半導體實驗室什麼區別

『壹』 中國電子科技集團公司第13研究所與河北半導體所的區別是什麼

就是同一家單位

中國電子科集團科技集團是2002國家整合一些研究所成立的，成立之後把原有的所按數字編序。以前是河北半導體所，整合以後稱十三所

『貳』 導體和半導體區別

一、概念不同

1、導體

導體（conctor）是指電阻率很小且易於傳導電流的物質。導體中存在大量可自由移動的帶電粒子稱為載流子。在外電場作用下，載流子作定向運動，形成明顯的電流。

2、半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。

二、分類不同

1、導體

1）第一類導體

金屬是最常見的一類導體。金屬中的原子核和內層電子構成原子實，規則地排列成點陣，而外層的價電子容易掙脫原子核的束縛而成為自由電子，它們構成導電的載流子。

2）第二類導體

電解質的溶液或稱為電解液的熔融電解質也是導體，其載流子是正負離子。實驗發現，大部分純液體雖然也能離解，但離解程度很小，因而不是導體。

3）其他導電介質

電的絕緣體又稱為電介質。它們的電阻率極高，比金屬的電阻率大1014倍以上。絕緣體在某些外界條件（如加熱、加高壓等）影響下，會被「擊穿」，而轉化為導體。絕緣體或電介質的主要電學性質反映在電導、極化、損耗和擊穿等過程中。

2、半導體

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

三、特性不同

1、導體

1）熱敏特性

半導體的電阻率隨溫度變化會發生明顯地改變。

2）光敏特性

半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小；無光照時，電阻率很大。

3）摻雜特性

在純凈的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發生極大的變化。

2、半導體

半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。

1）在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。

2）在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。

『叄』 半導體及電子元器件有什麼區別，怎麼區分

我們平復時說的半導制體，其實是指半導體元器件（或集成電路），也就是由半導體材料製造的電子元器件（或集成電路），目前，常用的半導體材料包括三種：硅、鍺、砷化鎵。

所以，你問「半導體及電子元器件有什麼區別」，是錯誤的說法，但是，我們可以說：半導體元器件或半導體集成電路是電子元器件的一個分類……

『肆』 晶體管和半導體的區別

晶體管，本名是半導體三極體，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都採用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極體中應用最廣泛的器件之一，在電路中用「V」或「VT」（舊文字元號為「Q」、「GB」等）表示。
晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等的發明相提並論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
雖然數以百萬計的單體晶體管還在使用，絕大多數的晶體管是和二極體|-{A|zh-cn:二極體;zh-tw:二極體}-，電阻，電容一起被裝配在微晶元（晶元）上以製造完整的電路。模擬的或數字的或者這兩者被集成在同一塊晶元上。設計和開發一個復雜晶元的生本是相當高的，但是當分攤到通常百萬個生產單位上，每個晶元的價格就是最小的。一個邏輯門包含20個晶體管，而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數量達2.89億個。
晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標准集成電路並編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。
因為晶體管的低成本和後來的電子計算機，數字化信息的浪潮來到了。由於計算機提供快速的查找、分類和處理數字信息的能力，在-{A|zh-cn:信息;zh-tw:資訊}--{A|zh-cn:數字;zh-tw:數位}-化方面投入了越來越多的精力。今天的許多媒體是通過電子形式發布的，最終通過計算機轉化和呈現為模擬形式。受到數字化革命影響的領域包括電視，廣播和報紙。
顧名思義：導電性能介於導體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconctor）．
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與金屬和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前，

1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。不久，

1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績——四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

半導體於室溫時電導率約在10ˉ10～10000/Ω·cm之間，純凈的半導體溫度升高時電導率按指數上升。半導體材料有很多種，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的有機物半導體等。

本徵半導體(intrinsic semiconctor) 沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。在絕對零度溫度下，半導體的價帶(valence band)是滿帶(見能帶理論)，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶(forbidden band/band gap)進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶(conction band)，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴(hole)，導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子 - 空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子(free carrier)，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，使電子-空穴對消失，稱為復合(recombination)。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子 - 空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。

雜質半導體(extrinsic semiconctor) 半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為n型半導體和p型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價鍵，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多，很易激發到導帶成為電子載流子，因此對於摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為n型半導體。由於半導體中總是存在本徵激發的電子空穴對，所以在n型半導體中電子是多數載流子，空穴是少數載流子。相應地，能提供空穴載流子的雜質稱為受主(acceptor)雜質，相應能級稱為受主能級，位於禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是受主能級。由於受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發到受主能級上填補這個空位，使受主雜質原子成為負電中心。同時價帶中由於電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本徵半導體情形下產生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在p型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。

