什麼半導體電容板

Ⅰ 電路板上常見的電子元器件有哪些

電阻，電容，二級管，穩壓管，三極體等等。

（1）電阻是一個物理量，在回物理學中表示導體對電答流阻礙作用的大小。導體的電阻越大，表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體，電阻一般不同，電阻是導體本身的一種特性。

（2）電容是由兩塊金屬電極之間夾一層絕緣電介質構成。當在兩金屬電極間加上電壓時，電極上就會存儲電荷，所以電容器是儲能元件。任何兩個彼此絕緣又相距很近的導體，組成一個電容器。平行板電容器由電容器的極板和電介質組成 。

（3）二極體，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。

（4）穩壓二極體（又叫齊納二極體）是一種硅材料製成的面接觸型晶體二極體，簡稱穩壓管。此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。

（5）三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

Ⅱ 在半導體收音機中最常見的有什麼類型的電容器

在半導體收音機中最常見的電容器類型有：瓷片電容，雲母電容，滌綸電容，鉭電容，電解電容，可變電容等。

Ⅲ 電路板是半導體製成的嗎

電路板不是用半導體做的，電路板上的芯 片才是用半導體做的，因為半導體上可以 用簡單的工藝做成晶體管，mos管，電阻 電容等元件，因此晶元廠商也稱半導體廠商

Ⅳ 電路上的半導體電容(Cap Semi)有什麼用途

半導體電容-電壓技術

電容-電壓技術（C-V technique）就是通過測量電容與電壓的關系來求得體系的有關性能參量的一種技術。
（1）對單邊突變的p+-n結，其勢壘電容C與電壓V之間的關系可表示為：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，則可通過測量1/C2~V關系曲線的斜率和截距來求得n型一邊的摻雜濃度Nd和結的內建電勢Vbi 。對線性緩變結, 也可以通過測量1/C3~V關系曲線來求得Nd和Vbi 。
對於一般的p-n結或者金屬-半導體接觸，也可通過C-V曲線的測量來得到輕摻雜一邊的雜質濃度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。
（2）對於MOS系統，通過其高頻C-V特性曲線的測量（或者再加熱測量）還可以得到其中的界面態和固定的與可動的電荷的數量；在MOS器件及其IC的製造過程中，C-V測量技術已經成為了一種常規的檢測手段，用來監控工藝的質量。
此外，通過測量瞬態的C-V關系（例如深能級瞬態譜[DLTS]技術），還可以獲得關於系統中界面態的信息。

Ⅳ 晶元引腳上的電容是什麼電容啊！

晶元引腳附近的一般是有兩種電容。
一種是濾波電容，是晶元電源上版要求嚴格，所以一般加權104濾波電容，即0.1uF。
另一種是參考、去偶、增加旁路的電容，是晶元某些固定引腳所要求電容參考值。容值一般不確定，視晶元定。
按你所說的是第一種，而且你所說的是0805規格的貼片電容，是無極的。而且是0.1uF。

Ⅵ 極板間的電介質是半導體嗎，什麼半導體

電容極板間的電介質基本上是一種穩定的絕緣體，不是半導體，半導體是電阻率介於導體和絕緣體之間、且不穩定的導電材料。

Ⅶ 集成電路板是那個綠綠的東西嗎是硅做的為什麼需要那塊板的半導體的性質

綠的不是。小黑的才是，裡面很復雜。

Ⅷ 關於半導體的電容

首先， 電容的決定式為：C=εS/4πkd 。
其中，ε是一個常數，S為電容極板的正對面積，d為電容極板的距離，k則是靜電力常量。
我們將你說的空氣等效視為真空， 一半的空間置換為半導體， 實際改變的只有 d .
所以d減小為原來的1/2， 電容容值增大到原來的2倍。

Ⅸ 電容屬於半導體嗎

電容不是半導體，它是通交流，阻直流
半導體不一樣，PN結之類，它是一個通，一個斷，跟方向有關，跟電流種類無關

Ⅹ 這種貼片電容是什麼電容，

如圖：積層貼片陶瓷片式電容器
積層貼片陶瓷片式電容器是一種用陶瓷粉生產技術，內部為貴金屬鈀金，用高溫燒結法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。產品分為高頻瓷介NPO(COG)和低頻瓷介X7R兩種材質。NPO具有小的封裝體積，高耐溫度系數的電容，高頻性能好，用於高穩定振盪迴路中，作為電路濾波電容。X7R瓷介電容器限於在工作普通頻率的迴路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合,這種電容器不宜使用在交流（AC)脈沖電路中，因為它們易於被脈沖電壓擊穿，所以不建義使用在交流電路中。
高壓貼片電容分三類：
一類為溫度補償型NPO介質
NP0又名COG電氣性能最穩定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變，屬超穩定型、低損耗電容材料類型，適用在對穩定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類為高介電常數型X7R介質
X7R是一種強電介質，因而能製造出容量比NPO介質更大的電容器。這種電容器性能較穩定，隨溫度、電壓時間的改變，其特有的性能變化並不顯著，屬穩定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類為半導體型X5R介質
X5R具有較高的介電常數，常用於生產比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產品。但其容量穩定性較X7R，容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機中的振盪、耦合、濾波及傍路電路中。
優點：封裝體積小,質量穩定，絕緣性能高，耐高壓
缺點:容量較小，目前最大100UF，易於被脈沖電壓擊穿。

1.利用貼片陶瓷電容器介質層的薄層化和多層疊層技術，使電容值大為擴大
2.單片結構保證有極佳的機械性強度及可靠性
3.極高的精確度，在進行自動裝配時有高度的准確性
4.因僅有陶瓷和金屬構成，故即便在高溫，低溫環境下亦無漸衰的現象出現，具有較強可靠性與穩定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設計
6.殘留誘導系數小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造於具有高可靠性的電源
8.由於ESR低，頻率特性良好，故最適合於高頻，高密度類型的電源