣的，所以是中性的。

⑵ 怎樣理解PN結中"載流子耗盡"這句話

N型半導體中電子為多數載流子，空穴為少數載流子，這在P型半導體中恰好相反。當他們形成PN結時，N區中的電子和P區中的空穴分別向對面擴散，相遇則發生中和，也就是載流子耗盡，最終在PN結中部形成耗盡區，在平衡狀態下耗盡區中的自由載流子濃度很低。

⑶ 概念不清,半導體二極體PN結的內電場為什麼不會延伸到P區和N區難道電場或電力線還會斷嗎

電場是有源無旋場，電場與電場線當然可以中斷！！這是電場與磁回場在宏觀上最主答要的區別。
pn結的形成過程中，交界面載流子的相互擴散形成空間電荷區（耗盡層），可以把耗盡層的兩個斷面想像成兩塊帶電的金屬板（即結電容的模型），它最終能保證耗盡層內的漂移電流等於擴散電流，同樣，這兩塊帶電板在耗盡層外的p區和n區產生的電場能相互抵消！所以我們說p區與n區沒有電場存在。
從能量角度來描述pn結的形成就是：p型、n型半導體中費米能級在禁帶中的位置有差異，而平衡系統的費米能級必定處處相等，所以在pn結平衡的過程中，兩端的禁帶相互錯開形成一定高度的勢壘（內建電場），直至費米能級相等。

⑷ 為什麼PIN型光敏二極體的耗盡層可以擴展到整個半導體

PIN管因為，P區一般是重摻雜，因此由電中性條件，QpWp=QiWi，可見耗盡區必然向本徵區擴展，為了更好的吸收光能，本徵區往往較厚，遠厚於p區和n區，因此可以認為耗盡區擴展到整個半導體。

⑸ 空間電荷區存在動態平衡的話為什麼是耗盡區

空間電荷區是PN結的一部分。
空間電荷區也稱耗盡層.在PN結中,由於自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動,使PN結中間的部位(P區和N區交界面)產生一個很薄的電荷區,它就是空間電荷區.
（1）當P型半導體和N型半導體結合在一起時，由於交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴散的結果就使P區和N區中原來的電中性條件破壞了。P區一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，N區一側因失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子通常稱為空間電荷，它們集中在P區和N區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，這就是我們所說的PN結 。
（2）在這個區域內，多數載流子已擴散到對方並復合掉了，或者說消耗殆盡了，因此，空間電荷區又稱為 耗盡層 。
（3）P區一側呈現負電荷，N區一側呈現正電荷，因此空間電荷區出現了方向由N區指向P區的電場，由於這個電場是載流子擴散運動形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為 內電場 。
（4）內電場是由多子的擴散運動引起的，伴隨著它的建立將帶來兩種影響：一是 內電場將阻礙多子的擴散 ，二是P區和N區的少子一旦靠近PN結，便在內電場的作用下漂移到對方， 使空間電荷區變窄 。
（5）因此， 擴散運動使空間電荷區加寬，內電場增強，有利於少子的漂移而不利於多子的擴散；而漂移運動使空間電荷區變窄，內電場減弱，有利於多子的擴散而不利於少子的漂移。
當擴散運動和漂移運動達到動態平衡時，交界面形成穩定的空間電荷區，即 PN結處於動態平衡

⑹ 半導體物理中「空間電荷區」、「耗盡層」、「勢壘區」三者的含義一樣嗎

顯然不一樣.
這些區域都存在於兩半導體或者半導體-金屬接觸的地版方,空間電荷區指載流子權濃度超過原載流子濃度的區域,而耗盡層則相反.勢壘區指由於不同費米面的半導體之間或者半導體-金屬之間由於接觸而引起載流子重新分配後形成勢壘的區域.

⑺ 半導體的全耗盡是什麼意思 英文即是fully depleted

在半導體pn結、肖特基結、異質結中,由於界面兩側半導體原有化專學勢的差異導致界面附近能帶屬彎曲,從而形成能帶彎曲區域電子或空穴濃度的下降,這一界面區域在半導體物理中稱為耗盡區.
而全耗盡是指某一區域的電子或空穴濃度下降為極低（接近於零）.

⑻ 為什麼高摻雜的半導體耗盡層窄 請詳細說明 謝謝

由於摻雜濃度大，耗盡層單位面積內正負離子多，所以只需要相對較窄的耗盡層就能建立起足專夠強的內電場屬來阻止多子的擴散運動。

可理解為加上正向電壓，正向電壓會與內部接觸電場相抵消，這也是正向導通的的原理，所以濃度高，建立起的耗盡層寬度也就窄了。

具體說明：電場強度=摻雜濃度*寬度（e=nd*w），電勢差等於=電場強度*寬度，所以電勢差等於摻雜濃度*寬度的平方，產生的電勢差一樣時，高摻雜的摻雜濃度大，所以耗盡層寬度窄。

(8)為什麼耗盡區在半導體裡面擴展閱讀

半導體應用策略

半導體製冷技術已經廣泛應用在醫葯領域中，工業領域中，即便是日常生活中也得以應用，所以，該技術是有非常要的發展前景的。

例如，將導體製冷技術用於現代的各種製冷設備中，諸如冰箱、空調等等，都可以配置電子冷卻器。半導體冰箱就是使用了半導體製冷技術。在具體的應用中，可以根據不同客戶的需要使用，以更好地滿足客戶的要求。

不同數量的半導體製冷晶元，在連接的過程中可以根據需要採用並聯的方式或串聯的方式，放置在合適的位置就可以發揮作用。二十世紀50年代，前蘇聯開發了一種小型模型冰箱，只有10升的容量，冰箱的體積非常小，使用便利。

參考資料

網路--半導體

⑼ 什麼是耗盡區

物理專業名詞耗盡區：在半導體pn結、肖特基結、異質結中，由於界面兩側半導體原有化學勢的差異導致界面附近能帶彎曲，從而形成能帶彎曲區域電子或空穴濃度的下降，這一界面區域在半導體物理中稱為耗盡區。

⑽ 半導體中耗盡區和漂移區各自是什麼意思

耗盡區Wp是P區和N區之間因正負電荷抵消而無載流子的區域。下標P是depletion area的意思。而漂移區是P區和回N區中尚存在少數載流答子的區域。隨著漂移少數載流子會逐漸被中和而減少。比如N型漂移區寬度表示為Wp，下標p是N中的少數載流子p，並非單詞縮寫。相同地，P型漂移區寬度表示為Wn。