『伍』 什麼是實驗室

實驗室即進行試驗的場所，是科技的產出地，所以國家對試驗室投入非常大。

二十世紀世界著名實驗室簡介

進入二十世紀，各類物理實驗室如雨後春筍，研究工作廣泛開展。可以說，實驗室是科學的搖籃，是科學研究的基地。下面選取若干有代表性的，對科學發展起過或正在起重要作用的物理實驗室，分別作些介紹。

第一類是建立在大學裡面，附屬於大學的實驗室。除了英國劍橋大學的卡文迪什實驗室以外，還可以舉出許多，其中著名的有莫斯科大學的物理實驗室，荷蘭萊頓大學的低溫實驗室，美國哈佛大學的傑佛遜（Jefferson）物理實驗室，加州伯克利分校的勞倫斯輻射實驗室，英國曼徹斯特大學的物理實驗室。它們大都以基礎研究為主，各有特長。例如：

一、荷蘭的萊頓低溫實驗室

二十世紀初，這個實驗室在昂納斯（K.Onnes）領導下，在低溫領域獨占鰲頭，最先實現了氦的液化，發現了超導電性，並一直在低溫和超導領域居領先地位。特別是它以大規模工業技術發展實驗室，開創了大科學的新紀元。荷蘭是一個工業小國，荷蘭萊頓低溫實驗室的經驗特別值得我們學習和借鑒。

二、美國加州大學伯克利分校的勞倫斯輻射實驗室

它是電子直線加速器的發源地，創建於30年代，當時正值經濟蕭條時期，創建人勞倫斯以其特有的組織才能，充分發掘美國的人力、物力和財力，建起了第一批加速器。在他的領導組織下，實驗室成員開展了廣泛的科學研究，發現了一系列超重元素，開辟了放射性同位素、重離子科學等研究方向。它是美國一系列著名實驗室：Livermore，Los Alamos，Brookhaven等實驗室的先驅，也是世界上成百所加速器實驗室的楷模。

第二類實驗室屬於國家機構，有的甚至是國際機構，由好幾個國家聯合承辦。它們大多從事於基本計量，高精尖項目，超大型的研究課題，和國防軍事任務。例如：

三、德國的帝國技術物理研究所（簡稱PTR）

帝國技術物理研究所建於1884年，相當於德國的國家計量局，以精密測量熱輻射著稱。十九世紀末該研究所的研究人員致力於黑體輻射的研究，導致了普朗克發現作用量子。可以說這個實驗室是量子論的發源地。

四、英國國家物理實驗室（簡稱NPL）

英國的國家物理實驗室，是英國歷史悠久的計量基準研究中心，創建於1900年。

1981年分6個部：即電氣科學、材料應用、力學與光學計量、數值分析與計算機科學、量子計量、輻射科學與聲學。

作為高度工業化國家的計量中心，與全國工業、政府各部門、商業機構有著廣泛的日常聯系，對外則作為國家代表機構，與各國際組織、各國計量中心聯系。它還對環境保護，例如雜訊、電磁輻射、大氣污染等方面向政府提供建議。英國國家物理實驗室共有科技人員約1000人，1969年最高達1800人。

五、歐洲核子研究中心（簡稱CERN）

歐洲核子研究中心創立於1954年，是規模最大的一個國際性的實驗組織。它的創建、方針、組織、選題、經費和研究計劃的執行，都很有特點。1983年在這里發現W±和Z0粒子，次年該中心兩位物理學家魯比亞和范德梅爾獲諾貝爾物理獎。

歐洲核子研究中心是在聯合國教科文組織的倡導下，由歐洲11個國家從1951年開始籌劃，現已有13個成員國。經費由各成員國分攤，所長由理事會任命，任期5年。下設管理委員會、研究委員會和實驗委員會，組織精幹，管理完善。人員共達6000人，多為招聘制。三十餘年來，先後建成質子同步迴旋加速器、質子同步加速器、交叉儲存環（ISR）、超質子同步加速器（SPS）、大型正負電子對撞機（LEP）、並擁有世界上最大的氫氣泡室（BEBL）。

歐洲核子研究中心作為國際性實驗機構，擁有雄厚的財力、物力和技術力量。由於工作涉及許多國家和組織，在建設和研究中難免會出現種種矛盾和磨擦，但經過協商和合作，工作進行順利，龐大計劃都能按時兌現，接連不斷取得舉世矚目的成就（參見：高能物理，1985年第3期，第26頁）。

第三類實驗室直接歸屬於工業企業部門，為工業技術的開發與研究服務。其中最著名的有貝爾實驗室和IBM研究實驗室。

六、貝爾實驗室

貝爾實驗室原名貝爾電話實驗室，成立於1925年，是一所最有影響的由工業企業經營的研究實驗室。主要宗旨是進行通訊科學的研究，有研究人員20000人，下屬6個研究部，共14個分部，56個實驗室，每年經費達22億美元，其中10％用於基礎研究。除了無線電電子學以外，在固體物理學（其中包括磁學、半導體、表面物理學）、天體物理學、量子物理學和核物理學等方面都有很高水平。在這個研究機構中擁有一大批高水平的科研人員，幾十年來獲得諾貝爾物理獎的先後有：發明電子衍射的戴維森，發明晶體管的肖克利、巴丁和布拉坦，發明激光器的湯斯和肖洛，理論物理學家安德遜，射電天文學家彭齊亞斯和威爾遜。

貝爾實驗室的經驗很值得注意。工業企業對科學研究，特別是對基礎研究的重視；開發和研究二位一體；領導有遠見有魄力，善於抓住有生命力的新課題，這些都是有益的經驗。

七、IBM研究實驗室

IBM是International Bisiness Machines Corporation（美國國際商用機器公司）的簡稱，現已發展成為跨國公司，在計算機生產與革新中居世界領先地位。它創建於1911年，原名Computing-Tabulating-Recording Co.（C.T.R.），是由三家生產統計機械、時間記錄器的公司組成。這些公司分別創建於1889、1890、1891年。1984年底，IBM公司的雇員超過39000人，業務遍及130個國家。

IBM研究實驗室也叫IBM研究部，共有研究人員3500人，（還吸收許多博士後和訪問學者參加工作），專門從事基礎科學研究，並探索與產品有關的技術，其特點是將這兩者結合在一起。科學家在這里工作，一方面推進基礎科學，一方面提出對實際應用有益的科學新思想。研究部下屬四個研究中心：

（1）在美國紐約的Thomas J.Watson研究中心。從事計算機科學、輸入/輸出技術、生產性研究數學、物理學、記憶和邏輯等方面的研究。其中物理學包括：凝聚態物理、超微結構、材料科學、顯微技術、表面物理、激光物理以至天文學和基本粒子。

（2）在美國加州的Almaden研究中心。除了計算機科學以外，還進行高溫超導、等離子體、掃描隧道顯微鏡和同步輻射等研究。

（3）瑞士Zurich研究中心。重點是激光科學與技術，特別是半導體激光器、光學儲存、光電材料、分子束外延、高溫超導、超顯微技術等方面，還進行信息處理等計算機科學研究。

（4）日本東京研究中心。內分計算機科學研究所、新技術研究所和東京科學中心，主要是結合計算機的生產和革新進行研究。

進入80年代，IBM研究中心成績斐然，兩屆諾貝爾物理獎都被它的成員奪得：一是因發明掃描隧道顯微鏡，賓尼格（G.K.Ginnig）與羅勒爾（H.Rohrer）共獲1986年諾貝爾物理獎的一半，二是因發現金屬氧化物的高溫超導電性，柏諾茲（J.G.Bednorz）和繆勒（K.A.Müller）共獲1987年獎。

一、 目前中國已經建成的國家實驗室共有4個，它們分別是：

1 同步輻射國家實驗室 中國科學技術大學 （合肥）

2 正負電子對撞機國家實驗室 高能物理研究所（北京）

3 重離子加速器國家實驗室 近代物理研究所（蘭州）

4 材料科學國家實驗室 金屬研究所（沈陽）

二、 已經批復正在興建的國家實驗室有5個，分別是：

1北京凝聚態物理國家實驗室 中國科學院物理研究所

2合肥微尺度物質科學國家實驗室 中國科技大學

3武漢光電國家實驗室 華中科技大學等單位

4清華信息科學與技術國家實驗室 清華大學

5北京分子科學國家實驗室 北京大學、中國科學院化學研究所

三、國家實驗室是由國家直接投資數億建立（如建在華中科大校內的武漢光電國家實驗室投資4.8億），全國目前國家實驗室總共只有9個（包括北京正負離子對撞基地、華中科大的光電國家實驗室在內），國家實驗室代表國家最高水平，是按國際一流標准建立的，規模非常大，基本包括本學科領域所有研究方向，而且人員配備上要求面向國內外招聘最優秀的研究人員，直接參與國際競爭，往往是多學科交叉的創新平台；而國家重點實驗室是由國家評的，評上後以後每年可以從國家多拿些錢，全國有幾百個，而且研究方向比較窄。國家實驗室和國家重點實驗室是兩個完全不同的概念，不是一個重量級上的，五個國家重點實驗室也比不上一個國家實驗室。

『陸』 怎樣認識半導體

電子管自誕生之日起，便被廣泛地用於無線電和電視機等設備中。此外，它們被用在雷達和電影放映機內，還用於早期的電腦中。各式各樣的控制裝置也是依靠電子管發揮作用。

但真空管有一些缺點，其中一點，就是它們耗電量有些大，浪費了數量可觀的電。在真空管中，必須把燈絲加熱使它放出電子。加熱要用電，它又產生出無用的熱來。我們可以從經驗得知：無線電收音機裡面是相當熱的，那麼想像一下，在超音速噴氣飛機的電子控制室里，數百個真空管會產生出怎樣巨量的熱吧。所以這種飛機必須使用特別的冷卻設備來驅散那些熱量。

科學家們發覺電子管的這個缺點和其他缺點，就開始研究別的辦法來替代電子管的工作。於是，一種新的裝置——半導體晶體管由美國貝爾實驗室發明了。

習慣上，人們一般把半導體晶體管稱為晶體管，實際上它並不是管狀結構，之所以稱它為「管」，只是沿襲了電子管的名字。

1948年，貝爾實驗室的兩位科學家，白列坦和巴甸，經過數年的研究，研製出了最早的半導體晶體管。它們看來並不引人注目——事實上，它太小了，必須仔細觀察它。因為許多晶體管只有粉筆頭大小，可是有些晶體管卻能代替比它們大數百倍的電子管。和電子管相比，晶體管優點立現：需要的電流少得多，產生的熱也少得多。

那麼半導體晶體管是怎樣工作的呢？

半導體晶體管是由鍺晶體的小切片做成的。鍺是一種元素，結晶體結構。用在典型的半導體晶體管中的鍺晶體的切片，面積有時甚至小於1平方厘米，厚度小於1/4厘米，找把尺子來量一下看看，就知道有多小了。

晶體三極體的功能與電子管的功能相同，可以放大電流。它有三個電極，稱作集電極、基極和發射極，分別對應於電子管的屏極、柵極和陰極。實際上現在日常提到的三極體都是晶體三極體。

當然，除了鍺晶體管外，還有其他種類的晶體管。由於性能優越，現在，除了極少的幾個地方，它們基本已經完全取代了電子管，而電子管差不多已經沒人使用了。現在我們用的收音機、電視機等，都大量使用了晶體管。因此，這些電器比它們用電子管的「祖先」們要小巧、便攜多了。

晶體管還有一個在醫療上的用途，那就是用在助聽器上。聽力已經衰退的中老年人和那些聽覺上有殘疾的人士佩戴助聽器以後，就能夠聽見聲音了。無聲的世界變得豐富多彩起來，極大地改變了他們的生活。當然它的原理是把較小的聲音轉化成電流，再把電流放大，驅動耳機發出聲音。

這種助聽器剛發明的時候，同樣是用微型電子管來製作的，主機是個盒子，放在上衣里，伸出一根電線接在耳塞機上。而現在用半導體的最小型的助聽器，外觀上就是個耳塞，可以直接放在耳朵里。

晶體管還有其他許多種用途。相信隨著科技的發展，人類會研製出更新的產品來取代晶體管的。

半導體的分類

半導體按照其製造技術可以分為：集成電路器件、分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

『柒』 半導體的原理是什麼

原理：

在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶（見能帶理論），受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電並不是實際運動，而是一種等效。

電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。

復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子- 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子- 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。

(7)半導體實驗室什麼區別擴展閱讀：

半導體的應用

一、在無線電收音機（Radio）及電視機（Television）中，作為「訊號放大器/整流器」用。

二、發展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。

三、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的准確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

四、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應。

『捌』 什麼是半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

(8)半導體實驗室什麼區別擴展閱讀：

發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

『玖』 國家重點實驗室有多少個啊和國家實驗室有什麼區別

數量：國家重點實驗室很多，國家實驗室很少
性質：承擔國家交辦的重要研究任專務--國家屬實驗室
申請承擔國家的研究任務--國家重點實驗室
規模：國家實驗室更強更大，是國家重要研究的平台，國家每年均有非常可觀的研究經費投入。

序號 實驗室名稱 依託單位
1 半導體超晶格國家重點實驗室 半導體研究所
2 表面物理國家重點實驗室 物理研究所
3 波譜與原子分子物理國家重點實驗室 武漢物理與數學研究所

因為字數太多，，列不出來了，看這里http://www.bp.cas.cn/unitweb/3/312311/detailnews.asp?infoNo=116975

『拾』 常規實驗室和特殊實驗室的區別是什麼

常規實驗室是指無壓差及凈化要求的普通化學實驗室、生物實驗室、物理實驗室。特殊實驗室是指潔凈實驗室、防靜電實驗室、恆溫恆濕實驗室、移動實驗室等，能滿足特殊需求的實驗室。希望陝西宏碩實驗室設備的回答能幫到你。